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Sitime晶振,贴片晶振,SiT9103晶振,千兆以太网晶振

Sitime晶振,贴片晶振,SiT9103晶振,千兆以太网晶振频率:1-800 MHz尺寸:7.0*5.0*0.9mm

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

Sitime晶振,贴片晶振,SiT2001B晶振,高温应用晶振

Sitime晶振,贴片晶振,SiT2001B晶振,高温应用晶振频率:1-110 MHz尺寸:2.9*2.8*1.25mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

Sitime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振

Sitime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振频率:115.2M~137MHZ尺寸:2.0x1.6mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
Sitime晶振,有源晶振,SiT8924B晶振

Sitime晶振,有源晶振,SiT8924B晶振频率:1M~110MHZ尺寸:5.0x7.0mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
Sitime晶振,贴片晶振,SiT8002AA晶振

Sitime晶振,贴片晶振,SiT8002AA晶振频率:1M~125MHZ尺寸:2.5x2.0mm

可编程晶振就是可以满足任何频点的晶体振荡器,经过频率发生器的放大或缩小后实现各种不同的总线频率.Sitime可编程晶体振荡器采用全自动化半导体工艺(芯片级),无气密性问题,永不停振.并且集成了温度补偿电路,全温度范围无温漂,-40℃-85℃全温保证;可支持1-800MHZ任一频点,精确致小数点后5位输出.
Sitime晶振,贴片晶振,SiT2025晶振

Sitime晶振,贴片晶振,SiT2025晶振频率:115.2M~137MHZ尺寸:2.9x2.8mm

可编程晶振就是可以满足任何频点的晶体振荡器,经过频率发生器的放大或缩小后实现各种不同的总线频率.Sitime可编程晶体振荡器采用全自动化半导体工艺(芯片级),无气密性问题,永不停振.并且集成了温度补偿电路,全温度范围无温漂,-40-85℃全温保证;可支持1-800MHZ任一频点,精确致小数点后5位输出.

Sitime晶振,贴片晶振,SiT2018晶振

Sitime晶振,贴片晶振,SiT2018晶振频率:1M~110MHZ尺寸:2.9x2.8mm

Sitime可编程晶体振荡器采用全自动化半导体工艺(芯片级),无气密性问题,永不停振.并且集成了温度补偿电路,全温度范围无温漂,-40-85℃全温保证;可支持1-800MHZ任一频点,精确致小数点后5位输出.可编程晶振国际标准QFN封装:7050503232252520晶振等.被广泛应用于钟表、数码产品、车载数码、手机、对讲机、数码相机、MID平板电脑,光电技术等通讯设备及各种频率控制设备.

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然而,当我们谈论它们提供的便利时,有一个挑战悄然隐现。便携式电子设备石英晶振需要精确的尺寸和性能。需要紧凑、可靠的组件。想象一下你的智能手机突然变得和台式电脑一样大——不是你想象中的“便携式”设备,对吗?
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