具有传统结构的小型化晶体芯片（左图）减小了电极的面积（以红色表示）。
用H形槽结构制造芯片提供了更大的电极面积并提高了电解效率。这种设计使小型化晶体的CI值与普通晶体的CI值一样低（右图）。

Miniaturizing crystal chips with a conventional structure (left image) reduces the area of the electrodes (indicated in red). 
Fabricating the chips with an H-groove structure provides a larger electrode area and raises electrolytic efficiency. This design enables miniaturized crystal with CI values as low as those on ordinary-sized crystals (right image).

然而，使用QMEMS技术制造的晶体的CI值保持不变，与常规晶体的水平相当，即使晶体尺寸减小。

The CI value of a crystal fabricated using QMEMS technology, however, remains constant, at a level equivalent to that of conventional crystals, even as crystal size decreases.

HFF晶体单元/ HFF晶体振荡器（高频基波）

TranskoCrystal晶振公司是一家位于加利福尼亚洲内阿纳海姆的频率元器件制造公司.主要以振荡器模块为主要生产目标.从最初的石英晶体谐振器制作到引进高端TCXO晶振及VCXO晶振的生产设备.1993年在美国的加利福尼亚州拉古纳山开设制造工厂.以下是Transko晶振石英晶体系列型号说明.

图片	型号	符合RoHS	规格封装	频率偏差	频率
	CS12	合规	1.2 X 1.0陶瓷 4 PAD SMD	±7ppm /±10ppm	36.000MHz~80.000MHz
	CS1610	合规	1.6 X 1.0陶瓷 2 PAD SMD	±20ppm	32.768kHz
	CS16	合规	1.6 X 1.25陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	24.000MHz~60.000MHz
	CS2012	合规	2.0 X 1.2陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±20ppm /±50ppm	32.768kHz
	CS21	合规	2.0 X 1.6陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	16.000MHz~60.000MHz
	CS22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	12.000MHz~80.000MHz
	CS31	合规	3.2 X 1.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm	32.768kHz
	CS32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	10.000MHz~156.250MHz
	CS32H	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±20ppm	20.000MHz~300.000MHz
	CS41	合规	4.1 X 1.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm	32.768kHz
	CS42	合规	4.0 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	12.000MHz~50.000MHz
	CS52	合规	4.9 X 1.8陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm	32.768kHz
	CS53A	合规	5.0 X 3.2陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	7.3728MHz~270.000MHz
	CS53B	合规	5.0 X 3.2陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	7.3728MHz~156.250MHz
	CS63A	合规	6.0 X 3.5陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	7.000MHz~200.000MHz
	CS63B	合规	6.0 X 3.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	7.000MHz~200.000MHz
	CS63C	合规	6.0 X 3.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	7.000MHz~200.000MHz
	CS71	合规	7.0 X 1.5塑料 4 PAD SMD	±20ppm	32.768kHz
	CS75	合规	7.0 X 5.0陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	6.000MHz~160.000MHz
	CS83	合规	8.0 X 3.7塑料 4 PAD SMD	±20ppm	32.768kHz
	CS84	合规	8.0 X 4.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	8.000MHz~80.000MHz
	TS-SMD	合规	12.5 X 4.6塑料 4 PAD SMD	±15ppm /±20ppm	3.579MHz~70.000MHz
	SMTF	合规	5.2 X 1.4 SMD贴片晶振	±20ppm	30.000kHz~200.000kHz
	HC49 / SMD	合规	薄型 模压SMD基座  2 PAD SMD	±10ppm /±20ppm	3.000MHz~150.000MHz
	UM / SMD	合规	薄型 模压SMD基座 2 PAD SMD	±10ppm /±20ppm	4.000MHz~40.000MHz
	HC49 / SMD4	合规	薄型 模压SMD基座 4 PAD SMD	±5ppm /±10ppm	3.500MHz~100.000MHz
	HC49 / S	合规	薄型 2针通孔	±10ppm /±10ppm	3.000MHz~150.000MHz
	HC49 / U	合规	2针通孔	±5ppm /±5ppm	1.800MHz~176.000MHz
	UM-1	合规	2针通孔 微型	±5ppm /±5ppm	4.000MHz~200.000MHz
	1 X 5	合规	1.5 X 5.1 圆柱音叉	±20ppm	32.768kHz
	2 X 6	合规	2.0 X 6.3 圆柱音叉	±20ppm	32.768kHz（STD） （30kHz~360kHz可用）
	2 X 6SMD	合规	2.0 X 6.3圆柱形 SMD	±20ppm	30kHz~360kHz
	3 X 8	合规	3.1 X 8.3 圆柱音叉	±20ppm	32.768kHz（STD） （30kHz~360kHz可用）
	3 X 9	合规	3.1 X 9.3 圆柱音叉	±15ppm /±20ppm	4.000MHz~50.000MHz

TranskoCrystal is a frequency component manufacturing company located in Anaheim, California. It mainly uses oscillator modules as the main production target. From the initial production of quartz crystal resonators to the introduction of high-end TCXO crystal and VCXOCRYSTAL oscillator production equipment. In 1993, we opened a manufacturing plant in Laguna Hills, California, USA. The following is a description of the Transko crystal quartz crystal series.

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迄今为止，声电子学是功能电子学领域的一个积极发展领域。在声电子器件中，声表面滤波器（SAW）上的器件被广泛使用。优点，如高可靠性，低重量和紧凑的尺寸，精神不振，以执行各种信号处理操作确保这些设备的广泛应用和大量需求的能力，规定的规格以高精确度的实施，首先，在今天的市场商业通信。

SAW滤波器器件中的信息载体是弹性振荡的能量集中在固体的薄的近表面层中的波。压电单晶被用作传播介质。为了将电信号转换为声学和后向，并且还反射和改变声波的传播路径，使用施加到压电基板的表面的金属结构。声波的激发和接收是在表面活性剂的输入和输出转换器的帮助下进行的，其中电极的数量可以不同（从一个到几千）。

带有一个交指换能器（WSP）的SAW器件的外观如图1所示。1.表面活性剂的反射结构（OC）更经常是金属短路或开路电极的晶格或在衬底中蚀刻的沟槽系统。声波从输入到输出转换器的可用性，从表面不规则性反射并与电场和声场相互作用的能力提供了构建各种信号处理设备的可能性。

图。1.表面活性剂装置

SAW滤波器器件的特性取决于衬底材料的特性及其拓扑结构，即 SAW传感器和反射器的类型，数量，相对位置和几何尺寸。

器件的拓扑结构不仅取决于所执行的信号处理操作，还取决于所需的技术特性。现代SAW器件的拓扑结构的不同变体的数量估计有数百个。

用于表面活性剂的装置已经在各种无线电电子系统中得到应用，特别是在通信和广播系统中的雷达中。大多数情况下，这种设备执行线性信号处理的程序，即 通过预定的线性关系创建与输入信号有关的输出响应。在系统理论中，这样的设备被称为线性滤波器。例如延迟线，带通滤波器，用于复杂信号的相关处理的滤波器。表面声波滤波器（SAW）（图2）是一种固态功能器件，并且是由压电材料1制成的基板，其表面上应用了光催化系统的导电元件系统。

其中一个这样的系统 - 辐射转换器SAW 2 - 连接到输入信号的源，另一个 - 表面活性剂3的接收转换器 - 连接到负载。下高频电压源的发射换能器的交变电场，该电场是相邻电极之间的间隙中的作用由于基板材料的压电效应导致在其表面层的机械振荡。这些振荡沿表面声波形式的垂直于电极的方向在基底的薄的近表面层中传播。

图。2.表面声波滤波器的示意图

由于逆压电效应，在接收换能器的相邻电极之间，表面活性剂的机械振动导致出现作为输出信号的电压。

为了消除从基板的端部不期望SAW反射，以及到其它类型的声波能由发射换能器的表面活性剂被激发的衰减，所有外侧面和其端部由一种特殊的声音吸收涂层4覆盖。

为了降低滤波器的插入损耗通常是使用特殊的匹配电路，其被包括在源极和发射换能器和接收换能器之间与所述负载之间（未示出图2的匹配电路）。

如有必要，带有换能器和匹配电路的基板被放置在通常用作统一芯片外壳之一的公共外壳中。表面活性剂过滤器的特性主要取决于将电信号转换成声波的频率选择过程，反之亦然，即 这取决于SAW换能器，即，数量，几何尺寸和在所述转换器的电极的相互布置的拓扑结构，在相邻的电极（间隙长度）的电极连接到一个共同的求和轮胎的序列的重叠区域的长度。应用这种或那种转换器的拓扑结构，可以实现具有最多样化特征的滤波器。

与其他类型的滤波器相比，例如电LC或RC型，SAW滤波器具有以下优点：

·         在提供特定参数的高准确度的情况下实现AFC和PFC形式的各种足够复杂的可能性;

·         制造的可制造性，使用微电子标准工艺过程的可能性;

·         由于SAW滤波器是单片固态器件，因此在操作期间参数的高稳定性和操作的可靠性;

·         与微电子设备块具有良好的兼容性;

·         体积小，重量轻。

SAW滤波器的缺点包括：

·         成本增加，因为它们通常建在单晶压电基片上;

·         插入损耗水平增加，因为它们的转换器通常具有双向辐射和接收表面活性剂，因此不到信号源提供的功率的四分之一到达负载。

图。3. SAW滤波器的可能参数范围

SAW滤波器的一组成功优势很大程度上补偿了它们的缺点，所以目前SAW滤波器在很多频率上实际上没有竞争者。在图1中，图3显示了表面活性剂过滤器的可能参数的范围。

日本富士通晶振fujicom crystal公司成立于1994年,用500万日元为资本成立fujicom晶振公司.公司成立后便致力于研发生产水晶.为提高石英晶体产品品质,fujicom晶振公司引进韩国三星,日本山梨电波及日本株山公司先进的生产设备.

贴片晶振系列:玻璃封装(8045贴片晶振,7050贴片晶振,6035贴片晶振,5032贴片晶振) 金属封装(7050贴片晶振,6035贴片晶振,5032贴片晶振,4025贴片晶振,3225贴片晶振,2520贴片晶振,2016贴片晶振)

石英晶振是有源晶振和无源晶振的统称，然而石英晶振包含着插件石英晶振和石英贴片晶振，现具体的来说说无源图片石英晶振，也就是被人们通常称为石英晶体谐振器，其中的那个封装形式有其下几类：SMD2016、SMD2520、SMD3225、SMD3215、SMD5032、SMD7015、SMD7050、SMD2012。以上这些晶振封装中包含了金属面封装和陶瓷面封装

钟表可以说使我们生活中常见的事物，钟表是一种计时的装置，也是计量和指示时间的精密仪器。 钟表通常是以内机的大小来区别的。按国际惯例，机心直径超过80毫米、厚度超过30毫米的为钟;直径37~50毫米、厚度4~6毫米者，称为怀表;直径37毫米以下为手表;直径不大于20毫米或机心面积不大于314平方毫米的，称为女表。手表是人类所发明的最小、最坚固、最精密的机械之一。

几乎在所有的电子设备中都可以找到定时装置,任何一个定时装置都可以提供正确的定时信号及正确的发送时间及数据.并提供连续的同步信号.一个电子设备里面可能包含数百,甚至数千万个组件,但是这些无数的组件绝对不允许自由运行的,他们必须相互配合,创造一定的和谐,元器件之前相互配合使用,才可以发挥重大作用.这些时钟和定时装置在电子设备中的作用可以与人体的某些功能相比较.如果定时器是个主体,那么时钟晶振就是心脏.对于选型的客户来说,刚入手晶振最不懂的就是要知道什么是型号,内部都有什么参数,对应的参数要怎么匹配自己的产品等问题.好多选型的客户都咨询过这些问题,今天泰河电子为大家整理了一份关于TXC晶振选型型号列表.

CRYSTALS - 32.768KHz
	Model	Frequency	Tolerance (@ 25oC)	Load Cap (Typical)	Operating Temp	Dimensions
	9HT7	32.768KHz	±20ppm	12.5pF	-40~+85oC	6.9 x 1.4 x 1.30mm
	9HT9	32.768KHz	±20ppm	12.5pF	-40~+85oC	4.1 x 1.5 x 0.80mm
	9HT10	32.768KHz	±20ppm	12.5pF	-40~+85oC	3.2 x 1.5 x 0.75mm
	9HT11	32.768KHz	±20ppm	12.5pF	-40~+85oC	2.0 x 1.2 x 0.60mm
	9HT12	32.768KHz	±20ppm	12.5pF	-40~+85oC	1.6 x 1.0 x 0.50mm

CRYSTALS - 32.768KHz - Automotive Grade (AEC-Q200 Certified)
	Model	Frequency	Tolerance (@ 25oC)	Load Cap (Typical)	Operating Temp	Dimensions
	AH	32.768KHz	±20ppm	12.5pF	-40~+85oC	3.2 x 1.5 x 0.75mm

CRYSTALS - Basic MHz
	Model	Frequency	Tolerance (@ 25oC)	Load Cap (Typical)	Operating Temp	Dimensions
	9B	3.2 ~ 90MHz	±30ppm	18pF	-20~+70oC	11.5 x 5.0 x 3.68mm
	9C	3.2 ~ 90MHz	±30ppm	18pF	-40~+85oC	12.7 x 4.8 x 3.80mm
	7A	8 ~ 80MHz	±30ppm	18pF	-40~+85oC	5.0 x 3.2 x 1.20mm
	7V	9.9 ~ 65MHz	±30ppm	12pF	-40~+85oC	3.2 x 2.5 x 0.80mm
	7S	12 ~ 64MHz	±30ppm	12pF	-40~+85oC	2.5 x 2.0 x 0.75mm
	7B	8 ~ 100MHz	±30ppm	18pF	-40~+85oC	5.0 x 3.2 x 0.90mm
	7M	10 ~ 54MHz	±30ppm	18pF	-40~+85oC	3.2 x 2.5 x 0.70mm
	8Z	12 ~ 54MHz	±30ppm	18pF	-40~+85oC	2.5 x 2.0 x 0.55mm
	8Y	20 ~ 54MHz	±30ppm	18pF	-40~+85oC	2.0 x 1.6 x 0.50mm
	8Q	24 ~ 54MHz	±30ppm	8pF	-40~+85oC	1.6 x 1.2 x 0.35mm
	8J	36 ~ 54MHz	±30ppm	8pF	-40~+85oC	1.2 x 1.0 x 0.30mm

CRYSTALS - High Accuracy MHz
	Model	Frequency	Tolerance (@ 25oC)	Load Cap (Typical)	Operating Temp	Dimensions
	9B	3.2 ~ 90MHz	±10ppm	18pF	-20~+70oC	11.5 x 5.0 x 3.68mm
	9C	3.2 ~ 90MHz	±10ppm	18pF	-40~+85oC	12.7 x 4.8 x 3.80mm
	7B	8 ~ 100MHz	±10ppm	10pF	-40~+85oC	5.0 x 3.2 x 0.90mm
	7M	10 ~ 54MHz	±10ppm	10pF	-40~+85oC	3.2 x 2.5 x 0.70mm
	8Z	12 ~ 54MHz	±10ppm	10pF	-40~+85oC	2.5 x 2.0 x 0.55mm
	8Y	20 ~ 54MHz	±10ppm	10pF	-40~+85oC	2.0 x 1.6 x 0.50mm
	8Q	24 ~ 54MHz	±10ppm	8pF	-40~+85oC	1.6 x 1.2 x 0.35mm
	8J	36 ~ 54MHz	±10ppm	8pF	-40~+85oC	1.2 x 1.0 x 0.30mm

CRYSTALS - Automotive Grade MHz (AEC-Q200 Certified)
	Model	Frequency	Tolerance (@ 25oC)	Stability (-40~+85oC)	Load Cap (Typical)	Dimensions
	AS	4.0 ~ 25MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	11.5 x 5.0 x 3.68mm
	AT	4.0 ~ 65MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	12.7 x 4.8 x 3.80mm
	AX	8.0 ~ 40MHz	±30ppm	±50ppm	8pF	8.0 x 4.5 x 1.50mm
	AA	7.0 ~ 65MHz	±30ppm	±50ppm	8pF	5.0 x 3.2 x 1.20mm
	AV	9.9 ~ 65MHz	±30ppm	±50ppm	8pF	3.2 x 2.5 x 0.80mm
	AB	9.5 ~ 40MHz	±30ppm	±50ppm	12pF	5.0 x 3.2 x 0.90mm
	AM	10 ~ 48MHz	±30ppm	±50ppm	12pF	3.2 x 2.5 x 0.70mm
	AZ	16 ~ 74.1MHz	±30ppm	±50ppm	12pF	2.5 x 2.0 x 0.55mm

TXC无源石英晶振产品型号列表,各个型号的频率范围以及频率偏差负载电容均可以按要求订制,特别适用于正苦恼选型的客户.泰河电子将会每日更新最完整的石英晶振技术资料以及石英晶体谐振器选型列表.

获取更多相关技术资料请关注我们！每周都会定时更新晶振最新资讯。

并且随着这些现代电子产品的小型化发展，所有电子元器件也跟上了它们的脚步开始了革命性的的小型化SMD化的发展方向，例如电子元器件石英晶振就从传统的插件石英晶体振荡器到今天的SMD振荡器，从大体积石英贴片晶振7050、8045时代到小体积3325、2520等这类SMD石英晶体，谁也不曾掉队，因为掉队意味着淘汰。现在高智能科技电子产品大都是采用贴片晶振模式，但插件晶振也并没有完全退出舞台，电脑周边常用的49S石英晶振，时钟晶振中的典范代表32.768K圆柱晶振，即音叉表晶。

  亚陶晶振凭借多年积累的经验以及自身的独特技术,所生产石英晶振迅速获得市场认可,为大陆知名企业所指定的石英晶振频率元件供应商.台湾亚陶晶振为计算,通讯与消费产品市场提供集成化连接,先进时频和信号完整性解决方案.自发展以来一直都在为各行各业提供高品质,多元化,小型化石英贴片晶振.

  Diodes有源晶振具有1.8V~5V电源电压,具有低损耗,高温度等特点.精度范围从±10ppm~±50ppm高精度.具有使用可靠性高,起振快,高性能等特点.泰河电子所提供的亚陶1.8V有源晶振20PM系列FK1920010晶振编码对照表中包含32.768K晶振,26M/38.4M/19.2M/40M等常用频率.

      列表中包括亚陶KD晶振,FN晶振,UJ晶振,KX晶振,UW晶振等型号,电压均为1.8V低电压,并且有2016mm,2520mm,3225mm,5032mm,7050mm等多种封装尺寸,满足小型智能产品的需求, ±20ppm高精度符合高端机械设备对于精度偏差的高精密要求.亚陶石英晶体振荡器被广泛用于无线基站,智能手机,精密仪器,无线通信,平板笔记本,GPS卫星,计算机,数码相机,智能家居,汽车电子等.

有源晶振远比无源晶体来的更复杂的多了，无论是SMD有源晶振的脚位问题还是众多的型号尺寸问题，亦或是石英晶体振荡器众多的性能种类分类都足以彰显它的与众不同和重要的存在意义。有源晶振也一直从未停止过自己前进的步伐，从早期的大尺寸7050贴片晶振到现在的最小SMD封装1612mm贴片晶振，从以前的单一兆赫兹石英晶体振荡器到现在拥有32.768K千赫石英晶体振荡器。

美国Pletronics晶振成立于繁华的美国华盛顿,主要以石英晶体,石英晶体振荡器生产为主,1981年PLETRONICS晶振在韩国建立独资工厂,采用最先进的生产设备,及最专业的技术团队研发生产晶振.Pletronics Crystal已有30多年制造生产经验.所生产的产品使用范围广包括亚洲、欧洲和北美的制造业.Pletronics晶振公司拥有国际工程,物流和销售支持.产品设计创新,价格竞争有优势,订货交期时间短在业界具有较好的声誉.

PLETRONICS晶振公司发展历史

1979年,在美国华盛顿州成立了Pletronics公司,主营石英晶振,贴片晶振, 有源晶振,压控振荡器,（PXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器等.

1981年Pletronics晶振公司在韩国建立了一家独资工厂

1997年通过BSI实现了ISO 9001:1994,符合欧盟环保要求.

2000年卖掉了韩国工厂.转移到合同制造(铸造厂)

2001年在华盛顿制造的PECL和LVDS振荡器,使用FR4 PCB上的离散组件

2002年通过BSI实现了ISO 9001:2000,符合欧盟环保要求,开发出高频基本晶体

2003年Pletronics晶振公司在韩国和中国合资经营

2004年在5x7陶瓷中引入了较低成本的高频率PECL和LVDS振荡器,具有低抖动,低电源电压,低功耗等特点.

2005年第一个合成的PECL和LVDS振荡器106.25MHz和212.5MHz,高频率石英晶体振荡器具有高稳定性能,低功耗低抖动等特点.适用于高端精密设备中,比如高速光纤网络,北斗卫星等.

2006年介绍了我们的LVDS系列石英晶体振荡器,贴片晶振,有源晶振.

2007年合成振荡器的合资企业建立

2008年为新兴技术发布了重要的新产品,如超精密有源晶振,低损耗晶体振荡器等.

2009年发展过程和精密TCXO温补晶振,温补晶体振荡器的初步试生产

2010年引入OeXo®系列OCXO恒温晶体振荡器替代技术

2011年开发了LC振荡器技术,投入到各种高端智能设备,GPS卫星导航,无线电基站, 北斗卫星导航等领域应用.

2013年引入GypSync®TCXO模块

2014年引进100fs超低抖动的PECL / LVDS / HCSL J系列晶体振荡器, 北斗导航温补晶振,北斗GPS模块晶体振荡器

2015年推出了OeM8增强TCVCXO压控温补晶振,石英晶体振荡器,贴片晶振.

2016年引进了50fS超低抖动的PECL / LVDS K系列振荡器,石英晶体振荡器,贴片晶振, (TCXO)温补晶体振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）.