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西铁城晶振,石英晶体,CM309A晶振
更多 +工作温度:-40℃~+85℃
保存温度:-55℃~+125℃
负载电容:16pF
小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应3.500MHz以上的频率.

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精工晶振,插件晶振,VT-150-F晶振
插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分更多 +

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西铁城晶振,SMD晶振,CM250S晶振
更多 +工作温度:-40℃~+85℃
保存温度:-55℃~+125℃
负载电容:12.5pF
贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性.

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西铁城晶振,石英晶体,CM200S晶振
工作温度:-40℃~+85℃ 保存温度:-55℃~+125℃ 负载电容:12.5pF 晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.更多 +

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西铁城晶振,进口晶振,CM250C晶振
工作温度:-40℃~+85℃ 保存温度:-55℃~+125℃ 负载电容:12.5pF 贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域.更多 +

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西铁城晶振,无源晶振,CM200C晶振
工作温度:-40℃~+85℃ 保存温度:-55℃~+125℃ 负载电容:12.5pF 适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.更多 +

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西铁城晶振,石英晶体,CFS-145晶振
工作温度:-20℃~+70℃更多 +
保存温度:-40℃~+85℃
可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性.

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贴片晶振,5070晶振,无源石英晶体
非常小的SMD型晶体 2 高精度,高频率稳定 3 为减少电磁干扰的影响非常好 4 蓝牙无线通信集,DSC,PDA和手机的最佳选择 5 符合ROHS无铅更多 +
- [技术支持]SiTime晶振MEMS定时技术颠覆传统石英晶振壁垒2026年07月21日 09:27
SiTime晶振MEMS定时技术颠覆传统石英晶振壁垒
长久以来,移动电子产品普遍采用传统石英晶体振荡器作为定时核心,但其天然物理缺陷难以规避:石英晶片易碎,抗震抗摔性能弱,生产良率偏低;温度适应性差,高低温环境下频率漂移严重,容易导致设备卡顿,时序错乱;器件体积固定,集成度低,无法适配极致微型化设计;功耗控制有限,持续耗电影响设备续航.而SiTime深耕MEMS微机电定时技术多年,凭借全球领先的全硅MEMS半导体制造工艺,将微型谐振器,振荡电路,驱动模块高度集成于单芯片,彻底摆脱传统石英材质的工艺桎梏,成为替代传统晶振的新一代高端定时解决方案.
相较于传统石英晶振,SiTime的MEMS定时器件具备半导体级一致性,超高集成度,零碎频,低老化,参数可编程五大核心技术优势,完美适配移动设备高频使用,便携移动,环境多变,结构精密的应用特性,从底层硬件层面解决传统定时器件的各类痛点,为移动产品的性能优化与外观升级提供核心技术支撑,目前SiTime在全球MEMS时钟市场占有率稳居行业前列,技术认可度与产品可靠性经过全球终端厂商大规模量产验证.50fqT7FdnAdjcoyRrcPqHznza","FPyPfnrTOdAXvGctPbdc2YLkn2c","CLoZfNMsxd4TZIcT0zVchLUnn5f","F75uf0qK9d3toqc1O6oc7pfpn7c","J4E9ffdQYdBxstc6pAlc9XbNnjb","Q8PzfotoMdZ45zcCqQhcFyqWnTd","GaZsfwDNMd7P5Qc9klscWju4nce","FnV3feXCudFyUvczLcPceisQnnf","O4lUf5BKnd0fs9cdsb6cyMqSn0b","VFNbfvimBdtB78c3Urfcfrhhnsg","KoYrfGQUZdZ5ROcupX7cjhjnngB"],"text":{"apool":{"nextNum":2,"numToAttrib":{"0":["author","7592593332774128587"],"1":["ai-extra","{\"is_ai_gen\":true,\"rewrite_command\":1}"]}},"initialAttributedTexts":{"attribs":{"0":"*0*1+13"},"text":{"0":"重塑移动产品体验!SiTime MEMS定时技术赋能设备性能与外观质感双重升级"}}},"align":"","doc_info":{"editors":["7592593332774128587"],"options":["editors","edit_time"],"deleted_editors":null,"option_modified":null},"revision_container_id":"doxcns2KZ7AUyT3RHrJ1CUVYCRh","status":{"streaming":{"enabled":false,"expired_at":"1784597122","is_create_command":true,"operator_id":"7592593332774128587","source":1}}}}},"payloadMap":{"O7XHf1tiZdtHQ1crikVcqP0Zn6f":{"level":1},"G9wTf0AZXdyaqWcYIcpcp7tKnwc":{"level":1}},"extra":{"channel":"saas","pasteRandomId":"e5a7b77f-74a9-442d-8329-276f2de47d6b","mention_page_title":{},"external_mention_url":{},"isEqualBlockSelection":true},"isKeepQuoteContainer":false,"selection":[{"id":4,"type":"text","selection":{"start":0,"end":248},"recordId":"O7XHf1tiZdtHQ1crikVcqP0Zn6f"},{"id":5,"type":"text","selection":{"start":0,"end":197},"recordId":"G9wTf0AZXdyaqWcYIcpcp7tKnwc"}],"pasteFlag":"3870542c-056b-48a5-a1ac-0e83c6498fff"}'>- 阅读(46)
- [常见问题]River大河晶振AT切割与GT切割的具体差异2026年06月17日 09:12
- River大河晶振AT切割与GT切割的具体差异
在石英晶振制造行业中,晶片切割工艺是决定晶振核心性能的底层核心技术,也是区分晶振等级,适配场景,品质优劣的关键标准.很多电子工程师在设备调试,产品量产过程中遇到的时序漂移,信号不稳,高低温失效,计时偏差,设备频繁重启等疑难故障,溯源排查后绝大多数问题都源于晶振切割工艺选型不匹配.同一产地,同一材质的天然石英原石,经过不同角度,不同方式,不同工艺标准的切割打磨后,成型晶片的物理振动特性,应力结构,温变系数,老化速度会产生天壤之别,最终直接决定成品晶振的频率精度,温度稳定性,抗震抗扰性,使用寿命,深刻影响各类电子设备的时序运行与整机品质.在River大河晶振全系产品体系中,AT切割与GT切割是两大经典,应用最广泛的核心切割工艺,覆盖了从民用消费电子,智能家居,无线通信设备,到工业自动化控制,车载汽车电子,精密仪器仪表,物联网测控终端等全品类电子设备场景,是目前电子制造业最常用的两种晶体切割方案.504qdDgi2cGMY3cHZNKnFh","QbSjf6qbjds51VcKPDbcSn0cnqQ","WZ4pf8ZaSdmHE9cAnowc89ZLnXg","YRsAfPkk7dF6COcl6uhcqEd9nDe","Stp9feyCpdAUXzcjpjSc5lz5n4e","Jwxpfn6QndROsVcXkR3cz6QXnOe","ElkgfwzB4dnqwWc0c3Jcyg6rnCe","Pi8hfW9CcdIJrTc8au4cUKyYn9b","OO9WfmrhJdC3woclPPBctINunzb","Xi4IfHy12d71JFcXzczcVBdwnUb","ZMQ8f8r6gdF54pcO4XHc6W2Nnib","XsYef6WbddG3jocYPY7cYe9bn2b","G2eAfYIQzdhHsmciECacYPU6nxe","UY2KfxtJAd7CGDcdS9zcW1jFnIe","IHjpfQ6ELdvjpzcKtE8cnIcjnuc","W9rjfMsQXdYDh5cdno3cv1yInIb","Q8srfNZdddN42rcH69TcH8Bknxc","PJ5Efke5qdwwQ4cxLkZcNUWHn5d","DzoUftgaadIBGucBs2Mcanj2njh","AguVfcpfddO0DocEz4VcBmuOnkN","IBUVfcdC0draY4cY8U8cvlIlnJb","HbbAfhgsjdJgEYc1aJtcHLBtn2c","FjWkfVSTzdacWGcPK0xcCFRFnHd","Myg5fXpuPdLd1bc4XqqcHkfRnbh","E6pAfYi6KduYJ0cLo2gc25kmnWh","D9v5f59ndd8nsCczflNc3Cs1nOd"],"text":{"apool":{"nextNum":2,"numToAttrib":{"0":["author","7592593332774128587"],"1":["ai-extra","{\"is_ai_gen\":true,\"rewrite_command\":1}"]}},"initialAttributedTexts":{"attribs":{"0":"*0*1+11"},"text":{"0":"硬核科普:River大河晶振AT切割晶体与GT切割晶体的核心区别与选型指南"}}},"align":"","doc_info":{"editors":["7592593332774128587"],"options":["editors","edit_time"],"deleted_editors":null,"option_modified":null},"revision_container_id":"doxcnInribDzteQ9UfelEkkkSOb","status":{"streaming":{"enabled":false,"expired_at":"1781658682","is_create_command":true,"operator_id":"7592593332774128587","source":1}}}}},"payloadMap":{"AqCCfVyjyd95oRc9cUccY8uqn0g":{"level":1},"AxgRfDHH0dtCFDce8iEcZqRUn1d":{"level":1},"ZKslfSkF9dONzmcLrrbczXWHnQf":{"level":1},"EWQgfv5AYddWkdc9bxGcy4Xrnfc":{"level":1},"FTE5fPbBddYRaRcOJR9cz9OunEe":{"level":1}},"extra":{"channel":"saas","pasteRandomId":"58773d8e-0baf-4e3c-979a-13a5ed9e970c","mention_page_title":{},"external_mention_url":{},"isEqualBlockSelection":true},"isKeepQuoteContainer":false,"selection":[{"id":5,"type":"text","selection":{"start":0,"end":63},"recordId":"AqCCfVyjyd95oRc9cUccY8uqn0g"},{"id":6,"type":"text","selection":{"start":0,"end":22},"recordId":"AxgRfDHH0dtCFDce8iEcZqRUn1d"},{"id":7,"type":"text","selection":{"start":0,"end":186},"recordId":"ZKslfSkF9dONzmcLrrbczXWHnQf"},{"id":8,"type":"text","selection":{"start":0,"end":21},"recordId":"EWQgfv5AYddWkdc9bxGcy4Xrnfc"},{"id":9,"type":"text","selection":{"start":0,"end":165},"recordId":"FTE5fPbBddYRaRcOJR9cz9OunEe"}],"pasteFlag":"ca236786-273a-462e-a221-8779b358918a"}'> - 阅读(100)
- [新闻中心]村田推出SCL3400系列高精度数字双轴倾角传感器2026年05月20日 15:33
村田推出SCL3400系列高精度数字双轴倾角传感器
MuRata村田SCL3400系列高精度数字双轴倾角传感器,专为工业设备姿态监测场景量身打造,核心优势集中体现在高精度测量,双轴同步监测,强抗干扰能力,超低功耗及广泛环境适应性,彻底解决了传统倾角传感器"精度不足,抗干扰弱,适配性差"的行业痛点,成为工业设备姿态监测的优选元器件.该系列传感器采用村田自主研发的高精度传感芯片与先进的信号处理算法,实现了双轴倾角的精准测量与实时数据输出,可广泛适配各类工业设备的姿态监测,角度控制,倾斜预警等应用场景,目前该系列核心型号包括SCL3400-D01,SCL3400-D02等,可满足不同工业场景的个性化监测需求.50f","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":69,"type":"text","selection":{"start":0,"end":279},"recordId":"GIqRfmLoCdEfyCctIa1cOgGonwf"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(98)
- [新闻中心]瑞萨电子推出28纳米RH850/U2C汽车微控制器2026年05月14日 11:54
瑞萨电子推出28纳米RH850/U2C汽车微控制器
瑞萨电子作为全球汽车电子半导体领域的领军企业,拥有超过30年的汽车微控制器研发与量产经验,其RH850系列微控制器已广泛应用于全球各类汽车的核心控制系统,凭借高可靠性,高安全性赢得了全球主流汽车厂商的高度认可,累计量产超过10年,市场口碑卓越.为进一步适配汽车产业电动化,智能化转型需求,瑞萨电子依托成熟的28纳米工艺技术,结合自身在汽车微控制器领域的深厚技术积淀,研发推出RH850/U2C系列汽车微控制器.该系列产品采用先进的28纳米工艺制造,相较于传统40纳米工艺,在性能提升30%以上的同时,功耗降低40%,实现了高性能与低功耗的完美平衡50系列微控制器已广泛应用于全球各类汽车的核心控制系统,凭借高可靠性、高安全性赢得了全球主流汽车厂商的高度认可,累计量产超过10年,市场口碑卓越。为进一步适配汽车产业电动化、智能化转型需求,瑞萨电子依托成熟的28纳米工艺技术,结合自身在汽车微控制器领域的深厚技术积淀,研发推出RH850/U2C系列汽车微控制器。该系列产品采用先进的28纳米工艺制造,相较于传统40纳米工艺,在性能提升30%以上的同时,功耗降低40%,实现了高性能与低功耗的完美平衡"},"attribs":{"0":"*1*0+7l"}},"apool":{"numToAttrib":{"0":["author","7592593332774128587"],"1":["ai-extra","{\"is_ai_gen\":true,\"rewrite_command\":1}"]},"nextNum":2}},"type":"text","referenceRecordMap":{},"extra":{"channel":"saas","isEqualBlockSelection":false,"pasteRandomId":"0f5de3f7-63b3-4b46-884b-f19a68a8c0b5","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":61,"type":"text","selection":{"start":0,"end":273},"recordId":"WNsSfvH39dBFbfcYk48cX8g3nie"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(195)
- [行业新闻]瑞萨电子推出全新500W强劲功率GaN充电方案2026年05月14日 11:20
瑞萨电子推出全新500W强劲功率GaN充电方案
瑞萨电子作为全球半导体行业的领军企业,深耕功率半导体领域数十年,始终以市场需求为导向,凭借强大的研发实力,完善的产品矩阵以及全球化的产业布局,在GaN技术领域积累了深厚的技术积淀.此前,瑞萨通过收购全球知名GaN技术企业Transphorm,整合了其在GaN外延,器件设计,封装工艺等方面的核心技术,进一步补强了自身GaN技术版图.此次全新500WGaN充电方案的推出,是瑞萨电子在工业及物联网充电领域的重要创新成果,更是对行业痛点需求的精准响应,融合了瑞萨自主研发的GaN功率器件,高精度控制芯片及优化的电路拓扑设计,实现了功率,效率,体积,可靠性的全方位突破,为工业及物联网设备充电升级提供了全新路径.500W GaN充电方案的推出,是瑞萨电子在工业及物联网充电领域的重要创新成果,更是对行业痛点需求的精准响应,融合了瑞萨自主研发的GaN功率器件、高精度控制芯片及优化的电路拓扑设计,实现了功率、效率、体积、可靠性的全方位突破,为工业及物联网设备充电升级提供了全新路径。"},"attribs":{"0":"*1*0+8g"}},"apool":{"numToAttrib":{"0":["author","7592593332774128587"],"1":["ai-extra","{\"is_ai_gen\":true,\"rewrite_command\":1}"]},"nextNum":2}},"type":"text","referenceRecordMap":{},"extra":{"channel":"saas","isEqualBlockSelection":true,"pasteRandomId":"b9e151e2-9691-4fac-9556-a46c54a7bf00","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":32,"type":"text","selection":{"start":0,"end":304},"recordId":"DYBpfi5GbdQ15NcdY6AcNETunVd"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(80)
- [行业新闻]突破1.6T传输瓶颈RIVER推出12fs超低抖动振荡器2026年04月20日 10:47
突破1.6T传输瓶颈RIVER推出12fs超低抖动振荡器
RIVER日本大河公司成立于1949年,深耕频率器件领域70余年,始终坚守"专注频率技术,铸就品质标杆"的初心,专注于石英晶片,贴片晶振,有源晶振,压控振荡器等核心频率器件的研发,生产与全球化销售,凭借严苛的品质管控,先进的研发体系与丰富的行业经验,成为全球电子行业内备受信赖的频率器件核心供应商.RIVER的产品广泛应用于汽车产业,消费电子,信息产业,通信产业等多个领域,近年来持续聚焦高速光通信领域的技术突破,针对1.6T应用场景的核心需求,历经数年研发与反复调试,成功推出12fs超低抖动振荡器,彰显了其作为全球频率器件领军企业的创新精神与技术实力,填补了行业内1.6T应用场景下超低抖动振荡器的技术空白.50150baf","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":4,"type":"text","selection":{"start":336,"end":493},"recordId":"FzhvfKc1yd8dLycSYcJcRBfenAu"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>
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- [行业新闻]RIVER日本大河研发0806尺寸AT切晶片2026年04月20日 10:10
RIVER日本大河研发0806尺寸AT切晶片
RIVER研发的全球首款0806尺寸AT切晶片,核心尺寸仅为0.8mm×0.6mm,相较于传统1210规格晶片,尺寸缩小近50%,是目前全球范围内最小尺寸的AT切晶片,真正实现了晶片小型化的跨越式突破.这款晶片之所以能够突破行业技术瓶颈,核心得益于RIVER三大核心技术创新,既保证了超小尺寸,又确保了卓越的频率性能,全方位满足小型化电子设备的核心需求.50%,是目前全球范围内最小尺寸的AT切晶片,真正实现了晶片小型化的跨越式突破。这款晶片之所以能够突破行业技术瓶颈,核心得益于RAVER三大核心技术创新,既保证了超小尺寸,又确保了卓越的频率性能,全方位满足小型化电子设备的核心需求。"},"attribs":{"0":"*1*0+4x"}},"apool":{"numToAttrib":{"0":["author","7592593332774128587"],"1":["ai-extra","{\"is_ai_gen\":true,\"rewrite_command\":1}"]},"nextNum":2}},"type":"text","referenceRecordMap":{},"extra":{"channel":"saas","isEqualBlockSelection":true,"pasteRandomId":"ce0439d0-49d6-4f7a-8479-d7c7283c1c7a","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":8,"type":"text","selection":{"start":0,"end":177},"recordId":"O6J2fe6GEdwXtJc9KyNc0NJInbd"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(177)
- [新闻中心]瑞萨首款650V双向GaN开关重塑功率转换设计规范2026年04月13日 14:21
瑞萨首款650V双向GaN开关重塑功率转换设计规范
此次推出的首款650V双向GaN开关TP65B110HRU,是瑞萨电子在GaN功率器件领域的里程碑式突破,也是其深耕功率转换领域的又一重磅成果,该产品打破了传统单向开关的设计局限,创新性地在单颗器件中集成双向电流阻断功能,无需传统的背对背场效应晶体管(FET)配置,从根本上简化了功率转换系统的架构设计,重新定义了功率转换器件的性能标准与设计规范.50V双向GaN开关TP65B110HRU,是瑞萨电子在GaN功率器件领域的里程碑式突破,也是其深耕功率转换领域的又一重磅成果,该产品打破了传统单向开关的设计局限,创新性地在单颗器件中集成双向电流阻断功能,无需传统的背对背场效应晶体管(FET)配置,从根本上简化了功率转换系统的架构设计,重新定义了功率转换器件的性能标准与设计规范。"},"attribs":{"0":"*0+4u"}},"apool":{"numToAttrib":{"0":["author","2672291273509050"]},"nextNum":1}},"type":"text","referenceRecordMap":{},"extra":{"channel":"saas","pasteRandomId":"d465de8c-0286-40c1-85ff-e083e03c2d42","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":256,"type":"text","selection":{"start":274,"end":448},"recordId":"CVrUfNDUJd9zQCcONGfc4s3Ln8e"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(370)
- [新闻中心]CTS引领压电技术革新赋能水下探测2026年04月09日 16:59
CTS引领压电技术革新赋能水下探测
CTS多波束回声测深仪压电接收器,依托CTS在压电材料领域的核心技术优势,结合水下探测的复杂工况需求,经过多轮研发攻坚,严苛测试与优化打磨,具备灵敏度高,带宽广阔,环境适应性强,定制化适配等四大核心优势,全方位贴合多波束回声测深仪的严苛运行需求,为水下探测提供稳定,精准的技术支撑,重塑水下探测高效,精准的全新体验.509050"]},"nextNum":1}},"type":"text","referenceRecordMap":{},"extra":{"channel":"saas","pasteRandomId":"5faf3ef1-56c6-406b-8051-3d3aad4a03ae","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":963,"type":"text","selection":{"start":0,"end":157},"recordId":"ZhxdfjuUmd0podcHJoYc0bdCnNb"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(73)
- [新闻中心]CTS以创新引领传感器技术革新2026年04月09日 16:37
CTS以创新引领传感器技术革新
CTS品牌自1896年成立以来,从最初的芝加哥电话供应公司,逐步发展成为全球领先的传感器,连接器和运动解决方案提供商,拥有超过百年的技术积淀与行业经验.2012年,CTS完成对精密频率晶体振荡器领导者Valpey的收购,进一步扩大了技术与工程能力,在频率控制,传感器研发等领域树立了行业标杆.凭借对行业需求的深刻洞察,CTS始终站在技术前沿,此次推出的高速电机位置传感器,正是针对电动引擎的核心痛点,量身打造的高性能解决方案,延续了CTS一贯的高品质,高可靠性优势.509050"]},"nextNum":1}},"type":"text","referenceRecordMap":{},"extra":{"channel":"saas","pasteRandomId":"e4a12cf4-cbc2-480b-9a3a-ad0a3642405f","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":899,"type":"text","selection":{"start":0,"end":233},"recordId":"QQG2fkCRHdxRjeciKynccHXYnvh"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(299)
- [根栏目]泰艺TF系列TCXO产品赋能设备小型化升级2026年04月03日 11:12
泰艺TF系列TCXO产品赋能设备小型化升级
作为全球领先的频率控制元件制造商,台湾泰艺电子(TAITIEN)凭借近50年的技术深耕与行业实战积累,始终以市场需求为导向,深耕TCXO领域,持续突破技术瓶颈.近期,泰艺电子重磅推出TF系列超紧凑型,高精度,低G敏感度TCXO产品,该系列产品以"超小尺寸,超高精度,超低G敏感度"为核心亮点,兼顾低功耗,高稳定性等优势,彻底解决了传统TCXO的应用痛点,重新定义了小型化设备的时钟基准标准,为各行业设备小型化,高精度升级提供了革命性的解决方案,赋能终端产品实现性能与体积的双重突破.50年的技术深耕与行业实战积累,始终以市场需求为导向,深耕TCXO领域,持续突破技术瓶颈。近期,泰艺电子重磅推出TF系列超紧凑型、高精度、低G敏感度TCXO产品,该系列产品以“超小尺寸、超高精度、超低G敏感度”为核心亮点,兼顾低功耗、高稳定性等优势,彻底解决了传统TCXO的应用痛点,重新定义了小型化设备的时钟基准标准,为各行业设备小型化、高精度升级提供了革命性的解决方案,赋能终端产品实现性能与体积的双重突破。"},"attribs":{"0":"*0+6p"}},"apool":{"numToAttrib":{"0":["author","2672291273509050"]},"nextNum":1}},"type":"text","referenceRecordMap":{},"extra":{"channel":"saas","pasteRandomId":"ff7b18dc-b083-48bb-900d-32b289c2c21c","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":312,"type":"text","selection":{"start":0,"end":241},"recordId":"I8s9fNgICdT4EpcPOR5cWE0Jnld"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(84)
- [新闻中心]泰艺OCXO恶劣环境下精确测量的核心引擎2026年04月03日 10:50
泰艺OCXO恶劣环境下精确测量的核心引擎
作为全球领先的频率控制元件制造商,台湾泰艺电子(TAITIEN)凭借近50年的技术深耕与行业积累,始终以"技术创新突破极限"为核心理念,深耕OCXO(恒温晶体振荡器)领域,重磅推出超低功耗OCXO系列产品.该系列产品以突破性的低功耗技术,顶级的频率稳定性与强悍的环境适应性,彻底解决了传统OCXO在恶劣环境下"高功耗,续航短,稳定性不足"的痛点,为严苛环境下的精准测量与可靠计时提供了革命性的解决方案,重新定义了高端OCXO的行业标准.- 阅读(98)
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