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KDS晶振,贴片晶振,DSS753SVD晶振,打印机用晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSS753SVD晶振,打印机用晶振频率:12-168MHz尺寸:7.3*4.9*1.5mm

1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一

KDS晶振,贴片晶振,DSS753SVC晶振,扫描仪用晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSS753SVC晶振,扫描仪用晶振频率:12-168MHz尺寸:7.3*4.9*1.5mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。

KDS晶振,贴片晶振,DSO1612AR晶振,小体积1612车载晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO1612AR晶振,小体积1612车载晶振频率:0.584375-80MHZ尺寸:1.6*1.2*0.5mm

小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。

KDS晶振,贴片晶振,DSO751SR晶振,高性能7050晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO751SR晶振,高性能7050晶振频率:0.2-167MHZ尺寸:7.3*4.9*1.5mm

其产品晶体晶片采用了真空退火技术:高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性,提高产品的年老化特性。

KDS晶振,贴片晶振,DSO531SR晶振,AT切石英晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO531SR晶振,AT切石英晶振频率:0.2-167MHZ尺寸:5.0*3.2*1.1mm

贴片晶振采用了多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的附着力增强,频率更加集中,那么如何把晶片能控制在1000ppm之内呢。

KDS晶振,贴片晶振,DSO321SR晶振,低电压有源晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO321SR晶振,低电压有源晶振频率:0.2-167MHZ尺寸:3.2*2.5*1.1mm

小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SR晶振,低消耗晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SR晶振,低消耗晶振频率:0.2-167MHZ尺寸:2.5*2.0*0.815mm

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SHF晶振,WiLAN用石英晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SHF晶振,WiLAN用石英晶振频率:1.5-60MHZ尺寸:2.5*2.0*0.8mm

晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性.

KDS晶振,贴片晶振,DSO321SW晶振,3225有源晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO321SW晶振,3225有源晶振频率:3.25-60MHZ尺寸:3.2*2.5*0.9mm

3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SW晶振,PLC晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SW晶振,PLC晶振频率:3.25-60MHZ尺寸:2.5*2.0*0.8mm

石英振荡器,OSC应用:无线通信,智能手机,平板笔记本,计算机,全球GPS定位系统,WLAN网络产品等.VC-TCXO应用:智能手机晶体,无线基站,精密仪器,GPS卫星,汽车应用等晶体滤波器应用无线收发器,智能手机,无线网络发射,GPS全球定位等等.

KDS晶振,贴片晶振,DSO213AW晶振,小体积车载有源晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO213AW晶振,小体积车载有源晶振频率:3.25-60MHZ尺寸:2.0*1.6*0.53mm

2016mm体积的有源晶振(OSC晶振,是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身标准的石英晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能

KDS晶振,贴片晶振,DSO211AR晶振,消费类电子产品晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO211AR晶振,消费类电子产品晶振频率:0.4-80MHZ尺寸:2.0*1.6*0.72mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型ICTSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

KDS晶振,贴片晶振,DSO321SN晶振,电脑晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO321SN晶振,电脑晶振频率:1.5625-100MHZ尺寸:3.2*2.5*1.1mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SN晶振,无线石英晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SN晶振,无线石英晶振频率:1.5625-100MHZ尺寸:2.5*2.0*0.815mm

我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。

KDS晶振,贴片晶振,DSO211AN晶振,USB晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO211AN晶振,USB晶振频率:9.6-80MHZ尺寸:2.0*1.6*0.72mm

2016mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.

KDS晶振,贴片晶振,DSO321SH晶振,PC周边石英晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO321SH晶振,PC周边石英晶振频率:3.5-52MHZ尺寸:3.2*2.5*1.1mm

无论是3225mm尺寸或者是2520mm尺寸的贴片石英晶振,内部的石英晶片,研磨镀层等技术,均需要采用机器设备运行,那么尺寸如此之小的晶体内部的晶片又是怎样处理的呢?首先,通过滚筒倒边,主要是为了去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SH晶振,蓝牙模块晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO221SH晶振,蓝牙模块晶振频率:3.5-52MHZ尺寸:2.5*2.0*0.815mm

随着科技数码产品的小型化发展,晶体元件的尺寸也从最初的插件庞大体积演变成目前的多种规格SMD小尺寸趋势,目前晶体内部的石英晶片已经达到了+-0.002mm以内了,由于很多晶振厂家在生产小尺寸时所产生的问题,晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致晶片不能正常工作

KDS晶振,贴片晶振,DSO211AH晶振,无线蓝牙晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO211AH晶振,无线蓝牙晶振频率:1.2-80MHZ尺寸:2.0*1.6*0.72mm

超小型石英晶片的设计:石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00mm内,由于晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,研发及生产超小型石英晶体元器件完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通过理论与实践相结合,模拟出一整套此晶片设计的计算机程序,该程序晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果。超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.

KDS晶振,贴片晶振,DSO751SVN晶振,SPXO晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO751SVN晶振,SPXO晶振频率:0.7-90MHZ尺寸:7.3*4.9*1.5mm

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

KDS晶振,贴片晶振,DSO751SBN晶振,日产有源晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSO751SBN晶振,日产有源晶振频率:0.7-90MHZ尺寸:7.3*4.9*1.5mm

那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢?产品的电极对于晶体来讲,主要是,改变频率,往外引出电极,改变阻抗,去掉杂波,贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别,各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变,因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。

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爱普生晶振新推出差分输出晶体振荡器

爱普生晶振新推出差分输出晶体振荡器

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日本精工爱普生晶振公司成立于19425,迄今为止已经成了晶振行业较出名的进口晶振品牌,日本爱普生晶振,KDS大真空晶振,SEIKO精工晶振,KYOCERA晶振,NDK晶振均是日系较大晶振品牌供应商.市场竞争力比较大,各大进口晶振品牌制造商也不断的研发生产新产品

Japan Seiko Epson Crystal Co., Ltd. was established in May 1942. So far, it has become a well-known imported crystal brand in the crystal industry. Japan Epson crystal oscillator, KDS large vacuum crystal oscillator,Seiko crystaloscillator, KYOCERA crystal oscillator, NDK crystal oscillator are Japanese large crystal oscillators. Brand suppliers. The market competitiveness is relatively large, and the major imported crystal brand manufacturers are constantly developing and producing new products.

爱普生晶振广告图1

就在2014326,爱普生晶振公司推出SG7050EBN晶振.这款石英晶体振荡器型号是下一代的差分输出晶振(差分信号手于高频时钟和数据信号,以实现良好的信号完整性和高抗噪性.:高精度,高温度,低抖动,低功耗).可实现极低的相位抖动(时钟周期之前的波动,这可能导致数据传输期间的们错误).

On March 26, 2014, Epson Crystal Corporation introduced the SG7050EBN crystal. This quartz crystal oscillator model is the next generation of differential output crystal (differential signal hands on high frequency clock and data signals for good signal integrity and High noise immunity. For example: high precision, high temperature, low jitter, low power consumption. It can achieve extremely low phase jitter (fluctuations before the clock cycle, which may cause errors during data transmission).

SG7050EBN晶振的频率范围在100~175MHZ之间,可以实现65fs的相位抖动.些性能适用于数据中心和中心局使用的1040100千兆位以太网互连.SG7050EBN晶振将用于有线网络设备使用,包括运营商和企业,如高端路由器和交换机.

The SG7050EBN crystal has a frequency range of 100 to 175 MHz and can achieve phase jitter of 65 fs. These features are suitable for 1040 and 100 Gigabit Ethernet interconnections used in data centers and central offices. The SG7050EBN crystal oscillator will be used for wired network equipment. , including operators and enterprises, such as high-end routers and switches.

APS-1 SG7050EBN采用专为低噪声设计的振荡器IC和采用爱普生专用QMEMS(QMEMS结合了石英”,一种具有出色稳定性和精度的压电晶体材料,以采用微制造技术设计的”MEMS”微机系统.结合了MEMS技术的优势和石英材料的基本优势.也是精工爱普生晶振公司注册的商标)工艺制造的高频基波(HFF)AT切晶体(HFF晶体单元是通过光刻工艺蚀刻成倒置台面形状并以高基频振荡的晶体芯片).实现65fs相位抖动.爱普生的HFF晶体技术比传统的三次谐波晶体更加可靠.爱普生晶振公司后续也打算通过逐步发布支持HCSLLVDS输出标准的新产品来解决网络设备中使用的各种差分输出格式.EPSON晶振致力于提高客户的设计自由度,采用高度紧凑的5032(5.0*3.2*1.0mm)封装.

The SG7050EBN uses an oscillator IC designed for low noise and a QMEMS (QMEMS combined with quartz), a piezoelectric crystal material with excellent stability and precision, and a "MEMS" microcomputer system designed with micro-fabrication technology. Combines the advantages of MEMS technology with the basic advantages of quartz materials. It is also a trademark of Seiko Epson Crystal Co., Ltd.) Processed high-frequency fundamental (HFF) AT-cut crystal (HFF crystal unit is etched into an inverted mesa shape by photolithography and High-frequency oscillation crystal chip). Realize 65fs phase jitter. Epson's HFF crystal technology is more reliable than traditional third-harmonic crystal. Epson Crystal's follow-up is also intended to solve network equipment by gradually releasing new products supporting HCSL and LVDS standards. Various differential output formats used in the EPSON crystal oscillator are dedicated to improving the customer's design freedom in a highly compact 5032 (5.0*3.2*1.0mm) package.

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