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Silicon的8位MCU系列新成员EFM8BB50

2024-03-08 08:09:09 

Silicon的8位MCU系列新成员EFM8BB50
Silicon介绍EFM8BB50:我们8位MCU系列的新成员
在Silicon Labs,我们致力于为嵌入式开发提供简单且经济高效的解决方案。这就是为什么我们很高兴地宣布将EFM8BB50加入我们的EFM8BB58位微控制器(MCU)产品组合。EFM8BB5系列石英晶振针对小尺寸、低成本应用进行了优化,无需增加32位解决方案的复杂性或成本。对于寻求简单解决方案来应对嵌入式开发中日益增加的复杂性的设计人员来说,8位MCU是一个重要工具。当其他MCU制造商正在推动这些设计人员采用32位解决方案时,Silicon Labs正在投资我们的8位微控制器产品组合,以将该工具保留在工程师的工具箱中。

Silicon介绍EFM8BB50

EFM8BB5系列基于久经考验的C8051内核构建,该内核自问世以来一直是Silicon Labs 8位MCU产品的主要组成部分。BB5系列包括三种型号:BB50、BB51和BB52。每个变体都有一个解决方案来满足大多数应用需求。
BB50是最小的选择,封装小至2mm x 2mm,同时提供9个GPIOs。
BB51和BB52在稍大的3mmx3mm贴片晶振封装中为用户提供了灵活性,同时增加了更多外设选项和模拟功能。
与市场上目前存在的一些低端Cortex-M0+MCU相比,BB52填补了市场上急需的空白,提供了高性能、高性价比的解决方案。

然而,我们确实意识到有些事情8位MCU不像他们那样适合32位微控制器同行。过去,希望从8位解决方案迁移到32位解决方案的设计人员需要学习一套全新的工具集,并有可能放弃现有的8位代码库来实现这一转变。硅实验室简约工作室套件,我们大大简化了这一过程。Simplicity Studio支持EFM8系列8位MCU、EFM32系列32位MCU,甚至我们的EFR32系列无线SOC。这种单一平台解决方案消除了设计过程中不必要的复杂性,使设计师能够将时间和精力集中在产品开发上,而不是适应新的开发环境,从而缩短开发周期并加快上市时间。

EFM8BB50是宽电源5V Busy Bee系列MCU的一部分,是一种多用途的8位微控制器系列,具有小封装的全面功能。这些设备通过将先进的模拟和通信外围设备集成到小封装中,提供了高价值,是空间受限应用的理想选择。EFM8BB50系列晶体振荡器具有高效的8051内核、5V I/O、精确模拟和增强的脉宽调制,也是嵌入式应用的最佳选择。

主要特点:•流水线8位C8051核心,最大工作频率为50MHz,•最多12个多功能、5V输入/输出,•1 x 12位模数转换器,•集成温度传感器,•带PWM的3通道PCA,•3通道PWM引擎,•4 x 16位定时器,•2 x 8位定时器,•UART,•SMBus/I2C,•带4字节FIFO的SPI
•优先级横杆,实现灵活的引脚映射,•4个可配置逻辑单元,•小至2x2mm的QFN封装

EFM8BB50应用程序包括以下内容:•LED/照明控制,•工业自动化,•消费电子产品,•电机控制,•电动工具,•电器,•玩具,•个人卫生用品,•电池组,•光学模块

EFM8BB50贴片晶振设备具有片上电源复位、电压电源监视器、看门狗定时器和时钟振荡器,是真正独立的片上系统解决方案。闪存可在电路中重新编程,提供非易失性数据存储,并允许固件的现场升级。片上调试接口(C2)允许使用安装在最终应用程序中的生产MCU进行非侵入性(不使用片上资源)、全速的电路内调试。此调试逻辑支持检查和修改内存和寄存器、设置断点、单步执行以及运行和停止命令。所有模拟和数字外围设备在调试时功能齐全。每个器件都指定为1.8到5.5V。器件采用16引脚QFN、16引脚SOIC和12引脚QFN封装。所有封装选项均为无铅且符合RoHS标准。

Silicon介绍EFM8BB50产品

在32位EFM和EFR系列中,Silicon Labs正在进一步简化需要非连接和连接产品的产品开发。EFM32和EFR32器件提供代码和封装兼容平台,允许单一代码库支持多个产品系列。我们的系列2设备通过common进一步提升了平台通用性AI/ML和安全子系统。
在安全方面,设计师可以为联网和非联网产品保持单一的安全方案,而不会受到影响。随着AI/ML越来越接近边缘,这种智能的用例数量继续呈爆炸式增长。公司正在投入时间和精力开发算法和模型来解决这些用例,但这些算法可能无法在芯片组之间转移。然而,EFM32和EFR32器件之间的通用AI/ML子系统消除了这一障碍,并允许在不增加复杂性的情况下更广泛地采用边缘智能。

原厂代码 品牌 型号 频率 有源晶振
510BBA156M250BAGR Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V
511FBA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V
511BBA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
511BBA148M500BAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V
511ABA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V
511BBA200M000BAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V
530FB125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 2.5V
531BB125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 3.3V
530BB125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V
531FB200M000DG Silicon晶振 Si531 200MHz 2.5V
530FB200M000DG Silicon晶振 Si530 200MHz 2.5V
530BC156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V
531FC250M000DG Silicon晶振 Si531 250MHz 2.5V
511BBA100M000BAG 石英晶体振荡器 Si511 100MHz 3.3V
510BBA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V
511BBA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V
511ABA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
511BBA000110BAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V
511BBA148M500AAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V
511FBA200M000BAG Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V
510BBA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V
511FBA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V
511ABA25M0000BAG Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V
511FCA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V
511BCA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
530BA125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V
531FB125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V

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