IQD如何通过遵循最佳实践进行PCB设计来有效降低不必要的相位噪声
IQD如何通过遵循最佳实践进行PCB设计来有效降低不必要的相位噪声
在现代电子设备的PCB设计领域,相位噪声就像是隐匿在暗处的暗礁,看似不起眼,却可能对电路性能产生巨大的负面影响.从本质上来说,相位噪声指的是信号相位的随机波动,这种波动会导致信号频谱的展宽,使信号的频率稳定性大打折扣.在通信系统中,相位噪声会严重影响信号的同步和调制解调过程.载波频率的微小波动都可能引起接收端信号的解码错误,尤其是在高速率传输时,这种影响会被放大,导致误码率升高,频谱效率降低,通信质量严重下滑.而在雷达系统中,相位噪声同样是个棘手的问题,它会降低距离分辨率和速度测量精度,影响目标的检测与识别,在一些对精度要求极高的应用场景中,甚至可能导致整个系统的失效.正是因为相位噪声对电路性能的影响如此显著,如何降低相位噪声成为了PCB设计中至关重要的课题.IQD进口晶振作为行业内的佼佼者,通过遵循一系列最佳实践,在降低不必要的相位噪声方面取得了显著成效,为我们提供了宝贵的经验和借鉴.
IQD的最佳实践之"选材有道"
在PCB设计的诸多环节中,材料的选择就像是为一座大厦奠定基石,其重要性不言而喻.IQD深知这一点,在降低相位噪声的征程中,对PCB材料的选用极为考究. 介电常数是IQD选材时重点关注的参数之一.介电常数反映了材料在电场作用下储存电能的能力,它对信号的传输速度和相位延迟有着直接的影响.当信号在PCB上传输时,介电常数越低,信号的传输速度就越快,相位延迟也就越小.这是因为低介电常数材料能够减少电场在材料中的能量损耗,使得信号能够更快速,更稳定地传播.在高频电路中,这种优势尤为明显,能够有效降低信号传输过程中的相位噪声.例如,在一些对信号传输速度要求极高的军用通信晶振中,IQD会选用介电常数较低的聚四氟乙烯(PTFE)基材料,这类材料的介电常数通常在2.1-2.3之间,相比传统的FR-4材料(介电常数约为4.4),能显著减少信号的相位延迟和损耗,从而降低相位噪声对系统性能的影响.
除了介电常数,损耗角正切也是不可忽视的关键参数.损耗角正切衡量的是材料在交变电场中能量损耗的程度,它与信号的衰减密切相关.在高频电路中,信号的能量会随着传输距离的增加而逐渐衰减,而损耗角正切越大,信号的衰减就越严重,这会导致信号的质量下降,相位噪声增大.IQD在选择材料时,会优先考虑损耗角正切值低的材料,以减少信号的衰减.比如,在设计用于雷达系统的PCB时,IQD会采用损耗角正切极低的材料,如RogersRO4000系列,其在10GHz时的损耗角正切值可低至0.0017,能够有效降低信号在传输过程中的能量损耗,保持信号的完整性,进而降低相位噪声,确保雷达系统能够准确地检测和识别目标.可以说,选用合适的PCB材料是降低相位噪声的关键第一步.通过对介电常数和损耗角正切等参数的严格把控,IQD为后续的PCB设计和电路性能优化奠定了坚实的基础,从源头上减少了相位噪声产生的可能性.
布局规划:构建低噪声的电路"蓝图"
PCB布局如同构建一座大厦的蓝图,布局的合理性直接关系到大厦的稳固性和功能性,对于降低相位噪声起着举足轻重的作用.IQD在布局规划方面有着一套严谨且科学的方法,通过精细的布局设计,最大限度地减少噪声干扰,为电路的稳定运行奠定了坚实基础.在IQD以太网应用晶振的布局策略中,模拟电路与数字电路的隔离是首要任务.模拟电路对噪声极为敏感,哪怕是极其微弱的干扰都可能导致信号失真,进而使相位噪声显著增加.数字电路则在工作时会产生大量的高频噪声,这些噪声如果不加以有效隔离,很容易耦合到模拟电路中,对模拟信号造成严重污染.为了实现两者的有效隔离,IQD采用了多种隔离手段.在物理空间上,将模拟电路和数字电路分别放置在PCB的不同区域,中间留出足够的隔离带,以此来减少它们之间的电磁耦合.例如,在设计一款包含模拟前端和数字信号处理模块的电路板时,IQD会将模拟前端的元件集中布置在电路板的一侧,而数字信号处理模块的元件则布置在另一侧,中间用至少5mm宽的无元件区域作为隔离带,有效降低了两者之间的相互干扰.同时,IQD还会利用接地平面和屏蔽层进一步增强隔离效果.在模拟电路和数字电路之间设置专门的接地平面,将两者的地分开,防止噪声通过地平面传播.对于一些对噪声特别敏感的模拟电路,如低噪声放大器(LNA),IQD会使用金属屏蔽罩将其包围起来,屏蔽外界的电磁干扰,确保模拟信号的纯净度.
关键元件的摆放位置同样至关重要.在IQD的布局理念中,与时钟相关的元件,如晶振,被视为需要重点关注的对象.晶振是产生时钟信号的源头,其稳定性直接影响着整个电路的相位噪声水平.为了减少晶振产生的噪声对其他元件的影响,IQD会将晶振尽可能靠近需要时钟信号的芯片放置,这样可以缩短时钟信号的传输路径,减少信号在传输过程中的损耗和干扰.同时,在晶振周围设置接地过孔,形成一个接地环,将晶振产生的噪声限制在一个较小的范围内,防止其向外扩散.此外,去耦电容也是降低相位噪声的关键元件之一.去耦电容能够快速提供或吸收芯片在开关瞬间所需的电流,减少电源线上的电压波动,从而降低噪声.IQD会将去耦电容紧密地放置在芯片的电源引脚附近,一般距离不超过0.1英寸,确保其能够及时有效地发挥去耦作用.在选择去耦电容时,IQD晶振会根据芯片的工作频率和电流需求,合理搭配不同容值的电容,形成一个完整的去耦网络,以应对不同频率段的噪声干扰.例如,对于高频芯片,会使用0.1μF的陶瓷电容来滤除高频噪声,同时搭配10μF的电解电容来处理低频噪声,通过这种组合方式,能够更全面地降低电源线上的噪声,为芯片提供稳定的电源供应.
电源层和地层的设计也是布局规划中的重要环节.电源层和地层就像是电路的"能量源泉"和"稳定基石",它们的设计质量直接影响着电路的噪声性能.在多层PCB设计中,IQD通常会将电源层和地层相邻设置,利用两者之间的电容效应来降低电源平面的阻抗,减少电源噪声的传播.例如,在一个四层PCB中,IQD会将第二层设置为地层,第三层设置为电源层,这样可以使电源和地之间的距离最小化,增强它们之间的耦合,从而有效地抑制电源噪声.同时,IQD会对电源层和地层进行合理的分割,以满足不同电路模块对电源的需求.对于模拟电路和数字电路,分别提供独立的电源区域,避免它们之间的电源相互干扰.在分割电源层和地层时,IQD会特别注意避免出现孤岛现象,确保各个电源区域之间有良好的电气连接,防止因电源分割不当而产生的噪声问题.此外,IQD还会在电源层和地层上合理布置过孔,以减小电流的回流路径,降低地弹噪声.通过优化过孔的位置和数量,使电流能够以最短的路径回流,减少了电流在回流过程中产生的电磁干扰,进一步提高了电路的抗噪声能力.
布线艺术:让信号"安静"地流动
如果说布局规划搭建起了电路的基本框架,那么布线则是为这座大厦铺设脉络,其对于降低相位噪声的重要性同样不容小觑.IQD在布线过程中,凭借着精湛的技艺和对细节的极致追求,遵循一系列严格的布线规则,确保信号能够"安静"地流动,有效降低了不必要的相位噪声.控制走线长度是IQD布线的关键原则之一.在高速电路中,信号在传输线上传输时,会受到电阻,电容和电感等寄生参数的影响,走线越长,这些影响就越明显,信号的延迟和衰减也就越大,从而容易引入噪声,增加相位噪声的水平.例如,在时钟信号布线时,IQD会将时钟源与使用时钟信号的芯片之间的走线长度严格控制在最短距离.以一款工作频率为1GHz的芯片为例,IQD会确保其时钟信号走线长度不超过5cm,这样可以将信号传输延迟控制在极小的范围内,减少信号的相位抖动,进而降低相位噪声.同时,IQD也会合理控制其他关键信号的走线长度,根据信号的频率和对噪声的敏感程度,制定相应的走线长度限制标准,从源头上减少噪声的引入.
避免信号环路也是IQD布线时着重考虑的要点.信号环路就像是一个小型的天线,会向外辐射电磁能量,同时也容易6G接收器晶振外界的干扰信号,这会极大地增加相位噪声.为了避免这种情况,IQD在布线时会精心规划信号路径,确保信号在不同层之间的转换和传输过程中不会形成闭合的环路.在多层PCB布线中,对于一些重要的差分信号对,IQD会采用严格的等长等距布线方式,使差分信号在传输过程中保持平衡,避免因长度差异而形成信号环路.同时,在信号层与地层的布局上,IQD会确保地层的完整性,避免在地层上出现大面积的开槽或空洞,因为这些缺陷可能会导致信号回流路径的改变,从而形成信号环路.通过这些措施,IQD有效地减少了信号环路的产生,降低了电磁辐射和干扰,提高了信号的稳定性,进而降低了相位噪声.在布线拓扑结构的选择上,IQD也有着丰富的经验和科学的方法.不同的布线拓扑结构适用于不同的电路场景,对信号的传输和相位噪声的影响也各不相同.点到点拓扑结构适用于信号源和接收端一对一的简单连接场景,这种结构可以减少信号分支带来的干扰,信号传输路径直接,易于进行阻抗匹配,能够有效降低信号的反射和噪声,提高信号的完整性,从而降低相位噪声.在一些对信号质量要求极高的高速数据传输电路中,IQD会优先采用点到点拓扑结构.而对于多个接收端的情况,IQD会根据具体需求选择菊花链拓扑结构或星型拓扑结构.菊花链拓扑结构将所有的接收端依次连接在一条信号线上,布线相对简单,但需要注意信号在传输过程中的衰减和反射问题,通过合理的阻抗匹配和信号补偿措施,可以有效降低噪声,满足一些对成本和布线空间有一定要求的应用场景.星型拓扑结构则是从信号源出发,将信号分别传输到各个接收端,这种结构可以更好地控制信号的时序和传输延迟,但布线复杂度较高,对PCB的空间要求也较大.在一些对信号时序要求严格的高速总线电路中,如DDR内存总线,IQD会采用星型拓扑结构,并通过精心的布线设计和信号完整性分析,确保信号能够准确,稳定地传输,降低相位噪声对系统性能的影响.
在实际布线过程中,IQD还会综合考虑各种因素,如信号的类型,频率,功率等,对布线规则进行灵活调整和优化.对于高频信号,IQD会采用更短,更直的走线,并增加屏蔽措施,如用地线包围高频信号线,以减少信号之间的串扰和外界干扰.对于功率较大的信号,IQD会适当加宽走线宽度,以降低走线的电阻和电感,减少信号传输过程中的功率损耗和噪声.同时,IQD还会利用先进的EDA工具进行布线前的仿真和分析,提前预测可能出现的信号完整性问题和相位噪声隐患,并及时调整布线方案,确保最终的PCB设计能够满足严格的性能要求.
电源管理:为电路提供"纯净"动力
电源就像是电子设备应用晶振的心脏,源源不断地为电路提供运行所需的能量.而电源的稳定性和纯净度,直接关系到电路中各个元件的工作状态,对相位噪声有着至关重要的影响.IQD深知这一点,在PCB设计中,通过一系列精心的电源管理措施,为电路打造了一个稳定,纯净的供电环境,从电源端有效降低了相位噪声的产生.电源滤波是IQD电源管理的重要环节.在电源输入部分,IQD通常会采用多种滤波器组合的方式,以滤除不同频率段的噪声.对于低频噪声,电感和电容组成的LC滤波器是常用的选择.电感具有阻止电流变化的特性,而电容则可以储存和释放电荷,通过合理搭配电感和电容的参数,LC滤波器能够有效地抑制低频纹波,使电源的直流成分更加稳定.例如,在一款需要为多个芯片供电的PCB设计中,IQD会在电源输入端串联一个10μH的电感,并并联一个100μF的电解电容和一个0.1μF的陶瓷电容.10μH的电感可以对低频电流的变化起到缓冲作用,100μF的电解电容能够储存大量电荷,用于补偿低频段的电流波动,而0.1μF的陶瓷电容则擅长滤除高频噪声,这样的组合能够全方位地减少电源输入中的低频和高频噪声干扰,为后续电路提供相对干净的电源.
除了LC滤波器,IQD还会使用π型滤波器来进一步提高滤波效果.π型滤波器由两个电容和一个电感组成,形状如同希腊字母π,这种滤波器对高频噪声有着更强的抑制能力.在高频电路中,信号的快速变化会产生大量的高频噪声,这些噪声如果不加以有效滤除,很容易通过电源线路传播到其他电路模块,导致相位噪声增大.π型滤波器通过将两个电容分别连接在电源的正负极和地之间,中间串联电感,形成了一个对高频噪声高阻抗的电路结构,使高频噪声在滤波器处被大量衰减,无法进入后续电路.例如,在设计一款工作频率为5GHz的射频电路时,IQD贴片晶振会在电源输入部分采用π型滤波器,选用两个0.01μF的陶瓷电容和一个1μH的电感,经过实际测试,这种滤波器能够将高频噪声降低20dB以上,有效减少了高频噪声对射频电路的干扰,降低了相位噪声,保证了射频信号的稳定传输.
去耦电容的合理使用也是IQD降低相位噪声的关键策略之一.去耦电容就像是电路中的"噪声海绵",能够快速吸收和释放电流,平滑电源电压的波动,防止噪声在电源线上传播.在IQD的PCB设计中,去耦电容被广泛应用于芯片的电源引脚附近.如前所述,每个芯片在工作时都会瞬间吸收或释放电流,这会导致电源电压产生微小的波动,这些波动如果不及时消除,就会产生噪声并影响芯片的正常工作,进而增加相位噪声.IQD会根据芯片的工作频率和电流需求,选择合适容值和类型的去耦电容.对于工作频率在几十MHz到几百MHz的芯片,通常会在其电源引脚附近放置一个0.1μF的陶瓷电容,这种电容具有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),能够快速响应芯片的电流变化,滤除高频噪声.同时,为了应对低频段的电流波动,IQD还会搭配一个10μF或更大容值的电解电容.电解电容的容量较大,可以储存更多的电荷,用于补偿低频段的电流变化,与0.1μF的陶瓷电容形成互补,共同为芯片提供稳定的电源.例如,在一款基于ARM处理器的电路板设计中,IQD在处理器的每个电源引脚附近都紧密放置了一个0.1μF的陶瓷电容和一个10μF的电解电容,通过这种方式,有效地降低了电源线上的噪声,保证了处理器的稳定运行,从而降低了整个系统的相位噪声.
在电源平面的分割方面,IQD同样有着严格的规范和精细的设计.随着电子设备功能的日益复杂,一块PCB上往往需要为不同类型的电路模块提供多种不同电压的电源,这就涉及到电源平面的分割问题.合理的电源平面分割可以减少不同电源之间的相互干扰,降低噪声的传播路径,从而有助于降低相位噪声.IQD会根据电路模块的功能和对电源的要求,将电源平面进行合理划分.例如,将模拟电源和数字电源分开,避免数字电路产生的高频噪声通过电源平面耦合到模拟电路中.在分割电源平面时,IQD会确保不同电源平面之间有足够的隔离距离,一般会保持在20mil以上,以防止电源之间的串扰.同时,对于一些对噪声特别敏感的电路模块,如射频前端电路,IQD会为其提供独立的电源区域,并采用多层PCB结构,将射频电源层与其他电源层隔离开来,进一步增强隔离效果.此外,IQD还会在电源平面之间设置一些缝补电容,这些电容可以为信号提供较短的回流通路,减少因电源平面分割而产生的信号反射和噪声,确保电源平面的完整性和稳定性,从而降低相位噪声对电路性能的影响.
测试与验证:确保降噪效果的"试金石"
在完成PCB设计的各个关键环节后,测试与验证就成为了检验设计成果,确保相位噪声有效降低的"试金石".IQD深知这一环节的重要性,采用了一系列严谨且科学的测试方法和验证流程,从多个维度对PCB设计进行全面评估,为产品的高性能和稳定性提供了坚实保障.专业仪器测量是IQD测试相位噪声的重要手段之一.其中,频谱分析仪在相位噪声测量中发挥着关键作用.以是德(Keysight)频谱分析仪为例,其采用"直接频谱分析法",通过精确观测载波频率附近边带的功率谱密度,能够准确计算出相位噪声.在使用该仪器进行测试时,IQD会严格遵循操作步骤,确保测量结果的准确性.首先,在测试前,会精心准备测试环境,使用屏蔽电缆连接信号源与分析仪,有效避免外部干扰,同时,对设备进行至少30分钟的预热,让内部电路充分稳定,然后根据仪器手册进行全面的幅度,频率校准,消除系统可能存在的误差.在参数设置阶段,IQD美国进口晶振会根据待测信号的特点进行优化设置.将中心频率精准设置为待测信号频率,如在测试一款工作频率为5GHz的射频电路时,会将中心频率设为5GHz,跨度则调整为能够覆盖目标频偏范围,通常会设置为±10MHz,以确保能够捕捉到载波频率附近的噪声信号.分辨率带宽(RBW)和视频带宽(VBW)的设置也至关重要,RBW一般设为1kHz-10kHz,以在测量速度和分辨率之间找到最佳平衡,VBW则设为RBW的1/10-1/5,用于抑制显示噪声,使测量结果更加清晰准确.参考电平的调整也不容忽视,会将其调整到使载波位于屏幕中部的合适位置,必要时增加衰减器,防止信号过载,影响测量精度.完成参数设置后,IQD会利用频谱仪的"相位噪声"一键测量功能,快速获取初步测量结果.为了获得更精细的分析,还会采用手动分析模式,手动标记载波与边带功率,通过公式(Pm-Pc-10lgRBW)进行精确计算,确保相位噪声测量的准确性.
除了频谱分析仪,相位噪声分析仪也是IQD常用的专业测试仪器.罗德与施瓦茨的FSWP50相位噪声分析仪就是一款功能强大的设备,它不仅能够测量相位噪声,还可以同时测量振幅噪声,为IQD提供了更全面的噪声分析数据.该分析仪频率范围从1MHz到50GHz,能够满足不同频率段的测试需求.其内部拥有低噪声的本地振荡器,无需其他选项即可测量大多数商用合成器和振荡器的相位噪声.在一些对相位噪声要求极高的应用中,如雷达系统,FSWP50还可以配备接收路径,实现互相关功能,根据所使用的相关数量,可将灵敏度提高25dB,能够快速,准确地测量出高度稳定的信号源的相位噪声和幅度噪声.
除了专业仪器测量,实际应用场景测试也是IQD验证PCB设计有效性的重要环节.IQD会将设计好的PCB应用到实际的产品中,模拟各种真实的工作环境,对其性能进行全面测试.在通信设备中,会进行不同通信协议和数据速率下的信号传输测试,观察信号的同步情况,误码率等指标,评估相位噪声对通信质量的影响.在一款5G通信基站的PCB设计验证中,IQD会在不同的信号强度,干扰环境下,测试基站与终端设备之间的通信性能.通过大量的实际测试数据,分析相位噪声在不同场景下对通信信号的影响规律,从而判断PCB设计是否能够满足实际应用的需求.如果发现问题,会及时对设计进行优化调整,重新进行测试验证,直到产品性能达到预期标准.
在汽车电子领域,由于汽车运行环境复杂,对电子设备的可靠性和稳定性要求极高.IQD会将PCB安装在汽车模拟测试平台上,模拟汽车在不同路况,温度,湿度等条件下的运行情况,测试相关电子系统的性能.在汽车导航系统的PCB设计验证中,会在高温,低温,振动等多种环境因素综合作用下,测试导航系统的定位精度,信号接收稳定性等指标.通过这些实际应用场景测试,能够更真实地反映PCB在复杂环境下的工作状态,发现潜在的问题,确保最终产品在各种实际使用条件下都能稳定可靠地运行.测试与验证是IQD降低相位噪声过程中不可或缺的关键环节.通过专业仪器测量和实际应用场景测试,IQD蓝牙模块晶振能够全面,准确地评估PCB设计的性能,及时发现并解决问题,不断优化设计方案,确保产品在实际应用中能够有效降低相位噪声,满足日益严苛的电子设备性能需求.
IQD如何通过遵循最佳实践进行PCB设计来有效降低不必要的相位噪声
|
LFSPXO022731REEL |
IQD 进口晶振 |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
100 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO020462BULK |
IQD 进口晶振 |
CFPS-72 |
XO (Standard) |
64 MHz |
HCMOS, TTL |
5V |
|
LFSPXO009585BULK |
IQD 进口晶振 |
CFPS-69 |
XO (Standard) |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO009586BULK |
IQD 进口晶振 |
CFPS-69 |
XO (Standard) |
14.7456 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO009590BULK |
IQD 进口晶振 |
CFPS-69 |
XO (Standard) |
32 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO083822REEL |
IQD 振荡器 |
IQXO-951 3225 |
XO (Standard) |
50 MHz |
CMOS |
1.62V ~ 3.63V |
|
LFSPXO083813REEL |
IQD Crystal |
IQXO-951 3225 |
XO (Standard) |
12 MHz |
CMOS |
1.62V ~ 3.63V |
|
LFSPXO083818REEL |
IQD Crystal |
IQXO-951 3225 |
XO (Standard) |
24 MHz |
CMOS |
1.62V ~ 3.63V |
|
LFSPXO083826REEL |
IQD Crystal |
IQXO-951 2520 |
XO (Standard) |
25 MHz |
CMOS |
1.62V ~ 3.63V |
|
LFSPXO083824REEL |
IQD晶振 |
IQXO-951 2520 |
XO (Standard) |
16 MHz |
CMOS |
1.62V ~ 3.63V |
|
LFSPXO083832REEL |
IQD晶振 |
IQXO-951 2016 |
XO (Standard) |
25 MHz |
CMOS |
1.62V ~ 3.63V |
|
LFSPXO076588REEL |
IQD晶振 |
CFPS-39 |
XO (Standard) |
18.432 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO082283RL3K |
IQD晶振 |
CFPS-102 |
XO (Standard) |
32.768 kHz |
CMOS |
1.8V |
|
LFSPXO076025REEL |
IQD晶振 |
IQXO-691 3225-12 |
XO (Standard) |
26 MHz |
CMOS |
1.2V |
|
LFSPXO009618BULK |
IQD晶振 |
CFPS-32 |
XO (Standard) |
125 MHz |
CMOS |
2.5V |
|
LFSPXO009589BULK |
IQD晶振 |
CFPS-69 |
XO (Standard) |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO083815REEL |
IQD晶振 |
IQXO-951 3225 |
XO (Standard) |
16 MHz |
CMOS |
1.62V ~ 3.63V |
|
LFSPXO083828REEL |
IQD Crystal |
IQXO-951 2520 |
XO (Standard) |
50 MHz |
CMOS |
1.62V ~ 3.63V |
|
LFSPXO071232REEL |
IQD Crystal |
CFPS-39 AUTO |
XO (Standard) |
24 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO071234REEL |
IQD Crystal |
CFPS-39 AUTO |
XO (Standard) |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO025492REEL |
IQD Crystal |
CFPS-39 |
XO (Standard) |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO025493REEL |
IQD Crystal |
CFPS-39 |
XO (Standard) |
14.31818 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO026368REEL |
IQD Crystal |
CFPS-39 |
XO (Standard) |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO056299REEL |
IQD Crystal |
IQXO-791 |
XO (Standard) |
40 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO066657REEL |
IQD Crystal |
IQXO-791 |
XO (Standard) |
16 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO056296REEL |
IQD Crystal |
IQXO-791 |
XO (Standard) |
25 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO056300REEL |
IQD Crystal |
IQXO-791 |
XO (Standard) |
48 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO056289REEL |
IQD Crystal |
IQXO-791 |
XO (Standard) |
12 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO056294REEL |
IQD Crystal |
IQXO-791 |
XO (Standard) |
24 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO082286RL3K |
IQD Crystal |
CFPS-104 |
XO (Standard) |
32.768 kHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO072387REEL |
IQD Crystal |
CFPS-56 AUTO |
XO (Standard) |
16 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO071920REEL |
IQD Crystal |
CFPS-39 |
XO (Standard) |
8 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO082294RL3K |
IQD Crystal |
CFPS-107 |
XO (Standard) |
32.768 kHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO018043REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
48 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO019170REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
25 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO018379REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
4 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO021890REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
8 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO018036REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
10 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO018534REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
6 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO017885REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
40 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO073706REEL |
IQD Crystal |
IQXO-404 |
XO (Standard) |
32.768 kHz |
CMOS |
1.8V |
|
LFSPXO073700REEL |
IQD Crystal |
IQXO-402 |
XO (Standard) |
32.768 kHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO073701REEL |
IQD Crystal |
IQXO-402 |
XO (Standard) |
32.768 kHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO056215REEL |
IQD Crystal |
IQXO-542 |
XO (Standard) |
20 MHz |
CMOS |
1.8V |
|
LFSPXO018034REEL |
IQD Crystal |
CFPS-72 |
XO (Standard) |
16 MHz |
HCMOS, TTL |
5V |
|
LFSPXO018032REEL |
IQD Crystal |
CFPS-72 |
XO (Standard) |
20 MHz |
HCMOS, TTL |
5V |
|
LFSPXO020502REEL |
IQD Crystal |
CFPS-72 |
XO (Standard) |
4 MHz |
HCMOS, TTL |
5V |
|
LFSPXO025876REEL |
IQD Crystal |
CFPS-72 |
XO (Standard) |
13.56 MHz |
HCMOS, TTL |
5V |
|
LFSPXO020060REEL |
IQD Crystal |
CFPS-72 |
XO (Standard) |
24 MHz |
HCMOS, TTL |
5V |
|
LFSPXO052977REEL |
IQD Crystal |
CFPS-102 |
XO (Standard) |
32.768 kHz |
CMOS |
1.8V |
|
LFSPXO020795REEL |
IQD Crystal |
CFPS-72 |
XO (Standard) |
32 MHz |
HCMOS, TTL |
5V |
|
LFSPXO018545REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
60 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO071189REEL |
IQD Crystal |
IQXO-540 AUTO |
XO (Standard) |
8 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO071190REEL |
IQD Crystal |
IQXO-540 AUTO |
XO (Standard) |
10 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO071191REEL |
IQD Crystal |
IQXO-540 AUTO |
XO (Standard) |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
|
LFSPXO076024REEL |
IQD Crystal |
IQXO-691 3225-12 |
XO (Standard) |
25 MHz |
CMOS |
1.2V |
|
LFSPXO076027REEL |
IQD Crystal |
IQXO-691 3225-12 |
XO (Standard) |
40 MHz |
CMOS |
1.2V |
|
LFSPXO076023REEL |
IQD Crystal |
IQXO-691 3225-12 |
XO (Standard) |
24 MHz |
CMOS |
1.2V |
|
LFSPXO009441REEL |
IQD Crystal |
CFPS-73 |
XO (Standard) |
80 MHz |
HCMOS |
3.3V |
|
LFSPXO009443REEL |
IQD Crystal |
CFPS-72 |
XO (Standard) |
80 MHz |
HCMOS, TTL |
5V |
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