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- [行业新闻]NSK Ceramic Resonator2019年03月07日 10:27
台湾NSK晶振公司不仅生产石英晶振,石英晶体谐振器,晶体振荡器,温补晶振,压控晶体,还生产陶瓷谐振器(Ceramic Resonator),陶瓷滤波器(Ceramic Filter),ZTA陶瓷晶振,ZTT陶瓷晶振,3.58M,6M,4M,8M,16M,24M,27M频率均有现货供应.ZTA晶振可从低频1M到50MHZ,主要应用于电视遥控器,风扇遥控器,USB,鼠标等产品.
NRA ZTA/ MG, MT, MX DIP 1.8 MHz to 50.0 MHz 10.0*5.0*10.0 
NRE ZTTCV MT, MX SMD 8.0 to 50 MHz 3.7*3.1*1.2
NRE ZTTCS MT, MX SMD 7.0 to 50 MHz 4.7*4.1*1.6
NRE ZTTCC MG SMD 2 to 6.99 MHz 7.4*3.4*1.8
NRD ZTACV MT, MX SMD 8.0 to 50 MHz 3.7*3.1*1.2
NRD ZTACS MT, MX SMD 7.0 to 50 MHz 4.7*4.1*1.6
NRD ZTACC MG SMD 2.0 to 6.99 MHz 7.4*3.4*1.8
NRT ZTT/ MG, MT, MX DIP 1.8 MHz to 50 MHz 10.0*5.0*10.0
NSK Ceramic Filter
陶瓷滤波器LT4.5MB,LT5.5MB,LT6.5MB可以免提提供样品测试,陶瓷滤波器主要应用于TV/VCR产品等.L10.7M陶瓷滤波器均可在线供应.
NRF LT4.5MB DIP 4.43MHz to 6.5MHz 5*3.2
NRF LTCA/CV SMD 10.7MHz 6.9*2.9*1.5
NRF JT4.5MD DIP 4.5MHz to 6.5MHz 9.0*5.0*10.0
NRF JT4.5MC DIP 4.5MHz to 6.5MHz 9.0*5.0*10.0
NRF JT10.7M SMD 10.7MHz 9.0*5.0*7.0
Taiwan NSK Crystal Co., Ltd. not only produces quartz crystal oscillator, quartz crystal resonator, crystal oscillator, temperature-compensated crystal oscillator, voltage-controlled crystal, but also ceramic resonator (Ceramic Resonator), ceramic filter (Ceramic Filter), ZTA ceramic crystal, ZTT ceramic. Crystal oscillator, 3.58M, 6M, 4M, 8M, 16M, 24M, 27M frequency are available from stock. ZTA crystal oscillator can be used from low frequency 1M to 50MHZ, mainly used in TV remote control, fan remote control, USB, mouse and other products.
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- [行业新闻]NSK OSCILLATOR数据表2019年03月06日 10:04
- 台湾NSK津绽晶振公司成立于1996年的9月份。成立之后的NSK晶振公司将全部精力投入到石英晶体振荡器，陶瓷滤波器，石英晶体，TCXO振荡器，差分晶振等产品的生产中。NADD 75晶振属于石英晶体振荡器中的一种，也是振荡器里的“贵族”。是差分晶体系列的一员。LVDS输出范围，频率也可以从77.76MHZ到622.08MHZ的高频中。大气化的尺寸7*5*1.9mm可放在任意高端产品中，NADD 75晶振在任何电路板中都显得格外的高端。
NAOD 75 CMOS 1.0 to 125.0 MHz 7*5*1.6
NAOH 53 CMOS 1.0 to 125.0 MHz 5*3.2*1.3
NAOK 32 CMOS 2.0 to 54.0 MHz 3.2*2.5*1.2
NAOL 22 CMOS 2.0 to 50 MHz 2*2.5*0.95
NADD 75
LVDS 77.76 MHz ~ 622.08 MHz 7*5*1.9
NAPD 75
LVPECL 75 MHz ~ 622.08 MHz 7*5*1.9
NAVD-6 CMOS 1.0 MHz to 52.0 MHz 7*5*1.8
NAVH-6 CMOS 12MHz ~ 35.328MHz 5*3.2*1.5
NAOD 75 CMOS 32.768 KHz 7*5*1.6
NAOH 53 CMOS 32.768 KHz 5*3.2*1.5
NAOK 32 CMOS 32.768 KHz 3.2*2.5*1.2
NAON 21
CMOS 2.0 to 50 MHz 2.05*1.65*0.75
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- [技术支持]低相位噪声低成本定时解决方案2019年01月07日 09:47
当前最先进的通信电路,例如：
•μWave频率上变频器
•点对点μWave回程
•卫星调制解调器
•高端网络
•测试和测量设备
都有一个共同点;极低的相位噪声频率参考.从历史上看,为了达到这种水平的相位噪声,振荡器制造商依靠SC-Cut晶振或第5或第7泛音AT-Cut晶体作为参考振荡器解决方案.
前者产生的OCXO体积庞大,功耗过大而且相当昂贵.后者实施起来很复杂,频率提供有限,并且抑制了系统自动校正老化和温度漂移的能力.
解决成本,尺寸,功率,频率稳定性和长期老化校正的综合挑战;Abracon开发了ABLNO系列VCXO晶振,具有出色的相位噪声特性,采用9x14mm封装.
提供50.0MHz和156.25MHz之间的十五个标准频率;这些器件为设计人员提供了全面的参考时序选择.此外,如果系统要求不能使用电压可控振荡器,ABLNO系列可提供固定时钟配置.
图(1)示出了50MHz载波处的典型相位噪声,而图(2)和(3)分别表示100MHz和156.25MHz载波处的典型相位噪声.表(1)总结了在这些载波上配置为VCXO振荡器的ABLNO系列的典型相位噪声性能,而表(2)表示绝对最差情况下的相位噪声特性.
表格1)
典型的相位噪声性能
表(2)
最差情况保证相位噪声性能
ABLNO系列采用经过特殊处理的第3版Overtone,AT-Strip石英晶体设计,采用各种处理技术进行优化,可在温度范围内提供极高的无负载“Q”和频率稳定性.这些晶体和振荡器电路的组合设计具有同类最佳的相位噪声作为主要目标;在载波的12kHz至20MHz的最佳带宽范围内产生了极低的均方根抖动.
表3)
ABLNO系列rms抖动
为了确保出色的相位噪声性能,ABLNO系列不仅满足上述设计的性能参数,而且Abracon还对100％的产品进行了相位噪声和均方根抖动兼容性的室温测试.
如前所述,Abracon已经制定了专有的Quartz-Blank处理技术,以显着降低这些器件的频率与温度误差.通常,相对于25ºC下的测量频率,ABLNO系列器件的误差小于±12ppm(最大值为±18ppm).在-40ºC至+85ºC的工作温度范围内可确保稳定性,如下图(4)所示.
此外,这些器件在10年的产品寿命期间保证比±7ppm的老化更好.为了在此期间实现频率校正能力,VCXO配置中保证了±28ppm的最小频率牵引能力,见图(5).
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- [技术支持]TCXO温度补偿振荡器如何实现功能2018年12月24日 14:16
当需要标准XO(晶体振荡器)或VCXO(压控晶体振荡器)无法达到的温度稳定性时,TCXO是必需的.
温度稳定性是振荡器频率随温度变化的量度,并且以两种方式定义.一种常见的方法是使用“加/减”规格(例如：±0.28ppm对比工作温度范围,参考25°C-温度范围通常为-40至85°C或-20至70°C).该规范告诉我们,如果我们将25°C的频率设为标称频率,则器件频率将偏离或低于该标称频率不超过0.28ppm.这与指定温度稳定性的第二种方式不同,即使用峰峰值或仅使用没有参考点的正/负值.在第二种情况下,我们不能说我们知道频率会高于或低于频率将会发生多大变化-只是我们知道总的范围是多少.通常,使用来自定义的参考点的正负值来指定设备.
TCXO晶振对工程师非常有用,因为它们可以在比电路板上具有相同功耗和占用空间的标准VCXO更好的温度稳定性的10倍到40倍之间使用.TCXO弥合了标准XO或VCXO与OCXO之间的差距,这些差距更高,需要更多功率才能运行.推动技术的目标是降低功耗,当然还要降低成本,因此TCXO为功耗和成本敏感的应用提供了良好的中端解决方案.
Figure1.TheTemperatureStabilityrangesofvariousoscillatortypes
图1是不同振荡器类型的典型温度稳定性的示意图,范围从标准VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.轴反转使得曲线在增加温度稳定性的方向上增长.TCXO稳定性范围涵盖VCXO和OCXO之间的中间位置(在某些情况下,重叠某些OCXO性能).
TCXO晶振温度稳定性水平(从5ppm到50ppb)通常是必要的,因为振荡器将独立工作,无论是在没有外部频率参考的系统中的自由运行模式,还是作为固定频率参考TCXO在开环中工作的合成器,用于驱动DDS(直接数字合成),而DDS而不是TCXO被“锁定”到外部参考.
后一种情况(TCXO是开环,频率在DDS设置)正变得越来越普遍,因为设计人员发现使用DDS解决方案可以通过使用数模转换器控制TCXO来实现更好的频率分辨率.由于转向是在DDS而不是振荡器中完成的,因此设计人员需要能够对固定基准的频率如何随温度变化做出某些假设,以便他们可以相应地规划锁相环的设计.由于灵活性,它们允许TCXO用于许多频率控制应用,但一个重要领域是小型蜂窝基站(毫微微,微型和微微),通常它们被用作定时分配芯片的固定频率源.
TCXO温度补偿晶振如何运作
在非常基本的术语中,TCXO通过采用温度补偿网络来操作,该网络感测环境温度并将晶体拉至其标称值.基本振荡器电路和输出级与VCXO中的预期相同.
图2是简化的TCXO功能框图.
图2.TCXO功能块
这个想法是补偿网络驱动牵引网络,然后调整振荡器的频率.
图3是发生了什么的概述-未补偿的晶振频率响应温度(红色)就像一个三阶多项式曲线(如果你采用振荡器非线性效果,更像是第五个),所以目标是补偿网络是为了抵消温度对晶体的影响而产生的电压是有效的关于晶体曲线温度轴的镜像.补偿电压显示为蓝色,得到的频率/温度曲线以绿色显示.
图3.温度补偿
实现这一目标的方法随着时间而改变.使用的第一种方法之一是直接补偿技术,其中使用热敏电阻,电容器和电阻器网络来直接控制振荡器的频率.温度的变化导致热敏电阻(图4中的RT1和RT2)发生变化,这会导致网络的等效串联电容发生变化-这反过来会改变晶体上的电容负载,从而导致频率的变化.振荡器.
图4.直接补偿
在随后的开发中(图5中所示的间接补偿),热敏电阻(RT1至RT3)和电阻(R1至R3)的网络用于产生与温度相关的电压.对网络的输出电压进行滤波,然后用于驱动变容二极管,该变容二极管改变晶振上的负载,再次导致频率变化.
图5间接补偿
目前的方法将补偿网络和拉网络集成到一个集成电路中(如图6所示),补偿网络的作用由一组运算放大器组成,这些运算放大器在一起产生温度上的3阶或5阶函数.与间接补偿方法一样,该电压用于驱动变容二极管,这反过来又改变了振荡器的输出频率.由于晶体特性的变化意味着没有“一刀切”的功能,因此在TCXO的温度测试期间得出了解决方案.两个电容器阵列用于将室温下的频率调节到标称值,然后在测试期间获得温度补偿功能所需的设置并存储在片上存储器中.
图6综合补偿
最后一种方法通常被称为“数字控制模拟补偿”,并且在小型TCXO设计中常见,因为可以在单个ASIC中提供大量功能.
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- [技术支持]什么是差分晶振的相位噪声2018年12月17日 14:17
诸如晶体振荡器之类的信号源在输出频率附近产生一小部分不希望的能量（相位噪声）。 随着通信和雷达等系统性能的提高，它们采用的晶体振荡器的频谱纯度越来越重要。
在频域中测量相位噪声，并且表示为在与期望信号的给定偏移处的1Hz带宽中测量的信号功率与噪声功率的比率。在所需信号的各种偏移处的响应图通常由对应于振荡器中的三个主要噪声产生机制的三个不同斜率组成，如图1所示。相对靠近载波（区域A）的噪声称为闪烁FM噪声;其大小主要取决于晶体的质量。 最佳近距离噪声结果是在4-6 MHz范围内使用5次泛音AT切割晶体或第3次泛音SC切割晶体获得的。虽然平均效果不是很好，但使用10 MHz区域中的3个泛音晶体也可以获得出色的近距离噪声性能，尤其是双旋转型（参见第41页，有关双旋转SC和IT切割晶体的讨论）。较高频率的晶体由于其较低的Q值和较宽的带宽而导致较高的近距噪声。
图1中B区的噪声称为“1 / F”噪声，是由半导体活动引起的。采用低噪声“L2”晶体振荡器的设计技术将其限制在非常低的，通常无关紧要的值。
图1的区域C称为白噪声或宽带噪声。 “L2”晶体振荡器中的特殊低噪声电路相对于标准设计提供了显着的改进（15-20 dB）。
当采用倍频从较低频率的石英晶体获得所需的输出频率时，输出信号的相位噪声增加20 log（倍增因子）。这导致整个电路板上的噪声降低大约为6 dB，用于倍频，10 dB用于频率三倍，20 dB用于十倍乘法。
如图2所示，对于不采用倍频的振荡器，本底噪声几乎与晶体频率无关。因此，对于低噪声地板应用，通常应使用满足长期稳定性要求的最高频率晶体。然而，当较高频率的应用特别需要最小的近端相位噪声时，较低频率的晶体通常可以成倍增加。这是因为近距离相位噪声比使用更高频率晶体获得的噪声性能更不成比例地好。
请注意，与固定频率非补偿晶体振荡器相比，TCXO和VCXO产品中常用的变容二极管和中等Q晶体的引入导致较差的近距离噪声性能。
相位噪声测试
相位噪声测试通过确定在指定输出频率下由振荡器传递的所需能量与在相邻频率传递的不需要的能量的比率来表征振荡器的输出频谱纯度。 该比率通常表示为在来自载波的各种偏移频率下执行的一系列功率测量。功率测量被标准化为1Hz带宽并且相对于载波功率电平表示。 这是NIST技术说明1337中描述的标准相位波动测量，称为l（f）。
图3示出了由NIST建议并由Vectron晶振用于测量l（f）的方法的框图。来自两个相同标称频率的振荡器的信号被施加到混频器输入。除非振荡器具有出色的稳定性，否则一个振荡器必须具有用于锁相的电子调谐。非常窄的频带锁相环（PLL）用于在这两个源之间保持90度的相位差。混频器操作使得当输入信号异相90度（正交）时，混频器的输出是与两个振荡器之间的相位差成比例的小波动电压。通过在频谱分析仪上检查该误差信号的频谱，可以测量这对振荡器的相位噪声性能。如果一个振荡器的噪声占主导地位，则直接测量其相位噪声。当两个测试振荡器电气相似时，有用且实用的近似是每个振荡器贡献测量噪声功率的一半。当三个或更多个振荡器可用于测试时，可以通过求解表示从振荡器对的置换测量的数据的联立方程来精确地计算每个振荡器的相位噪声。
图4显示了实际的l（f）测量系统。 使用该系统测量相位噪声的步骤如下：
1.频谱分析仪屏幕的校准。
2.Phase锁定振荡器并建立正交。
3.记录频谱分析仪读数并将读数标准化为每个振荡器的dBc / Hz SSB。
这些步骤详述如下。
第一步 - 校准
为避免混频器饱和，一个振荡器的信号电平会被10 dB衰减（衰减器“A”）永久衰减。在校准期间，此振荡器的电平额外衰减80 dB（衰减“B”），以改善频谱分析仪的动态范围。振荡器在频率上是机械偏移的，并且所得到的低频差拍信号的幅度表示-80dB的水平;它是所有后续测量的参考。使用扫频分析仪时，此电平调整到频谱分析仪屏幕的顶行。使用数字（FFT）频谱分析仪时，仪器经过校准，可读取相对于此电平的RMS VOLTS /√Hz。当完全电平恢复到混频器并且振荡器被锁相时，将相对于-80dB电平测量相位噪声。
第二步 - 锁相
通过将振荡器机械地调节到相同的频率，振荡器被锁相到正交。当混频器输出为0 Vdc时，指示两个振荡器之间所需的90度相位差。临时连接到频谱分析仪的示波器或零中心电压表是监测正交进度的便捷方式。 PLL的工作带宽必须远低于感兴趣的最低偏移频率，因为PLL部分地抑制了其带宽中的相位噪声。广泛使用的建立适当环路带宽的经验方法是通过衰减器“C”逐步衰减电压控制反馈。通过在推进衰减器“C”的同时比较感兴趣的最低偏移频率处的连续噪声测量，可以找到操作点，其中测量的相位噪声不受衰减器设置的变化的影响。此时，环路带宽不是测量的相位噪声的因子。
第三步 - 读物
读数是根据先前在步骤1中建立的-80dB校准水平进行的。如果频谱分析仪配备齐全以避免测量变化，则使用平滑或平均。 扫描频谱分析仪读数通常需要进行以下每项校正，而以RMS /√Hz显示的数字分析仪读数不需要前两次校正。有关分析仪噪声响应的校正，应参考分析仪手册。
更正
归一化为1 Hz带宽“BW”是测量带宽。 计算假设为10 log10（1 / BW）
10 log10(1/BW)
测量带宽内的噪声是平坦的
扫频分析仪对噪声信号的视频响应。下+ 3dB
+3dB
双边带到单边带显示。-6dB
-6dB
两个振荡器的贡献假设它们具有相同的噪声质量-3dB
-3dB
- 阅读（343）
- [技术支持]CFS-206晶振与CFV-206晶振的区别2018年12月10日 09:47
CFS-20632768DZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768DZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768AZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768DZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振
日本西铁城株式会社主要以生产手表为中心,在多年的生产经营后西铁城公司便开始自主研发手表重要配件——石英晶振.石英晶振分KHZ晶振以及MHZ晶振.手表上使用居多的便是KHZ系列晶振.CM315D晶振,CM315DL晶振,CM315H晶振,CM315E晶振系列.3215封装是手表,手机等小型数码产品使用频率较为广泛.而早期全是CFS-206晶振的天下.
CFS-20632768DZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768EZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768EZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000AZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638400AZFB晶振CFV-206晶振38.4kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503DZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000DZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV-206100000AZFB晶振CFV-206晶振100kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640000AZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000DZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20665536AZFB晶振CFV-206晶振65.536kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20636000AZFB晶振CFV-206晶振36kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振
CFS-206晶振频率范围30KHZ~100KHZ,周波数偏差20~30ppm,正常情况下都是以20PPM为标准.工作温度-20~+70度.负载电容常用12.5PF,
CFS-20632768EZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振 CFV-20668500DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20668503DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640003DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660003DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV-20640000DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000AZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20676800AZFB晶振CFV-206晶振76.8kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20696000AZFB晶振CFV-206晶振96kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768HZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768HZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振7pF石英晶振
CFS-206晶振跟CFV-206晶振有点不一样的就是CFS-206晶振只有单独一个频率,就是32.768K,是所有KHZ系列晶振的标准频率.它不像CFV-206晶振,在30~100KHZ内可以订制.频率偏差也比较小,以20PPM为标准.15PPM,10PPM也是可以按照客户的需求来订制.
CFV-20675000BZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677500BZFB晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000AZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638000AZFB晶振CFV-206晶振38kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503AZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 60.005KAZF晶振CFV-206晶振60.005kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV206 76.790KAZF晶振CFV-206晶振76.79kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 76.810KAZF晶振CFV-206晶振76.81kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 77.500KAZF晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS206-32.768KDZBB晶振CFS206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF-UB晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 32.000KDZSB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振11pF石英晶振
- 阅读（243）
- [常见问题]爱普生新型号FC-135R晶振详细参数2018年11月24日 15:30
爱普生新款产品FC-135R晶振的研发问世让更多消费者们更加的青睐于爱普生晶振系列产品.FC-135R晶振研发,可以从以下参数可以知道FC-135R晶振的频率偏差相对来说是比FC-135晶振较稳定的.频率偏差都是在10PPM与20PPM范围内,而FC-135晶振频率偏差则在10ppm,20ppm,甚至30ppm范围中,并且ESR的阻值比FC-135R晶振的阻值大.
FC-135R晶振参数表
项目 符号 FC-135R晶振产品规格 条件 标称频率范围 f_nom 32.768 kHz 32 kHz至77.5 kHz 请联系我们获取相应的频率。 储存温度 T_stg -55°C至+ 125°C 保存为单个项目 工作温度 T_use -40°C至+ 85°C（+ 105°C） 请联系我们+ 85°C 激励程度 D L 0.5μW（最大1.0μW） 最大1.0μW。如有疑问，请联系我们。 频率容差偏差
（标准）f_tol ±20×10 -6 + 25°C，D L =0.1μW
请咨询高精度产品。顶点温度 钛 + 25°C±5°C 二次温度系数 乙 -0.04×10 -6 /°C 2最大 负载能力 C L 7 pF，9 pF，12.5 pF 请注明 串联电阻 R 1 最大70kΩ 70kΩ至45kΩ 系列容量 C 1 3.4 fF Typ。 3.7 fF至1.6 fF 并行容量 C 0 1.0 pF Typ。 1.3 pF至0.5 pF 频率老化 f_age ±3×10 -6 /年最大 + 25°C，第一年 以下是FC-135R晶振详细参数的编码,一个编码内部有指定相对应的频率,尺寸,负载电容,频率偏差,工作温度,ESR阻值等其它参数.
FC-135R晶振详细参数对应编码表
晶振型号编码 尺寸(长宽高) 型号 频率 负载电容 频率偏差 工作温度 ESR阻值 驱动电平[最大] 周转温度 二次温度系数 年老化率@+25C[Max] 端子电镀 X1A000141000100 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 7 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000200 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 9 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000300 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 12.5 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000400 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 9 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000500 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 12.5 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000600 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 6 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141001100 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 7 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141001500 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 6 pF +/-15.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141001600 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 6 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141001900 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 12 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ FC-135晶振参数表
项目 符号 FC-135晶振产品规格 条件 标称频率范围 f_nom 32.768 kHz 请联系我们获取相应的频率。 储存温度 T_stg -55°C至+ 125°C 保存为单个项目 工作温度 T_use -40°C至+ 85°C（+ 105°C） 请联系我们+ 85°C 激励程度 D L 0.5μW（最大1.0μW） 最大1.0μW。如有疑问，请联系我们。 频率容差偏差
（标准）f_tol ±20×10 -6 + 25°C，D L =0.1μW
请咨询高精度产品。顶点温度 钛 + 25°C±5°C 二次温度系数 乙 -0.04×10 -6 /°C 2最大 负载能力 C L 7 pF，9 pF，12.5 pF 请注明 串联电阻 R 1 最大50kΩ 系列容量 C 1 3.4 fF Typ。 并行容量 C 0 1.1 pF Typ。 频率老化 f_age ±3×10 -6 /年最大 + 25°C，第一年 FC-135晶振详细参数对应编码表
LxWxH/尺寸 Model/型号 编码 Frequency/频率 CL Value/负载 Freq.tol./频率 @+25°C Oper. Temper. Range/工作温度 ESR[MAX] 等效串联电阻 Drive Level[Max]驱动电平 Tumover Temperature
拐点温度
Parabolic Coefficient
频率温度系数
Freq.Aging@+25C[Max]
频率老化
Terminal Plating
端子电镀
3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000100 32.768000 kHz 7 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000200 32.768000 kHz 7 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000300 32.768000 kHz 9 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000400 32.768000 kHz 12.5 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000500 32.768000 kHz 12.5 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000600 32.768000 kHz 9 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000800 32.768000 kHz 9 pF +/-30.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000900 32.768000 kHz 9 pF +/-8.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001000 32.768000 kHz 15 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001100 32.768000 kHz 12 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001200 32.768000 kHz 8 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001300 32.768000 kHz 10 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001700 32.768000 kHz 12.5 pF +/-30.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001900 32.768000 kHz 12.5 pF -18.0/+22.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350004900 32.768000 kHz 6 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350005700 32.768000 kHz 10 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350006000 32.768000 kHz 6 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350006100 32.768000 kHz 6.5 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350006300 32.768000 kHz 18 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 爱普生FC-135R晶振与FC-135晶振的尺寸大小还是一样的,只是内部的参数有所调整,不仅是从ESR阻值上或者是从频率偏差上有所改善.现在的客户都追求完美,对石英晶振产品的质量也是一样的,只要可以稍稍提高一丁点的准确度,而且保证自身产品正常运行的情况下客户还是原意去使用新产品的.
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- [行业新闻]Transko crystal特兰斯科晶振VCXO振荡器型号列表2018年07月07日 09:14
- Transko Crystal Electronics,Inc.公司成立于1992年,总部位于美国加利福尼亚州阿纳海姆.与其它晶振公司不同的是,Transko Crystal是ISO 9001认证的频率控制设备解决方案优质供应商.具有快速的交付能力,TCXO CRYSTAL能够在短短72小时内提供产品.同时特兰斯科晶振VCXO振荡器系列具有低损耗,低耗能,低抖动,低电压等功能.
Image Part No. RoHS/Reach Package Logic (Output) Supply Voltage(s) Frequency 
TSMV2
Compliant 2.5 X 2.0 Ceramic
4 PAD SMDHCMOS 3.3V 1.250MHz ~ 70.000MHz 
TV22A
Compliant 2.5 X 2.0 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL2.5V, 3.3V 10.000MHz ~1500.000MHz 
TSMV3
Compliant 3.2 X 2.5 Ceramic
4 PAD SMDHCMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V 1.250MHz ~ 55.000MHz 
TV32A
Compliant 3.2 X 2.5 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL2.5V, 3.3V 10.000MHz ~1500.000MHz 
TVL5
Compliant 5.0 X 3.2 Ceramic
6 PAD SMDLVDS 2.5V, 3.0V, 3.3V 0.750MHz ~ 800.000MHz 
TVP5
Compliant 5.0 X 3.2 Ceramic
6 PAD SMDLVPECL 2.5V, 3.0V, 3.3V 0.750MHz ~ 800.000MHz 
TSMV5
Compliant 5.0 X 3.2 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS 2.5V, 3.3V, 5.0V 1.000MHz ~200.000MHz 
TV53A
Compliant 5.0 X 3.2 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL2.5V, 3.3V 10.000MHz ~1500.000MHz
TVC5
Compliant 5.0 X 3.2 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL2.5V, 3.3V 74.1758MHz
74.250MHz
TVD5
Compliant 5.0 X 3.2 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL2.5V, 3.3V 148.3516MHz
148.500MHz
TVP
Compliant 7.0 X 5.0 Ceramic
6 PAD SMDLVDS
LVPECL2.5V, 2.8V, 3.3V 0.7500MHz ~ 800.000MHz 
TSMV
Compliant 7.0 X 5.0 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS 2.5V, 3.3V, 5.0V 0.100MHz ~ 200.000MHz
TV75A
Compliant 7.0 X 5.0 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL2.5V, 3.3V 10.000MHz ~1500.000MHz
TVC
Compliant 7.0 X 5.0 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL2.5V, 3.3V 74.1758MHz
74.250MHz
TVD
Compliant 7.0 X 5.0 Ceramic
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL2.5V, 3.3V 148.3516MHz
148.500MHz
TPV
Compliant 14.0 X 9.8 Plastic
4 PIN SMDHCMOS 3.3V, 5.0V 1.000 MHz ~ 200.000 MHz 
TSVC
Compliant 14.3 X 8.7 FR4 PCB
4 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL3.3V, 5.0V 0.001MHz ~800.000MHz
TSVD
Compliant 14.3 X 8.7 FR4 PCB
4 PAD SMDHCMOS 3.3V, 5.0V 1.000MHz ~800.000MHz
TSVE
Compliant 14.3 X 8.7 FR4 PCB
4 PAD SMDSINEWAVE 3.3V, 5.0V 100.000MHz ~ 125.000MHz 
TSVF
Compliant 14.3 X 8.7 FR4 PCB
6 PAD SMDHCMOS
LVDS
LVPECL3.3V, 5.0V 0.001MHz ~ 800.000MHz 
VCXO
Compliant 8PIN DIP / 14PIN DIP Through hole HCMOS
SINEWAVE3.3V, 5.0V 1KHz ~ 800.000MHz Transko Crystal Electronics, Inc. was founded in 1992 and is headquartered in Anaheim, California. Unlike other crystal oscillators, Transko Crystal is an ISO 9001 certified supplier of frequency control equipment solutions with fast delivery. Capability, TCXO CRYSTAL can provide products in as little as 72 hours. At the same time, Trancos crystal oscillator VCXO oscillator series has low loss, low energy consumption, low jitter, low voltage and other functions.
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- [行业新闻]石英晶体与高频晶体振荡器的区别2018年06月30日 09:41
具有传统结构的小型化晶体芯片（左图）减小了电极的面积（以红色表示）。
用H形槽结构制造芯片提供了更大的电极面积并提高了电解效率。这种设计使小型化晶体的CI值与普通晶体的CI值一样低（右图）。Miniaturizing crystal chips with a conventional structure (left image) reduces the area of the electrodes (indicated in red).
Fabricating the chips with an H-groove structure provides a larger electrode area and raises electrolytic efficiency. This design enables miniaturized crystal with CI values as low as those on ordinary-sized crystals (right image).
然而，使用QMEMS技术制造的晶体的CI值保持不变，与常规晶体的水平相当，即使晶体尺寸减小。
The CI value of a crystal fabricated using QMEMS technology, however, remains constant, at a level equivalent to that of conventional crystals, even as crystal size decreases.
HFF晶体单元/ HFF晶体振荡器（高频基波）
为了增加振荡器的频率，必须使芯片更薄，但是传统的处理方法对制造薄芯片施加了限制。
In order to increase the frequency of oscillators, it is necessary to make the chip thinner, but conventional processing methods imposed limitations on producing thin chips.
通过光刻仅处理芯片的振荡部分，能够在不损害晶体芯片强度的情况下实现高频基波，从而形成厚度仅为几微米的极薄的倒置台面结构。
A high-frequency fundamental was enabled without compromising crystal chip strength by photolithographically processing only the oscillating portion of the chip so as to form an extremely thin inverted-mesa structure having a thickness of only several microns.
基频高频振荡的优点
高频基波振荡有助于稳定高速大容量数据传输，因为可以抑制附近的高频分量。
High-frequency fundamental oscillation helps stabilize high-speed, high-volume data transmissions because nearby high-frequency components can be suppressed.
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- [行业新闻]常被人怀疑无人问津的西铁城晶振有怎样的过往历程2018年03月09日 15:35
昨天我们谈论了一下爱普生晶振产出的振荡器，今天我们要说的不是振荡器也不是爱普生晶振，而是那个总给人一种默默无声感觉的西铁城晶振。同样身为日本晶振品牌中的前四，EPSON爱普生晶振早在2010年就获得了全球晶振厂家排名NO.1；大真空KDS晶振虽然在排名上没有爱普生晶振轰动，但是KDS晶振却在我国做到了进口晶振销量排名中的NO.1；精工晶振也是一如既往的发挥着32.768K晶振的特长优势游刃有余的穿梭在各行各业中，偶偶也能听到它的一些新信息；但西铁城晶振就像没有存在感一样，每一个新接触晶振行业的朋友总是能很快的记住KDS晶振品牌，而后记住爱普生晶振和精工晶振这两个晶振品牌，至于西铁城晶振有时候连做销售的我客户要是没问起我都要把它给忘了。
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- [技术支持]亚陶1.8V有源晶振20PM系列FK1920010晶振编码对照表2017年12月19日 11:21
- 台湾百利通亚陶起初是Pericom集团的子公司, 成立于公元2000年7月,后来正式更名为「百利通亚陶科技股份有限公司」.亚陶晶振的英文名称为Diodes晶振, 主要以生产石英晶体,有源晶振,贴片晶振,压控振荡器,温补晶振,石英晶体谐振器等电子元件为主.
亚陶晶振凭借多年积累的经验以及自身的独特技术,所生产石英晶振迅速获得市场认可,为大陆知名企业所指定的石英晶振频率元件供应商.台湾亚陶晶振为计算,通讯与消费产品市场提供集成化连接,先进时频和信号完整性解决方案.自发展以来一直都在为各行各业提供高品质,多元化,小型化石英贴片晶振.
Diodes有源晶振具有1.8V~5V电源电压,具有低损耗,高温度等特点.精度范围从±10ppm~±50ppm高精度.具有使用可靠性高,起振快,高性能等特点.泰河电子所提供的亚陶1.8V有源晶振20PM系列FK1920010晶振编码对照表中包含32.768K晶振,26M/38.4M/19.2M/40M等常用频率.
列表中包括亚陶KD晶振,FN晶振,UJ晶振,KX晶振,UW晶振等型号,电压均为1.8V低电压,并且有2016mm,2520mm,3225mm,5032mm,7050mm等多种封装尺寸,满足小型智能产品的需求, ±20ppm高精度符合高端机械设备对于精度偏差的高精密要求.亚陶石英晶体振荡器被广泛用于无线基站,智能手机,精密仪器,无线通信,平板笔记本,GPS卫星,计算机,数码相机,智能家居,汽车电子等.
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- [行业新闻]美国ConnorWinfield晶振型号CWX813系列原厂代码2017年11月02日 09:35
美国ConnorWinfield晶振型号CWX813系列原厂代码.ConnorWinfield康纳温菲尔德晶振集团是一家以美国为基础的电子产品制造商.在1963年公司成立后,connor winfield主要专注于设计和制造基于石英的计时电路和振荡器,压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器,用于广泛的电子应用.在20世纪90年代,ConnorWinfield晶振扩展到其他产品领域,同时继续专注于其核心的时间根源.
原厂代码 品牌 型号 系列 频率 电压 CWX813-024.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 24MHz 3.3V CWX813-024.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 24MHz 3.3V CWX813-024.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 24MHz 3.3V CWX813-012.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 12MHz 3.3V CWX813-012.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 12MHz 3.3V CWX813-012.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 12MHz 3.3V CWX813-018.432M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 18.432MHz 3.3V CWX813-018.432M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 18.432MHz 3.3V CWX813-018.432M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 18.432MHz 3.3V CWX813-001.8432M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 1.8432MHz 3.3V CWX813-001.8432M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 1.8432MHz 3.3V CWX813-001.8432M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 1.8432MHz 3.3V CWX813-007.3728M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 7.3728MHz 3.3V CWX813-007.3728M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 7.3728MHz 3.3V CWX813-007.3728M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 7.3728MHz 3.3V CWX813-010.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 10MHz 3.3V CWX813-010.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 10MHz 3.3V CWX813-010.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 10MHz 3.3V CWX813-025.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 25MHz 3.3V CWX813-025.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 25MHz 3.3V CWX813-025.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 25MHz 3.3V CWX813-027.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 27MHz 3.3V CWX813-027.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 27MHz 3.3V CWX813-027.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 27MHz 3.3V CWX813-033.0M Connor-Winfield CWX813 XO (Standard) 33MHz 3.3V - 阅读（132）
- [行业新闻]Pletronics晶振公司发展历史2017年10月28日 10:01
美国Pletronics晶振成立于繁华的美国华盛顿,主要以石英晶体,石英晶体振荡器生产为主,1981年PLETRONICS晶振在韩国建立独资工厂,采用最先进的生产设备,及最专业的技术团队研发生产晶振.Pletronics Crystal已有30多年制造生产经验.所生产的产品使用范围广包括亚洲、欧洲和北美的制造业.Pletronics晶振公司拥有国际工程,物流和销售支持.产品设计创新,价格竞争有优势,订货交期时间短在业界具有较好的声誉.
PLETRONICS晶振公司发展历史
1979年,在美国华盛顿州成立了Pletronics公司,主营石英晶振,贴片晶振, 有源晶振,压控振荡器,（PXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器等.
1981年Pletronics晶振公司在韩国建立了一家独资工厂
1997年通过BSI实现了ISO 9001:1994,符合欧盟环保要求.
2000年卖掉了韩国工厂.转移到合同制造(铸造厂)
2001年在华盛顿制造的PECL和LVDS振荡器,使用FR4 PCB上的离散组件
2002年通过BSI实现了ISO 9001:2000,符合欧盟环保要求,开发出高频基本晶体
2003年Pletronics晶振公司在韩国和中国合资经营
2004年在5x7陶瓷中引入了较低成本的高频率PECL和LVDS振荡器,具有低抖动,低电源电压,低功耗等特点.
2005年第一个合成的PECL和LVDS振荡器106.25MHz和212.5MHz,高频率石英晶体振荡器具有高稳定性能,低功耗低抖动等特点.适用于高端精密设备中,比如高速光纤网络,北斗卫星等.
2006年介绍了我们的LVDS系列石英晶体振荡器,贴片晶振,有源晶振.
2007年合成振荡器的合资企业建立
2008年为新兴技术发布了重要的新产品,如超精密有源晶振,低损耗晶体振荡器等.
2009年发展过程和精密TCXO温补晶振,温补晶体振荡器的初步试生产
2010年引入OeXo®系列OCXO恒温晶体振荡器替代技术
2011年开发了LC振荡器技术,投入到各种高端智能设备,GPS卫星导航,无线电基站, 北斗卫星导航等领域应用.
2013年引入GypSync®TCXO模块
2014年引进100fs超低抖动的PECL / LVDS / HCSL J系列晶体振荡器, 北斗导航温补晶振,北斗GPS模块晶体振荡器
2015年推出了OeM8增强TCVCXO压控温补晶振,石英晶体振荡器,贴片晶振.
2016年引进了50fS超低抖动的PECL / LVDS K系列振荡器,石英晶体振荡器,贴片晶振, (TCXO)温补晶体振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）.
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- [行业新闻]盘点整理各大晶振品牌常用频率32M晶振型号2017年07月17日 14:29
近些年来,智能设备一不断的在发展,所需量已经达到了不可估计的数量.随着数量的增加,各大厂房也在不停的增加电子元器件的需求量.32M晶振在蓝牙,手机,汽车,电脑等智能产品上使用的频率颇为广泛.就光泰河电子自家生产的晶振年产量就能达到1KK.(这么多的产量也主要是靠高精度及质量高价格又优惠)较多使用的是2520晶振以及3225晶振这两个封装.不过还是有不少的厂商都是比较喜欢用进口晶振,主要是觊觎对品牌的依赖.下面整理了一些有关于32M进口晶振的料号.
有关于3225贴片晶振32M进口晶振型号.
CTS晶振 403C11E32M00000 403C11A32M00000
NDK晶振 NX3225SA-32M-EXS00A-02994 NX3225GA-32M-EXS00A-CG02611
ABRACON晶振 ABM8AIG-32.000MHZ-12-2Z-T3
PERICOM晶振 FL3200022
TAITIEN泰艺晶振 XXFPPLNANF-32.000000
TXC晶振 7M32000010-ND有关于2520贴片晶振32M进口晶振型号
CTS晶振 425F11A032M0000
NDK晶振 NX2520SA-32.000000MHZ
ABRACON晶振 ABM11AIG-32.000MHZ-4-T3
PERICOM晶振 FH3200011
TAITIEN晶振 XYCBBCNANF-32.000000
TXC晶振 8Z-32.000MAAE-T
大家都知道晶振对于电子产品的重要性,也从未敢忽视对于晶振的存放.切记,晶振也是属于易碎产品,不要放到太高处,以免自行提货会把晶振内部的芯片给摔坏.并且不要放在潮湿或者有太阳光直射的地方.这样容易造成晶振生锈或者老化.应包装好后放置于常温下保存.
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