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GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

产品简介

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振,美国GED晶振公司,通用晶振公司石英晶振,贴片晶振,四脚晶振,有源晶振,环保晶振,6G卫星晶振,6G通讯无源晶振,环保无铅晶振,表面贴装HCMOS/TTL兼容振荡器,HCMOS/TTL输出,5.0V供电电压,陶瓷SMD封装,可用于磁带和卷轴

产品详情

TH-1 890

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TH-2 890

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

电气参数
频率范围 1.0to 133.000MHz
频率容差 ±20ppm
±25ppm
±50ppm
±100ppm
工作温度 0°Cto+70°C or –40°Cto 85°C
储存温度范围 -55 ~ +125°C
电源电压 +5.0VDC±10%
输入电流 1.000MHz to 32.000MHz20mA Max
33.000MHz to 49.000MHz45mA Max
50.000MHz to 69.000MHz50mA Max
70.000MHz to 133.000MHz100mA Max
对称性 50±10% Standard,50±5% Available
上升/下降时间 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
输出电平 VOL : 0.4V MaxVOH : +2.4V Min
VOL : 0.5V MaxVOH : VDD – 0.5V Min
输出负载 CMOS, compatible, 1~10TTL Gates
引脚1选项 No connectionEnable/Disable (Tristate)
TH-3 890

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

SMD100

SMD100

TH-6 890

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