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PLETRONICS晶振,贴片晶振,VLB7晶振,LVDS VCXO晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VLB7晶振,LVDS VCXO晶振频率:10.9 - 670 MHz尺寸:13.97*9.65*4.5mm

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VHD6晶振,压电控制型差分晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VHD6晶振,压电控制型差分晶振频率:10 - 108 MHZ尺寸:5.0*3.2*1.35mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VHA6晶振,CMOS输出压控晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VHA6晶振,CMOS输出压控晶振频率:1.7 - 108 MHz尺寸:7.0*5.0*1.87mm

SMD晶体3225mm尺寸,2520mm,2016mm等尺寸,在生产工艺上采用了高精密点胶技术:晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCD3晶振,电信传输晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCD3晶振,电信传输晶振频率:8.192-40MHZ尺寸:5.0*3.2*1.5mm

5032尺寸贴片晶振系列,在生产时就得对每项生产工艺严格把关,对每项参数做到标准检测,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCA4晶振,全球定位系统晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCA4晶振,全球定位系统晶振频率:10-40MHZ尺寸:7.0*5.0*2.65mm

我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,SM55G晶振,5032普通有源晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,SM55G晶振,5032普通有源晶振频率:0.8 - 165 MHz尺寸:5.0*3.2*1.15mm

小尺寸的贴片石英晶振,目前生产上采用了高技术的封装模式,光刻石英晶片技术,并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,SM33T晶振,差分晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,SM33T晶振,差分晶振频率:0.75 - 50 MHZ尺寸:2.5*2.0*1.0mm

无论是3225mm尺寸或者是2520mm尺寸的贴片石英晶振,内部的石英晶片,研磨镀层等技术,均需要采用机器设备运行,那么尺寸如此之小的晶体内部的晶片又是怎样处理的呢?首先,通过滚筒倒边,主要是为了去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,S3880晶振,3215有源晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,S3880晶振,3215有源晶振频率:32.768KHZ尺寸:3.2*1.5*1.0mm

插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于贴片形音叉晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE96晶振,FR4底座晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE96晶振,FR4底座晶振频率:10.9-1,175 MHZ尺寸:9.04*8.23*3.21mm

高精度的石英晶体谐振器,是需要在生产前期的各道工序就得采用严格的标准,比如电阻的测量技术:引进一批先进的检测仪器,准确度达到±1ppm(国标标准)。在测量应用上制定一套标准的测量方法保证测量的准确性、仪器的精度、测试的一致性。如下方面都会对测量结果带来影响:1、测试针本身连接的可靠性;2、测试针同测试管的连接性;3、测试板同测试针的接触问题;4、测试座同电缆的连接;5、小负载的规格测量的规定;6、测试板π头上空测其C0(保留3位以上小数)7、测量环境、操作方法等管制。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE91晶振,兼容性PECL振荡器

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE91晶振,兼容性PECL振荡器频率:10.9-1,175 MHZ尺寸:9.65*13.97*2.49mm

我公司的SMD贴片晶振在生产晶片时,就采用了晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE77G晶振,7050耐高温晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE77G晶振,7050耐高温晶振频率:35-220MHz尺寸:7.0*5.0*1.7mm

贴片石英晶振7050mm尺寸系列,晶体内部采用了真空封装技术,是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE55D晶振,PECL输出晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE55D晶振,PECL输出晶振频率:40-325MHZ尺寸:5.0*3.2*1.35mm

6035mm5032mm4025mm贴片晶振系列,其产品晶体晶片采用了真空退火技术:高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性,提高产品的年老化特性。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE44F晶振,PECL时钟晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE44F晶振,PECL时钟晶振频率:13.5-110MHz尺寸:3.2*2.5*1.0mm

型表面贴片晶振,标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCF4晶振,基站晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCF4晶振,基站晶振频率:10-40MHZ尺寸:2.0 x 2.5 x 1.0 mm

那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢?产品的电极对于晶体来讲,主要是,改变频率,往外引出电极,改变阻抗,去掉杂波,贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别,各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变,因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCE4晶振,地震勘探用晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCE4晶振,地震勘探用晶振频率:10-40MHZ尺寸:2.5 x 3.2 x 1.0 mm

随着科技数码产品的小型化发展,晶体元件的尺寸也从最初的插件庞大体积演变成目前的多种规格SMD小尺寸趋势,目前晶体内部的石英晶片已经达到了+-0.002mm以内了,由于很多晶振厂家在生产小尺寸时所产生的问题

PLETRONICS晶振,贴片晶振,LV98晶振,SMD8090mm晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,LV98晶振,SMD8090mm晶振频率:10.9-670MHZ尺寸:9.04*8.23*3.21mm

低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

PLETRONICS晶振,贴片晶振,LV77D晶振,7050LVDS输出晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,LV77D晶振,7050LVDS输出晶振频率:80-325MHZ尺寸:7.0*5.0*1.7mm

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

PLETRONICS晶振,差分晶振,LV91晶振

PLETRONICS晶振,差分晶振,LV91晶振频率:10.900MHz~670.000MHz尺寸:14*9*2.49mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动LVDS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
PLETRONICS晶振,有源晶振,LV55D晶振

PLETRONICS晶振,有源晶振,LV55D晶振频率:80.000MHz~325.000MHz尺寸:5.0*3.2*1.35mm

5032mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
PLETRONICS晶振,有源晶振,LV44F晶振

PLETRONICS晶振,有源晶振,LV44F晶振频率:13.500MHz~110.000MHz尺寸:3.2*2.5*1.0mm

3225mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.
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爱普生晶振新推出差分输出晶体振荡器

爱普生晶振新推出差分输出晶体振荡器

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日本精工爱普生晶振公司成立于19425,迄今为止已经成了晶振行业较出名的进口晶振品牌,日本爱普生晶振,KDS大真空晶振,SEIKO精工晶振,KYOCERA晶振,NDK晶振均是日系较大晶振品牌供应商.市场竞争力比较大,各大进口晶振品牌制造商也不断的研发生产新产品

Japan Seiko Epson Crystal Co., Ltd. was established in May 1942. So far, it has become a well-known imported crystal brand in the crystal industry. Japan Epson crystal oscillator, KDS large vacuum crystal oscillator,Seiko crystaloscillator, KYOCERA crystal oscillator, NDK crystal oscillator are Japanese large crystal oscillators. Brand suppliers. The market competitiveness is relatively large, and the major imported crystal brand manufacturers are constantly developing and producing new products.

爱普生晶振广告图1

就在2014326,爱普生晶振公司推出SG7050EBN晶振.这款石英晶体振荡器型号是下一代的差分输出晶振(差分信号手于高频时钟和数据信号,以实现良好的信号完整性和高抗噪性.:高精度,高温度,低抖动,低功耗).可实现极低的相位抖动(时钟周期之前的波动,这可能导致数据传输期间的们错误).

On March 26, 2014, Epson Crystal Corporation introduced the SG7050EBN crystal. This quartz crystal oscillator model is the next generation of differential output crystal (differential signal hands on high frequency clock and data signals for good signal integrity and High noise immunity. For example: high precision, high temperature, low jitter, low power consumption. It can achieve extremely low phase jitter (fluctuations before the clock cycle, which may cause errors during data transmission).

SG7050EBN晶振的频率范围在100~175MHZ之间,可以实现65fs的相位抖动.些性能适用于数据中心和中心局使用的1040100千兆位以太网互连.SG7050EBN晶振将用于有线网络设备使用,包括运营商和企业,如高端路由器和交换机.

The SG7050EBN crystal has a frequency range of 100 to 175 MHz and can achieve phase jitter of 65 fs. These features are suitable for 1040 and 100 Gigabit Ethernet interconnections used in data centers and central offices. The SG7050EBN crystal oscillator will be used for wired network equipment. , including operators and enterprises, such as high-end routers and switches.

APS-1 SG7050EBN采用专为低噪声设计的振荡器IC和采用爱普生专用QMEMS(QMEMS结合了石英”,一种具有出色稳定性和精度的压电晶体材料,以采用微制造技术设计的”MEMS”微机系统.结合了MEMS技术的优势和石英材料的基本优势.也是精工爱普生晶振公司注册的商标)工艺制造的高频基波(HFF)AT切晶体(HFF晶体单元是通过光刻工艺蚀刻成倒置台面形状并以高基频振荡的晶体芯片).实现65fs相位抖动.爱普生的HFF晶体技术比传统的三次谐波晶体更加可靠.爱普生晶振公司后续也打算通过逐步发布支持HCSLLVDS输出标准的新产品来解决网络设备中使用的各种差分输出格式.EPSON晶振致力于提高客户的设计自由度,采用高度紧凑的5032(5.0*3.2*1.0mm)封装.

The SG7050EBN uses an oscillator IC designed for low noise and a QMEMS (QMEMS combined with quartz), a piezoelectric crystal material with excellent stability and precision, and a "MEMS" microcomputer system designed with micro-fabrication technology. Combines the advantages of MEMS technology with the basic advantages of quartz materials. It is also a trademark of Seiko Epson Crystal Co., Ltd.) Processed high-frequency fundamental (HFF) AT-cut crystal (HFF crystal unit is etched into an inverted mesa shape by photolithography and High-frequency oscillation crystal chip). Realize 65fs phase jitter. Epson's HFF crystal technology is more reliable than traditional third-harmonic crystal. Epson Crystal's follow-up is also intended to solve network equipment by gradually releasing new products supporting HCSL and LVDS standards. Various differential output formats used in the EPSON crystal oscillator are dedicated to improving the customer's design freedom in a highly compact 5032 (5.0*3.2*1.0mm) package.

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