Cardinal可编程振荡器系列优势CJAC3LZ-A7BP-100.0TS

Cardinal可编程晶体振荡器，其组件已经成为一种新的市场的领导者。可编程产品系列有几个优点，包括良好的抖动 性能、紧密的稳定性和高频率范围。这些振荡器有多种型号适合各种设计要求的包装尺寸。

晶体振荡器设计采用不同的方法，每种方法都有自己的优点缺点。基本振动的振荡器模式非常适合抖动敏感设计，但是他们在达到更高频率时面临限制由于晶体的厚度。另一方面， 第三泛音模式振荡器提供更好的频率 稳定性和高频选项，但它们需要更长的开发周期 仍然可用。

锁相环(PLL)技术提供了更多的灵活性 就新频率的可用性而言缩短交货时间。然而，PLL的抖动性能可能不符合严格的相位噪声要求。

Geyer跟随TCXO的步伐KXO-88

用TCXO设置速度-小，精确，可靠，对TCXOs（温度补偿晶体振荡器）的需求的发展以及这种振荡器带来的优势。

Bliley如何用BVCT4-26.000MHZMDN-BBACT振荡器测量相位噪声？

在理想情况下，只要信号需要传输，晶体振荡器就会产生稳定、一致、清晰且没有偏差的信号。

但在现实世界中，没有晶体振荡器能产生100%完美的信号。即使信号非常强且清晰，其波形中仍会有微小的随机波动。这种现象在频域中可以直观地表示为载波两侧的边带。这些不必要的波动被称为相位噪声.

CRYSTEK振荡器中相位噪声和抖动的来源

振荡器的输出信号，无论多么好，都会包含各种不需要的噪声和信号。其中一些不需要的信号是杂散输出频率、谐波和次谐波，仅举几个例子。噪声部分在信号的幅度和相位两者中可以具有随机和/或确定性噪声。在这里，我们将研究其中一些不需要的信号/噪声的主要来源

石英晶体振荡器噪声性能的特征是时域中的抖动和频域中的相位噪声。时域或频域中哪一个是优选的，可能取决于应用。在射频（RF）通信中，相位噪声是优选的，而在数字系统中，抖动是优选的。因此，RF工程师更喜欢处理相位噪声，而数字工程师希望指定抖动。

请注意，相位噪声和抖动是与有噪声振荡器相关联的两个相关量，通常，随着振荡器中相位噪声的增加，抖动也会增加。
说明这一点的最好方法是检查理想信号并破坏它，直到信号开始类似于振荡器的实际输出。

自1978年以来，Wenzel已经定义了最先进的超低相位噪声晶体振荡器。Wenzel设计和制造晶体振荡器，固定频率系统，集成微波组件和x波段合成器。Blue Tops模块，来自MXO系列的超低噪声倍增微波源，以及非常低噪声的定制集成微波组件为世界各地的系统提供了构建模块。美国进口晶振

大约三分之二的Wenzel产品是高可靠性部件，用于雷达系统，军用无线电和空间应用。Wenzel为机载，无人机和船上导航，监视和通信系统建造主振荡器。多频率，机架式源和合成器装备测试实验室，是美国导弹防御系统的一部分。我们非常自豪地被选为国家射电天文台ALMA望远镜的关键部件，该望远镜目前正在观测智利北部阿塔卡马沙漠的星系。

Abracon艾博康晶振型号ATX-H11、ATX-H12和ATX-H13温度补偿晶振(TCXO)系列特别适合具有Wi-Fi、GPS和蓝牙服务的空间受限和功率受限的设备。对于电信、导航和定位等需要精密时序解决方案的应用，这些器件可提供低至2ppm的稳定度。

适合低功耗应用的TCXO晶体振荡器ATX-11-E-26.000MHz-F15-T3，ATX-H11晶振是一款小体积晶振尺寸3.2x2.5x1.2mm连续电压SMD TCXO晶体振荡器，四脚贴片晶振，有源晶振，石英晶体振荡器，具有超小型，轻薄型，低抖动，低电源电压，低功耗，低耗能，低损耗，低电平，低相位噪声等特点，应用于：便携式和可穿戴设备电子产品，精确设备的标准振荡器，物联网，消费电子产品，工业控制与自动化，移动通信，智能节能计量等应用。

SG2520VHN差分晶振X1G005941000115是小型光通信模块的理想选择

温补晶振X1G006001004314为5G室外基站控制器专用晶振

无人机专用晶振TG2016SMN编码X1G005441020200

在这个智能化的社会系统里，晶振为数字电路系统提供基本的时钟信号，称之为数字电路的心脏。物联网在智能家居、智慧城市、可穿戴设备等领域正带来数以十亿计的新设备，晶振是数字终端必不可少的基础器件之一，是物联网应用的上游行业。

爱普生晶振SG7050EEN，小体积晶振尺寸7.0x5.0mm六脚贴片晶振，有源晶振，支持LV-PECL输出差分晶振，频率范围25MHz至200MHz，电源电压2.5V,3.3V，小体积轻薄型，具有极低的相位抖动和功耗，以实现出色的相位噪声。被广泛用于5G通信设备，物联网，智能家居，手机，GPS定位，汽车导航，安防设备，可穿戴设备等。

LV-PECL输出差分晶振X1G005131100900专用于物联网设备

迈阿密——全球领先的高性能频率管理公司Raltron 元器件和天线产品，设计了最小的SMD恒温晶体振荡器 (OCXO)市场上有售。尺寸仅为9mmx7mm，OX7000系列专为应用而设计，要求超小尺寸和优异的温度稳定性。这包括5G无线的所有方面 基础设施、传输、精密仪器、广播、公用事业计量基础设施和更多。

OX7000系列覆盖从5.000MHz到40.000MHZ的频率范围150mA稳态下的电压为3.3V。OX7000系列OCXO结合了超小型和超 +/-10 ppb的可靠频率稳定性。
“OX7000系列OCXO晶振，专为支持客户需求而打造，以微型产品的形式提供卓越的性能 包裹。确保回流后最小的频率偏差，高稳定性OCXO是低 要求低噪声的频率无线和射频应用，”Raltron销售副总裁Ross Weiss说
OX7000系列有源晶振，采用密封封装以提高可靠性，提供3分钟的快速预热时间、10kHz偏移时-158 dBc/Hz的低相位噪声和HCMOS输出电平。
特征：紧密的，高可靠性，频率高达40MHz

Raltron晶振OX7000系列是业界最小的SMD恒温晶体振荡器OX4570A-D3-2-20.000-3.3

石英晶体振荡器是用于生产振动的电路，由于振荡器的频率决定元件所包含的一个石英晶体振荡器，石英晶体振荡器可说服它们的频率精度和频率稳定性。实际上，这些电路经常被用作无线电，处理器和微控制的时钟。此外，大家可以在石英表中找到它们。因此石英和石英晶体振荡器被认为是数据传输和电信中频率控制的最重要组成部分，这也并不奇怪，因为它们的主要优点包括高谐振质量，大量振荡器选择和高频率性。

于对用于测量设备，卫星导航设备或者电信设备而言，由于价格敏感，振荡器的要注主要取决于频率，稳定性，外壳类型，输出信号和温度范围。例如，仪表，卫星导航设备或电信设备等专业应用对内置振荡器有更高的要求。包括具有良好的稳定性。低相位噪声和长寿命。为了实现这一点，所使用的石英还必须具有改进的老化性能，以实现相应的整体性能。为了最小化初始老化效应，所有振荡器都需要经历所谓的预老化过程，因此，只有在运行了几天后才能达到最终的稳定性。

KVG QUARTZ CRYSTAL TECHNOLOGY GMBH公司成立于1946年.在第二次世界大战结束后不久,物理学家库尔特·克林林创建了KVG公司. 不久后KVG公司就迁往内卡比绍夫斯海姆, 也就是现在KVG总公司所在地. 在1996年，KVG成为美国Dover有限公司在欧洲的晶体与晶体振荡器产品的合作伙伴。 1997年，晶体陶瓷在OCXOs和精准晶体的生产中被实际使用, 从而闻名世界. 

从2002年起,KVG再次成为独立公司. 新的公司领导者曼弗雷德·克利姆和格尔德克劳斯科夫先生都是在这行业具有多年的经验. 

以下是KVG晶振公司的发展历史。

KVG公司的发展史展现了晶体产品生产技术持续更新发展的过程：

· 1963 KVG使用合成晶体材料.

· 1964 研发和生产晶体滤波器.

· 1968 生产温度补偿晶振TCXOs.

· 1970 晶体生产中的直接溅镀.

· 1971 整块晶体滤波器的生产.

· 1972 生产凸面性晶体晶片.

· 1974 引进射线测量技术用于切割面角度的测定.

· 1979 以电脑为后台的晶体温度测定.

· 1981 以计算机为支持的TCXO的生产.

· 1983 KVG研发基于晶体的传感器和研发OCXOs.

· 1987 基于计算机控制的质量管理体系.

· 1988 SMD组件的自动装备机.

· 1993 622.08MHz的VCXOs.

· 1994 建立产品线，以HFF为晶体基座，最大振动频率达到200MHz.

· 1994 用SC-晶体生产OCXOs.

· 1995 使用镭射技术进行晶振的频率协调.

· 1997 生产 SMD OCXOs系列的 OCXO-6000.

· 1998 生产ASIC-TCXOs.

· 1999 用HFF晶体生产VCXOs.

· 2000 建立新生产，用于生产精准晶体的产品系列.

· 2002 KVG重塑独立实体.

· 2003 在晶体振荡器中使用电子谐频.

· 2005 设计出低相噪OCXO.

· 2007 设计出航天级的晶体.

· 2008 设计出航天级的晶体振荡器.

· 2009 建成新的生产设备.

· 2010 KVG重组了晶体和振荡器生产工厂.

· 2010 设计出抗冲击振动 OCXOs.

· 2011 空间晶体得到欧洲航天局的资格认证.

· 2013 以晶体振荡器XO和VCXO成为欧洲航天局的资格供应商.

· 2014 采用机械阻尼OCXO模块.

· 2015 设计出超低相躁RF-OCXO和抗冲击振动OCXO.

在恒温晶振的领域内的新设计，如提高抗冲击振动技术，新的RF TCXO和OCXO,使得在晶体和晶体振荡器的领域再次设定了标准.

当前最先进的通信电路,例如：

•μWave频率上变频器

•点对点μWave回程

•卫星调制解调器

•高端网络

•测试和测量设备

都有一个共同点;极低的相位噪声频率参考.从历史上看,为了达到这种水平的相位噪声,振荡器制造商依靠SC-Cut晶振或第5或第7泛音AT-Cut晶体作为参考振荡器解决方案.

前者产生的OCXO体积庞大,功耗过大而且相当昂贵.后者实施起来很复杂,频率提供有限,并且抑制了系统自动校正老化和温度漂移的能力.

解决成本,尺寸,功率,频率稳定性和长期老化校正的综合挑战;Abracon开发了ABLNO系列VCXO晶振,具有出色的相位噪声特性,采用9x14mm封装.

提供50.0MHz和156.25MHz之间的十五个标准频率;这些器件为设计人员提供了全面的参考时序选择.此外,如果系统要求不能使用电压可控振荡器,ABLNO系列可提供固定时钟配置.

图(1)示出了50MHz载波处的典型相位噪声,而图(2)和(3)分别表示100MHz和156.25MHz载波处的典型相位噪声.表(1)总结了在这些载波上配置为VCXO振荡器的ABLNO系列的典型相位噪声性能,而表(2)表示绝对最差情况下的相位噪声特性.

表格1)

典型的相位噪声性能

表(2)

最差情况保证相位噪声性能

ABLNO系列采用经过特殊处理的第3版Overtone,AT-Strip石英晶体设计,采用各种处理技术进行优化,可在温度范围内提供极高的无负载“Q”和频率稳定性.这些晶体和振荡器电路的组合设计具有同类最佳的相位噪声作为主要目标;在载波的12kHz至20MHz的最佳带宽范围内产生了极低的均方根抖动.

表3)

ABLNO系列rms抖动

为了确保出色的相位噪声性能,ABLNO系列不仅满足上述设计的性能参数,而且Abracon还对100％的产品进行了相位噪声和均方根抖动兼容性的室温测试.

如前所述,Abracon已经制定了专有的Quartz-Blank处理技术,以显着降低这些器件的频率与温度误差.通常,相对于25ºC下的测量频率,ABLNO系列器件的误差小于±12ppm(最大值为±18ppm).在-40ºC至+85ºC的工作温度范围内可确保稳定性,如下图(4)所示.

此外,这些器件在10年的产品寿命期间保证比±7ppm的老化更好.为了在此期间实现频率校正能力,VCXO配置中保证了±28ppm的最小频率牵引能力,见图(5).

诸如晶体振荡器之类的信号源在输出频率附近产生一小部分不希望的能量（相位噪声）。 随着通信和雷达等系统性能的提高，它们采用的晶体振荡器的频谱纯度越来越重要。

在频域中测量相位噪声，并且表示为在与期望信号的给定偏移处的1Hz带宽中测量的信号功率与噪声功率的比率。在所需信号的各种偏移处的响应图通常由对应于振荡器中的三个主要噪声产生机制的三个不同斜率组成，如图1所示。相对靠近载波（区域A）的噪声称为闪烁FM噪声;其大小主要取决于晶体的质量。 最佳近距离噪声结果是在4-6 MHz范围内使用5次泛音AT切割晶体或第3次泛音SC切割晶体获得的。虽然平均效果不是很好，但使用10 MHz区域中的3个泛音晶体也可以获得出色的近距离噪声性能，尤其是双旋转型（参见第41页，有关双旋转SC和IT切割晶体的讨论）。较高频率的晶体由于其较低的Q值和较宽的带宽而导致较高的近距噪声。

图1中B区的噪声称为“1 / F”噪声，是由半导体活动引起的。采用低噪声“L2”晶体振荡器的设计技术将其限制在非常低的，通常无关紧要的值。

图1的区域C称为白噪声或宽带噪声。 “L2”晶体振荡器中的特殊低噪声电路相对于标准设计提供了显着的改进（15-20 dB）。

当采用倍频从较低频率的石英晶体获得所需的输出频率时，输出信号的相位噪声增加20 log（倍增因子）。这导致整个电路板上的噪声降低大约为6 dB，用于倍频，10 dB用于频率三倍，20 dB用于十倍乘法。

如图2所示，对于不采用倍频的振荡器，本底噪声几乎与晶体频率无关。因此，对于低噪声地板应用，通常应使用满足长期稳定性要求的最高频率晶体。然而，当较高频率的应用特别需要最小的近端相位噪声时，较低频率的晶体通常可以成倍增加。这是因为近距离相位噪声比使用更高频率晶体获得的噪声性能更不成比例地好。

请注意，与固定频率非补偿晶体振荡器相比，TCXO和VCXO产品中常用的变容二极管和中等Q晶体的引入导致较差的近距离噪声性能。

相位噪声测试

相位噪声测试通过确定在指定输出频率下由振荡器传递的所需能量与在相邻频率传递的不需要的能量的比率来表征振荡器的输出频谱纯度。 该比率通常表示为在来自载波的各种偏移频率下执行的一系列功率测量。功率测量被标准化为1Hz带宽并且相对于载波功率电平表示。 这是NIST技术说明1337中描述的标准相位波动测量，称为l（f）。

图3示出了由NIST建议并由Vectron晶振用于测量l（f）的方法的框图。来自两个相同标称频率的振荡器的信号被施加到混频器输入。除非振荡器具有出色的稳定性，否则一个振荡器必须具有用于锁相的电子调谐。非常窄的频带锁相环（PLL）用于在这两个源之间保持90度的相位差。混频器操作使得当输入信号异相90度（正交）时，混频器的输出是与两个振荡器之间的相位差成比例的小波动电压。通过在频谱分析仪上检查该误差信号的频谱，可以测量这对振荡器的相位噪声性能。如果一个振荡器的噪声占主导地位，则直接测量其相位噪声。当两个测试振荡器电气相似时，有用且实用的近似是每个振荡器贡献测量噪声功率的一半。当三个或更多个振荡器可用于测试时，可以通过求解表示从振荡器对的置换测量的数据的联立方程来精确地计算每个振荡器的相位噪声。

图4显示了实际的l（f）测量系统。 使用该系统测量相位噪声的步骤如下：

1.频谱分析仪屏幕的校准。

2.Phase锁定振荡器并建立正交。

3.记录频谱分析仪读数并将读数标准化为每个振荡器的dBc / Hz SSB。

这些步骤详述如下。

第一步 - 校准

为避免混频器饱和，一个振荡器的信号电平会被10 dB衰减（衰减器“A”）永久衰减。在校准期间，此振荡器的电平额外衰减80 dB（衰减“B”），以改善频谱分析仪的动态范围。振荡器在频率上是机械偏移的，并且所得到的低频差拍信号的幅度表示-80dB的水平;它是所有后续测量的参考。使用扫频分析仪时，此电平调整到频谱分析仪屏幕的顶行。使用数字（FFT）频谱分析仪时，仪器经过校准，可读取相对于此电平的RMS VOLTS /√Hz。当完全电平恢复到混频器并且振荡器被锁相时，将相对于-80dB电平测量相位噪声。

第二步 - 锁相

通过将振荡器机械地调节到相同的频率，振荡器被锁相到正交。当混频器输出为0 Vdc时，指示两个振荡器之间所需的90度相位差。临时连接到频谱分析仪的示波器或零中心电压表是监测正交进度的便捷方式。 PLL的工作带宽必须远低于感兴趣的最低偏移频率，因为PLL部分地抑制了其带宽中的相位噪声。广泛使用的建立适当环路带宽的经验方法是通过衰减器“C”逐步衰减电压控制反馈。通过在推进衰减器“C”的同时比较感兴趣的最低偏移频率处的连续噪声测量，可以找到操作点，其中测量的相位噪声不受衰减器设置的变化的影响。此时，环路带宽不是测量的相位噪声的因子。

第三步 - 读物

读数是根据先前在步骤1中建立的-80dB校准水平进行的。如果频谱分析仪配备齐全以避免测量变化，则使用平滑或平均。 扫描频谱分析仪读数通常需要进行以下每项校正，而以RMS /√Hz显示的数字分析仪读数不需要前两次校正。有关分析仪噪声响应的校正，应参考分析仪手册。

美国瑞斯克晶振公司自1958年成立以来一直提供频率元器件产品,包括石英晶体谐振器,以及石英晶体振荡器,时钟振荡器等产品.瑞斯克晶振公司有两个运营专门负责频率控制元器件的部门.多年来CRYSTEK CORPORATION致力于石英晶体谐振器的开发以及频率元器件的制造与生产.

CRYSTEK CLOCK OSCILLATORS瑞斯克时钟晶体振荡器型号表.

产品图	型号	频率 （MHz）	封装	电压 （VDC）	产量	稳定性 ppm（°C）	相位噪声 （dBc / Hz）	规格
	cuso33	1.544  ~ 160.000	3.2 x 5.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CUSO32	1.544  ~ 160.000	3.2 x 5.0 mm  SMD	5.00	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	C18	1.544  ~ 110.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	1.80	LVCMOS	±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	C25	1.544  ~ 70.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVCMOS	±20至±100 （-10到70） ±25至±100 （-40到85）
	C32	1.544  ~ 100.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	5.00	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	C33	1.544  ~ 156.250	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCLD-023	77.760  ~ 161.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVDS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCLD-024	162.000  ~ 250.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVDS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-023	77.760  ~ 161.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-024	162.000  ~ 250.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCLD-033	77.760  ~ 161.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	LVDS	±25至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCLD-034	162.000  ~ 250.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	LVDS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-033	77.760  ~ 161.1328	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-034	162.000  ~ 250.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCS575S 超低相位噪声	315.000  ~ 1000.000	5.0 x 7.5 mm  SMD	3.30	SINEWAVE	±150 （-20到70）	-113 TYP @ 1 千赫 -137 TYP @ 10 千赫 -151 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -160 TYP @ 10 兆赫
新	CCHD-575 超低相位噪声	12.000  ~ 125.000	5.0 x 7.5 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85）	-168 TYP @ 地板 -165 MAX @ 地板
新	CCPD-575 超低相位噪声	50.000  ~ 156.250	5.0 x 7.5 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20 （-40到85） ±25 （-40到85） ±50 （-40到85）	-162 TYP @ 地板
	CCPD-920	50.000  ~ 150.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-40到85）	-65 TYP @ 10 赫兹 -98 TYP @ 100 赫兹 -125 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫 -145 TYP @ 100 兆赫
	CCPD-940	151.000  ~ 212.500	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-40到85）	-80 MAX @ 100 赫兹 -108 MAX @ 1 千赫 -132 MAX @ 10 千赫 -140 MAX @ 100 千赫
新	CCSS-945 超低相位噪声	10.000  ~ 125.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	5.00	SINEWAVE	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）	在100 MHz： -85 TYP @ 10 赫兹 -120 TYP @ 100 赫兹 -145 TYP @ 1 千赫 -162 TYP @ 10 千赫 -170 TYP @ 100 千赫 -170 TYP @ 1 兆赫
	CCHD-950 超低相位噪声	45.000  ~ 130.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85）	-165 TYP @ 地板 -160 MAX @ 地板
新	CCHD-957 超低相位噪声	10.000  ~ 50.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85）	-100 TYP @ 10 赫兹 -95 MAX @ 10 赫兹 -169 TYP @ 地板 -165 MAX @ 地板
	CCO-983	50.000  ~ 500.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30  5.00	SINEWAVE	±25 （0到70） ±50 （-40到85）	在311.040 MHz： -50 TYP @ 10 赫兹 -80 TYP @ 100 赫兹 -110 TYP @ 1 千赫 -135 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫
	CCO-083	10.000  ~ 200.000	14针浸入式 通孔	3.30  5.00	SINEWAVE	±25 （0到70） ±50 （-40到85）	-80 TYP @ 100 赫兹 -112 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫
	CCO-985	50.000  ~ 500.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30  5.00	SINEWAVE	±25 （0到70） ±50 （-40到85）	在311.040 MHz： -50 TYP @ 10 赫兹 -80 TYP @ 100 赫兹 -110 TYP @ 1 千赫 -135 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫
	CCO-085	10.000  ~ 200.000	14针浸入式 通孔	3.30  5.00	SINEWAVE	±25 （0到70） ±50 （-40到85）	-80 TYP @ 100 赫兹 -112 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫
	CCSO-914X-245.760 超低相位噪声	245.760	9.0 x 14.0 mm  SMD	5.00	SINEWAVE	±200 （-40到85）	在245.760 MHz： -120 TYP @ 1 千赫 -150 TYP @ 10 千赫 -160 TYP @ 100 千赫 -165 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
	CCSO-914X3-1000 超低相位噪声	1000.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	SINEWAVE	±200 （-40到85）	在1 GHz： -112 TYP @ 1 千赫 -142 TYP @ 10 千赫 -155 TYP @ 100 千赫 -167 TYP @ 1 兆赫 -168 TYP @ 10 兆赫
	CCSO-914X-1000 超低相位噪声	1000.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	5.00	SINEWAVE	±200 （-40到85）	在1 GHz： -110 TYP @ 1 千赫 -138 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
	CCSO-914X 超低相位噪声	245.760  ~ 1000.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30  5.00	SINEWAVE	（0到70） （-40到85）	在1 GHz： -110 TYP @ 1 千赫 -138 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
	CCO-014 生命尽头	1.544  ~ 156.250	14针浸入式 通孔	5.00	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCO-014 S生命尽头	1.544  ~ 156.250	8针浸入式 通孔	5.00	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCO-030 生命尽头	1.544  ~ 156.250	14针浸入式 通孔	3.30	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCO-030S 生命尽头	1.544  ~ 156.250	8针浸入式 通孔	3.30	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CPLL-018 生命尽头被 C33取代	1.544  ~ 200.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CS33生命尽头	1.544  ~ 156.250	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CSO-016T 生命尽头 被C32取代	1.544  ~ 100.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	5.00	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CSO-018T 生命尽头 被C33取代	1.544  ~ 125.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-922 超低相位噪声	40.000  ~ 125.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	（-40到85） （-45至90）	在100 MHz： -85 TYP @ 10 赫兹 -115 TYP @ 100 赫兹 -145 TYP @ 1 千赫 -155 TYP @ 10 千赫 -160 TYP @ 100 千赫 -162 TYP @ 1 兆赫 -162 TYP @ 10 兆赫
	CCPD-912 生命尽头	77.760  ~ 161.1328	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）

CRYSTEKMICROWAVE为微波行业开发频率控制件产品和技术支持产品.包括PLL(锁相环)合成器,RedBoxVCO,RF同轴电缆组件,RF电缆连接器,BulkRF同轴电缆,RF功率检测器,滤波器,衰减器,DC模块,无源倍增器,RFPRO(袖珍参考振荡器),基于SAW的时钟振荡器和VCSO.