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- [技术支持]高精度1612小尺寸晶体2019年08月23日 08:47
开发的1.6×1.2 mm GT-Cut石英晶体单元满足低功率，高精度，紧凑和薄型单元在低MHz频率下工作的电流需求。
日本，2014年1月31日：RIVER ELETEC（总部位于日本山梨县的Nirasaki）开发出一种超紧凑，低频率的MHz石英晶体单元。它以更小的封装（不超过1.6×1.2×0.33 mm）提供GT切割石英晶体的出色频率 - 温度特性，适用于频率范围为8至20 MHz的应用。开发利用了我们对10 MHz范围GT切割元件的持续研究以及精密光刻技术的使用年限。
GT-cut石英晶体单元最初是在20世纪40年代开发的，具有出色的频率 - 温度特性，在空白制造方面面临挑战，限制了批量生产。另一方面，对于AT切割石英晶体单元，近年来已经转向支持更高频率以响应更小封装的趋势，从而需要在较低MHz频率下工作的较小的低功率单元。
GT切割石英晶体单元的优点
1.紧凑，薄型单元，工作频率较低
GT切割石英晶体单元的宽度延伸模式（图1）允许封装设计不受毛坯尺寸的限制，从而可以在较低的MHz频率下工作，显着更小，更薄的单元，传统AT切割难以实现的特性石英晶体单元。 （参见表1.）GT切割石英晶体单元的等效电路常数与AT切割单元的等效电路常数相当。
表1：石英晶体单元封装的比较
图1：结合主要（宽度 - 延伸）和次要（长度 - 延伸）振动的模式
比较：GT-Cut石英晶体单元（左）和AT-Cut石英晶体单元（右）
2.在宽温度范围内稳定的频率
GT切割石英晶体单元具有非常优越的频率 - 温度特性（图2）。 该开发产生的单位在-20至+ 70°C范围内具有±3 ppm的显着值，在-40至+ 85°C范围内具有±5ppm的性能，而AT切割石英晶体单元则无法实现这一性能。
3.可以低功率驱动
由于智能手机，平板电脑和可穿戴电子产品采用电池供电，因此低功耗是电子元件的基本特征。鉴于使用AT切割石英晶体单元难以实现稳定的低功率振动，这些元件通常以10μW或更高的速度驱动。相比之下，GT切割石英晶体单元允许设计具有最佳轮廓，尺寸和厚度的振荡器，以最小化振动损失并确保稳定的振荡，即使在5μW或更低的驱动下也是如此。
电池供电的移动设备通常设计为间歇运行，以帮助最大限度地降低功耗。这种装置需要能够快速恢复振荡的晶体。与传统的紧凑型AT切割石英晶体单元相比，GT切割单元的启动振荡时间约为550μs的两倍（与同一振荡电路中的12 MHz FCX-05晶振相同且频率相同）。
GT切割石英晶体单元融合了其他领域的丰富技术专长。
1.轮廓模式振动的设计专业知识
RIVER ELETEC拥有开发利用轮廓模式振动的产品的历史，包括Lame模式共振器。我们为各种振动模式积累了大量的技术和设计专业知识，GT切割石英晶体单元充分利用了这些知识。这些单元在宽度延伸模式下使用轮廓模式振动。
2.高精度光刻
GT切割石英晶体采用数微米（μm）的精密制造生产，采用通过生产音叉石英晶体单元而精制的精密光刻技术。
3.电子束密封，具有极高的可靠性
GT切割晶体采用专有的电子束密封技术，通过金属盖密封在陶瓷封装上进行空气密封。这种保护性密封通过在封装内保持高真空条件来确保高芯性能，并确保其他RIVER CRYSTAL产品具有同样出色的可靠性。
时间表
样品出货计划于2014年2月开始。将这些产品作为频率振荡源提供给许多需要使用AT切割石英晶体单元难以实现的电子设备 - 即在更宽的温度范围内保持稳定的频率，超紧凑，低配置单元工作在较低的MHz频率和低功耗 - 我们继续在各种频率范围内扩展我们的产品线。
- 阅读（284）
- [晶振编码查询]1XTV26000JBA|KDS晶振|株式会社大真空|VCTCXO晶振2019年08月21日 09:02
KDS 晶振即是日本大真空株式会社（DASHINKU CORP）,成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.
首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称（KDS）在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【泰河电子】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.
1XTV26000JBA|KDS晶振|株式会社大真空|VC-TCXO振荡器
Model Name 型号 DSA321SDM Original code 原厂代码 1XTV26000JBA Device Name 产品名称系列 VC-TCXO(压控温补振荡器) Nominal Frequency 标称频率 26 MHZ Supply Voltage 电源电压
3.3V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 3.2*2.5*0.9mm 1XTV26000JBA晶振产品尺寸图
1XTV26000JBA晶振产品电气表
关于1XTV26000JBA压控温补振荡器产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部（安装侧）。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内，可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。包装条件
胶带包装
（1）压花胶带格式及尺寸
（2）卷筒数量:最多2000个/卷
（3）胶带规格
不缺产品。
（4）卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级：IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装，无需重新储存后烘烤。
包装箱
最多10卷/包装箱。但是，在少于10卷的情况下，它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。
- 阅读（133）
- [晶振编码查询]1XTW16368MAA|KDS晶振|株式会社大真空|TCXO振荡器2019年08月02日 15:06
1XTW16368MAA|KDS晶振|株式会社大真空|TCXO振荡器
Model Name 型号 DSB321SDN晶振 Original code 原厂代码 1XTW16368MAA Device Name 产品名称系列 TCXO(温补振荡器) Nominal Frequency 标称频率 16.368 MHZ Supply Voltage 电源电压
2.8V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-30~+85℃ Storage temperature 储存温度
-55~+125℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 3.2*2.5*0.9mm
1XTW16368MAA晶振产品尺寸图
1XTW16368MAA晶振产品电气表
关于1XTW16368MAA温补晶振产品安装的注意事项
终端/陆上布局/金属屏蔽孔
1端子A通孔不在底部（安装侧）。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内，可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。包装条件
胶带包装
（1）压花胶带格式及尺寸
（2）卷筒数量:最多2000个/卷
（3）胶带规格
不缺产品。
（4）卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级：IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装，无需重新储存后烘烤。
包装箱
最多10卷/包装箱。但是，在少于10卷的情况下，它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。- 阅读（137）
- [技术支持]陶瓷谐振器的共振原理2019年07月23日 16:11
等效电路常数：图1.2显示了陶瓷谐振器的符号。端子间的阻抗和相位特性如图1.5所示。该图说明陶瓷谐振器在提供最小阻抗的频率fr（谐振频率）和提供最大阻抗的频率fa（反谐振频率）之间的频率范围内变为电感性的。它在其他频率范围内变为电容。这意味着双端子谐振器的机械振荡可以用等效电路代替，该等效电路由串联和并联谐振电路的组合构成，其中包括电感器L，电容器C和电阻器R.在谐振频率附近，等效电路可以表示如图1.4所示。
fr和f a频率由压电陶瓷材料及其物理参数决定。等效电路常数可以从以下公式确定：
考虑到fr≤f≤fa的有限频率范围，阻抗给出为Z = R e + jwL e（Le≤= 0），如图1.5所示。 陶瓷谐振器应当作为具有损耗R e（Ω）的电感器L e（H）操作。
图1.1显示了陶瓷谐振器和石英晶体谐振器之间等效电路常数的比较。 注意，电容和Q m存在很大差异，这导致实际操作时振荡条件的差异。 附录中的表格显示了每种陶瓷谐振器的等效电路常数的标准值。
除了期望的振荡模式之外，存在用于其他振荡模式的高次谐波。 存在这些其他振荡模式是因为陶瓷谐振器使用机械共振。 图1.6显示了这些特征。
基本振荡电路
通常，振荡电路可分为以下三种类型：
1.积极的反馈
2.负电阻元件
3.在陶瓷谐振器，石英晶体谐振器和LC振荡器的情况下，传输时间或相位的延迟，正反馈是首选电路。
在使用LC的正反馈振荡电路中，通常使用Colpitts和Hartley的调谐型反耦合振荡电路。 见图1.7。
在图1中。 在图7中，使用晶体管，它是最基本的放大器。
振荡频率与Colpitts电路中由L，C L1和C L2组成的电路的谐振频率大致相同，或者由Hartley电路中的L 1，L 2和C组成。 这些频率可以用下面的公式表示。
在陶瓷谐振器振荡器中，利用陶瓷谐振器代替电感器，利用谐振器在谐振和反谐振频率之间变为电感的事实。 最常用的电路是Colpitts电路。
这些振荡电路的工作原理如图2.1所示。 满足以下条件时发生振荡。
环路增益：G =α•β≥1
相位量：φT=φ1+φ2= 360°•n（n = 1,2，...）
在Colpitts电路中，使用φ1= 180°的反转，并且在反馈电路中用L和C反转φ2= 180°。 用陶瓷谐振器的操作可以认为是相同的。
应用
典型的振荡电路：陶瓷谐振器最常见的振荡器电路是Colpitts电路。电路的设计随应用和要使用的IC等而变化。尽管电路的基本配置与晶体控制振荡器的基本配置相同，但机械Q的差异是由电路常数的差异引起的。一些典型的例子如下。
设计考虑因素：使用逆变器门将数字IC配置为振荡电路变得越来越普遍。下页的图3.1显示了带CMOS反相器的基本振荡电路的配置。
INV.1用作振荡电路的反相放大器。 INV.2用作波形整形器，也用作输出的缓冲器。
反馈电阻R f在逆变器周围提供负反馈，以便在通电时振荡开始。
如果R f的值太大而输入逆变器的绝缘电阻很低，则由于环路增益的损失，振荡将停止。而且，如果R f太大，则可以将来自其他电路的噪声引入振荡电路。显然，如果R f太小，则环路增益会降低。 1MΩ的R f通常与陶瓷谐振器一起使用。
阻尼电阻Rd具有以下功能，但有时省略。它使逆变器和反馈电路之间的耦合松动;从而减小逆变器输出侧的负载。此外，反馈电路的相位稳定。它还提供了一种降低高频增益的方法，从而防止了寄生振荡的可能性。
负载电容：负载电容C L1和C L2提供180°的相位滞后。应根据应用，使用的IC和频率正确选择这些值。如果C L1和C L2的值低于必要值，则高频环路增益会增加，从而增加了寄生振荡的可能性。这特别有可能在厚度振动模式所在的4-5MHz附近。
该电路中的振荡频率（f OSC）大致由下式表示。
其中，f r：陶瓷谐振器的谐振频率。
C1：陶瓷谐振器的等效串联电容。
C0：陶瓷谐振器的等效并联电容。
C L = C L1•C L2 / C L1 + C L2
这清楚地表明振荡频率受负载电容的影响。当需要对振荡频率的严格公差时，应注意定义其值。
CMOS反相器：CMOS反相器可用作反相放大器; 4069 CMOS组的单级型最有用。由于增益过大，环形振荡或CR振荡是使用三级缓冲型逆变器（如4049组）时的典型问题。 ECS采用RCA CD4O69UBE作为CMOS标准电路，如图3.2所示。
HCMOS逆变器电路：最近，高速CMOS（HCMOS）越来越多地用于允许微处理器的高速和低功耗的电路。
HCMOS逆变器有两种类型：非缓冲74HCU系列和带缓冲器的74HC系列。 74HCU系统是陶瓷谐振器的最佳选择。见图3.3
TTL逆变器电路：由于阻抗匹配，负载电容C L1和C L2的值应大于CMOS的值。此外，反馈电阻R f应小至几KΩ。注意，需要偏置电阻R d来正确确定DC工作点。
频率相关：振荡器电路如图所示
以下页面是ECS标准测试电路。这些电路中使用的逆变器被广泛接受为工业标准，因为它们的特性代表了同一系列（CMOS / HCMOS / TTL）中微处理器中的特性。当然，应用将使用不同的IC，并且可以预期，振荡器电路特性将因IC而异。
通常，这种变化可以忽略不计，并且可以简单地通过将处理器分类为CMOS，HCMOS或TTL来选择陶瓷谐振器部件号。
鉴于标准ECS陶瓷谐振器在下页中对测试电路进行100％频率分类，因此将标准电路的振荡频率与客户指定电路的振荡频率相关联相对容易。
例如，如果使用的微处理器是摩托罗拉6805，频率为4MHz，那么正确的ECS部件号将是ZTA4.OMG（频率分类到CD4O69UBE CMOS测试电路）。电路参数应选择如下：
通过实际设置该电路以及下面图3.1所示的标准测试电路，可以确定使用带有6805处理器的ZTA4.OMG时可以预期的平均偏移。 实际数据如下所示：
根据这些数据，可以预测标准ZTA4.00MG谐振器的频率偏离原始的4.00MHz±0.5％初始容差约+ 0.06％。 这当然是一个可以忽略不计的转变，不会以任何方式影响电路性能。
各种IC / LSI电路：
通过充分利用前面提到的特征，陶瓷谐振器与各种IC组合在一起被广泛应用。以下是一些实际应用示例。
微处理器的应用：陶瓷谐振器是各种微处理器的最佳稳定振荡元件：4位，8位和16位。由于微处理器参考时钟所需的一般频率容差为±2％ - 3％，因此标准单元满足此要求。向您的ECS或LSI制造商询问电路常数，因为它们随频率和使用的LSI电路而变化。图A显示了具有4位微处理器的应用程序，图B显示了具有8位微处理器的应用程序。
遥控器IC：遥控器越来越成为一种常见功能。振荡频率通常为400-500 KHz，455KHz是最受欢迎的。该455KHz被载波信号发生器分频，从而产生大约38KHz的载波。
VCO（压控振荡器）电路：VCO电路用于电视和音频设备，因为信号需要与广播电台发送的导频信号同步处理。最初使用振荡电路，例如LC和RC;然而，现在使用陶瓷谐振器，因为它们不需要调整并且具有优于旧型电路的稳定性。用于VCO应用的谐振器需要具有宽的可变频率
其他：除上述用途外，陶瓷谐振器广泛用于IC用于语音合成和时钟生成。对于一般的定时控制应用，振荡频率通常由用户根据IC制造商推荐的工作频率范围选择。用给定的IC选择这个频率将决定什么电路值和哪个陶瓷谐振器是合适的。选择陶瓷谐振器部件号时，请联系您当地的ECS销售代表。
如前所述，陶瓷谐振器有许多应用。一些更具特定应用的振荡器电路要求为该应用和IC开发独特的陶瓷谐振器。
振荡上升时间
振荡上升时间是指在激活IC的电源时振荡从瞬态区域发展到稳定区域的时间。使用陶瓷谐振器时，它定义为在稳定条件下达到振荡电平的90％的时间如图6.1所示。
上升时间主要是振荡电路设计的函数。通常，较小的负载电容，较高频率的陶瓷谐振器和较小尺寸的陶瓷谐振器将导致较快的上升时间。随着谐振器的电容减小，负载电容的影响变得更明显。图6.2显示了对负载电容（C L）和电源电压的上升时间的实际测量。值得注意的是，陶瓷谐振器的上升时间比石英晶体快一到二十倍。 （这一点在图6.3中用图解说明）
启动电压：启动电压是指振荡电路可以工作的最小电源电压。所有电路元件都会影响启动电压。它主要取决于IC的特性。图6.4示出了相对于负载电容的起始电压特性的实际测量的示例。
陶瓷共振器振荡特性
下面描述基本电路中振荡的一般特性。有关特定类型的IC和LSI的振荡特性，请与泰河电子联系。
在-20°C至+ 80°C的范围内，温度变化的稳定性为±0.3至0.5％，尽管根据陶瓷材料的不同而略有不同。负载电容（C L1，C L2）对振荡频率的影响相对较高，可以根据f OSC的公式计算.ffC。由于电容，变化约±0.1％
工作电压范围内的偏差为±0.1％。 f OSC。也随IC的特性而变化。
电源电压变化特性：有关给定振荡频率的实际稳定性测量示例，请参见下面的图1。
振荡水平：以下是振荡水平对温度，电源电压和负载电容（C L1，C L2）的实际测量示例。振荡水平要求在很宽的温度范围内保持稳定，并且温度特性应尽可能平坦。除非IC具有内部恒定电压电源，否则这种变化与电源电压呈线性关系。
- 阅读（712）
- [技术支持]什么是三态函数2019年04月01日 14:24
What is Tri-State Function?
トライステート関数とは
1. In oscillator with Tri-state function, oscillator output can be controlled by the Tri-state pin as follows:
Logic High : Output Enable
Logic Low :Output Disable
トライステート機能付きオシレータでは、次のようにトライステートピンでオシレータ出力を制御できます。
ロジックハイ：出力イネーブル
ロジックロー：出力ディセーブル
2. The Tri-state function would allow output pin to assume high-impedance state, effectively removing the oscillator output from the circuit.トライステート機能により、出力ピンをハイインピーダンス状態にすることができ、回路から発振器の出力を効果的に取り除くことができます。
3. Oscillator circuits can remain on or be turned off while output is disabled in Tri-State.
出力がトライステートでディスエーブルされている間、発振回路はオンのままにするかオフにすることができます。
Oscillator Operating Mode in Tri-state:Oscillator Circuits Off
トライステートの発振器動作モード：発振器回路オフ
•Advantage :Lower standby current
•利点：スタンバイ電流が低い
•Drawback :Longer startup time:( Fundamental mode > 0.2mS),( 3rd Overtone mode > 2mS)
•欠点：起動時間が長くなります:(基本モード> 0.2ミリ秒）、（3倍音モード> 2ミリ秒）
Oscillator Operating Mode in Tri-state:Oscillator Circuits On
トライステートのオシレータ動作モード：オシレータ回路オン
•Advantage:Shorter output enable time(< 0.1mS)
利点：短い出力イネーブル時間（<0.1mS）
•Drawback:Higher standby current
欠点：高いスタンバイ電流
Standby Current Comparison between Different Oscillator Operating Mode
異なる発振器動作モード間の待機電流の比較
Standby Current
Supply Voltage(VDD)
1.8V
2.5V
2.8V
3.3V
5V
Oscillator off
22MHz
0.4uA
0.5uA
1.1uA
1.6uA
4.1uA
44MHz
0.4uA
1.5uA
1.7uA
2.3uA
6.1uA
Oscillator on
22MHz
0.33mA
0.5mA
1.16mA
44MHz
2.1mA
3.4mA
13.5mA
•Only PX/PY series have oscillator on/off option when output is disabled.
出力が無効の場合、PX / PYシリーズのみオシレータのオン/オフオプションがあります。
•All other oscillator series have oscillator turned off in Tri-state.
他のすべての発振器シリーズは、トライステートで発振器がオフになっています。
How to Disable Tri-State Function
トライステート機能を無効にする方法
•If Tri-state function is no needed, the Tri-state pin shall be connected to the Vcc pin or left floating.
トライステート機能が不要な場合は、トライステートピンをVccピンに接続するか、フローティングのままにします。
There is a internal pull- up resistor which would enable output if Tri-state pin is left floating.
トライステートピンをフローティングのままにしておくと、出力をイネーブルする内部プルアップ抵抗があります。
•TAITIEN recommends connecting Tri-State pin to VCC if Tri-state function is not needed.
トライステート機能が不要な場合は、トライステート端子をVCCに接続することをお勧めします。
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- [行业新闻]NSK Ceramic Resonator2019年03月07日 10:27
台湾NSK晶振公司不仅生产石英晶振,石英晶体谐振器,晶体振荡器,温补晶振,压控晶体,还生产陶瓷谐振器(Ceramic Resonator),陶瓷滤波器(Ceramic Filter),ZTA陶瓷晶振,ZTT陶瓷晶振,3.58M,6M,4M,8M,16M,24M,27M频率均有现货供应.ZTA晶振可从低频1M到50MHZ,主要应用于电视遥控器,风扇遥控器,USB,鼠标等产品.
NRA ZTA/ MG, MT, MX DIP 1.8 MHz to 50.0 MHz 10.0*5.0*10.0 
NRE ZTTCV MT, MX SMD 8.0 to 50 MHz 3.7*3.1*1.2
NRE ZTTCS MT, MX SMD 7.0 to 50 MHz 4.7*4.1*1.6
NRE ZTTCC MG SMD 2 to 6.99 MHz 7.4*3.4*1.8
NRD ZTACV MT, MX SMD 8.0 to 50 MHz 3.7*3.1*1.2
NRD ZTACS MT, MX SMD 7.0 to 50 MHz 4.7*4.1*1.6
NRD ZTACC MG SMD 2.0 to 6.99 MHz 7.4*3.4*1.8
NRT ZTT/ MG, MT, MX DIP 1.8 MHz to 50 MHz 10.0*5.0*10.0
NSK Ceramic Filter
陶瓷滤波器LT4.5MB,LT5.5MB,LT6.5MB可以免提提供样品测试,陶瓷滤波器主要应用于TV/VCR产品等.L10.7M陶瓷滤波器均可在线供应.
NRF LT4.5MB DIP 4.43MHz to 6.5MHz 5*3.2
NRF LTCA/CV SMD 10.7MHz 6.9*2.9*1.5
NRF JT4.5MD DIP 4.5MHz to 6.5MHz 9.0*5.0*10.0
NRF JT4.5MC DIP 4.5MHz to 6.5MHz 9.0*5.0*10.0
NRF JT10.7M SMD 10.7MHz 9.0*5.0*7.0
Taiwan NSK Crystal Co., Ltd. not only produces quartz crystal oscillator, quartz crystal resonator, crystal oscillator, temperature-compensated crystal oscillator, voltage-controlled crystal, but also ceramic resonator (Ceramic Resonator), ceramic filter (Ceramic Filter), ZTA ceramic crystal, ZTT ceramic. Crystal oscillator, 3.58M, 6M, 4M, 8M, 16M, 24M, 27M frequency are available from stock. ZTA crystal oscillator can be used from low frequency 1M to 50MHZ, mainly used in TV remote control, fan remote control, USB, mouse and other products.
- 阅读（211）
- [行业新闻]NSK OSCILLATOR数据表2019年03月06日 10:04
- 台湾NSK津绽晶振公司成立于1996年的9月份。成立之后的NSK晶振公司将全部精力投入到石英晶体振荡器，陶瓷滤波器，石英晶体，TCXO振荡器，差分晶振等产品的生产中。NADD 75晶振属于石英晶体振荡器中的一种，也是振荡器里的“贵族”。是差分晶体系列的一员。LVDS输出范围，频率也可以从77.76MHZ到622.08MHZ的高频中。大气化的尺寸7*5*1.9mm可放在任意高端产品中，NADD 75晶振在任何电路板中都显得格外的高端。
NAOD 75 CMOS 1.0 to 125.0 MHz 7*5*1.6
NAOH 53 CMOS 1.0 to 125.0 MHz 5*3.2*1.3
NAOK 32 CMOS 2.0 to 54.0 MHz 3.2*2.5*1.2
NAOL 22 CMOS 2.0 to 50 MHz 2*2.5*0.95
NADD 75
LVDS 77.76 MHz ~ 622.08 MHz 7*5*1.9
NAPD 75
LVPECL 75 MHz ~ 622.08 MHz 7*5*1.9
NAVD-6 CMOS 1.0 MHz to 52.0 MHz 7*5*1.8
NAVH-6 CMOS 12MHz ~ 35.328MHz 5*3.2*1.5
NAOD 75 CMOS 32.768 KHz 7*5*1.6
NAOH 53 CMOS 32.768 KHz 5*3.2*1.5
NAOK 32 CMOS 32.768 KHz 3.2*2.5*1.2
NAON 21
CMOS 2.0 to 50 MHz 2.05*1.65*0.75
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- [行业新闻]希華晶體高精度型号表2019年03月01日 13:50
希華晶體公司眾所周知的是它是壹家臺灣品牌的晶體頻率元器件制造。關於希華晶體我們知道多壹點的就是SIWARD晶體公司是世界領先的石英晶振與晶體振蕩器的解決方案商之壹。為了滿足全球不斷增長對電信的需求，希華晶體也在做著不同的改變，希華晶體壹直在改進自身的生產技術以及服務質量。臺灣希華晶振公司成立於1988年，對全球的石英晶體，振蕩器以及濾波器的研發，生產與銷售。產品應用於移動通信，平板電腦，GPS定位系統，計算機時鐘等產品。
希华晶振之TCXO振荡器系列 系列 照片 尺寸 频率范围 
STB-2520
2.5 x 2.0 x 0.816~52 MHz
STB-3225
3.2 x 2.5 x 0.98~52 MHz
TXO83
5.0 x 3.2 x 1.056~45 MHz
STO-2520B
2.5 x 2.0 x 0.93.2~55 MHz
STO-3225B
3.2 x 2.5 x 1.02.5~55 MHz
STO-5032B
5.0 x 3.2 x 1.052.5~55 MHz
STO-7050B
7.0 x 5.0 x 1.42.5~55 MHz
STO-2016A
2.0 x 1.6 x 0.816.368~33.6 MHz
STO-2520A
2.5 x 2.0 x 0.816.368~38.4 MHz
STO-3225A
3.2 x 2.5 x 1.016.368~27.456 MHz
希华晶振之贴片VCTCXO振荡器系列 系列 照片 尺寸 频率范围
STV-2520
2.5 x 2.0 x 0.816~52MHz
STV-3225
3.2 x 2.5 x 0.98~52 MHz
VTX83
5.0 x 3.2 x 1.056~45 MHz
希华晶振之VCXO晶振系列 系列 照片 尺寸 频率范围
SCV-3225
3.2 x 2.5 x 0.91.5~54 MHz
VCX95
5.0 x 3.2 x 1.11.5~61.440 MHz
VCX91
7.0 x 5.0 x 1.61.5~54 MHz
VCX92
7.0 x 5.0 x 1.61.5~54 MHz
SIWARD Crystal Company is well known for its manufacture of crystal frequency components under one Taiwan brand. We know that SIWARD Crystal is one of the world's leading quartz oscillator and crystal oscillator solutions. In order to meet the growing global demand for telecommunications, SIWARD Crystal is also making different changes. Sihua Crystal has been improving its production technology and service quality. Taiwan SIWARD CRYSTAL Co., Ltd. was founded in 1988. It develops, produces and sells quartz crystals, oscillators and filters all over the world. Products used in mobile communications, tablet computers, GPS positioning systems, computer clocks and other products.
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- [行业新闻]中国人正确过2月14日的方式2019年02月14日 09:43
今天2019年2月14日是一年一度大家口中所谓的”情人节”,也可以说是”情人劫”吼.从字面的意思上来讲并不是情侣夫妻之间的节日,而是情人过的节.所以,大家还是那么高兴又那么期待的要过情人节吗?
其实说起这个情人节的来源,真的,它并非是我们中国的节日,而是西方国家的传统节日之一.情人节又叫圣瓦伦丁节或者圣华伦泰节.(好长的名字,读起来又贼拗口).起源于基督教.原本的意思是男女间相互送花,巧克力,贺卡以及表达爱意或者友好的日子.晚餐约会通常代表了情侣关系的发展关键.然后各国的商家借此商机做活动,再慢慢的也成为了各国青年人喜爱的日子.情人节便开始流行起来.
但,我们不能在每天都过着安稳日子的时候忘记了那些革命的艰辛.我们应该多去了解一些历史.比如说国内,都出现了一些什么大事情.
1912年2月14日 孙中山辞去临时大总统一职
106年前,1912年2月14日(辛亥年腊月廿七)，孙中山辞去临时大总统一职。
♦ 1935年2月14日 蒋介石在庐山答日本《朝日新闻》记者
83年前,1935年2月14日，蒋介石在庐山答日本《朝日新闻》记者问时称：“中日两国不仅在东亚大局上看来有提携之必要，即为世界大局设想，亦非提携不可。”“中国不但无排日之行动思想，亦无排日之必要。”
♦ 1949年2月14日 李宗仁派和平使团与中共谈判
69年前,1949年2月14日，上海“和平使者团”颜惠庆、邵力子、章士钊等16人受李宗仁之托，以私人资格乘飞机到达北平，与中共方面商谈国事。
♦ 1949年2月14日 美国谋求台湾独立失败
69年前,1949年2月14日，美驻华参赞莫成德自南京秘密飞往台北，游说台湾省主席陈诚“自立”。陈诚不从。美方又想以孙立人替陈诚。孙毕业于美国弗吉尼亚军事学院，是国民党军队中留美出身的唯一高级将领，时任台湾防卫司令，但孙对蒋亦无二心。美拉孙计划一厢情愿。
♦ 1950年2月14日 《中苏友好同盟互助条约》在莫斯科签订
68年前,1950年2月14日，经过毛泽东、周恩来同斯大林、维辛斯基会谈，两国政府在莫斯科签订《中苏友好同盟互助条约》，同年4月11日起生效，有效期30年。双方还签订《中苏关于中国长春铁路、旅顺口及大连的协定》、《中苏关于贷款给中华人民共和国的协定》。
♦ 1958年2月14日 周恩来出访朝鲜，中国政府决定撤军。
60年前,1958年2月14日，周恩来率我国政府代表团访问朝鲜，协商撤军一事。
♦ 1963年2月14日 中央美术展览馆建成
55年前,1963年2月14日，中央美术展览馆(中国美术馆)由毛泽东主席题写“中国美术馆”馆额并正式开放，是新中国成立以后的国家文化标志性建筑。主体大楼为仿古阁楼式，黄色琉璃瓦大屋顶，四周廊榭围绕，具有鲜明的民族建筑风格。主楼建筑面积18000多平方米 ，一至五层楼共有17个展览厅，展览总面积8300平方米；1995年新建现代化藏品库，面积4100平方米。
♦ 1972年2月14日 我国与墨西哥建立外交关系
46年前,1972年2月14日，墨西哥同中国建交。建交后，两国关系发展顺利。墨历任总统均在任内访华，中国**主席、政府总理等领导人先后访墨。
♦ 1981年2月14日 邓小平为英国培格曼出版公司编辑出版的《邓小平副主席文集》作序
37年前,1981年2月14日，由英国培格曼出版公司编辑出版的这本文集，收集了邓小平1956年到1979年的部分讲话，内容涉及政治、科学、教育、文艺等几个方面。从50年代中期到70年代末，世界历史在错综复杂的矛盾和激烈的动荡中发展，社会主义中国和中国共产党也走过了自己的很不寻常的道路。
♦ 1983年2月14日 中共中央发出《关于加强党员教育工作的通知》
35年前,1983年2月14日，中共中央发出《关于加强党员教育工作的通知》。《通知》指出：认真学习党的十二大制定的社会主义现代化建设的纲领和大会通过的新党章，是今后一个时期党员教育的主要内容，是提高党员素质、提高党组织战斗力和实现党风根本好转的重要一环，是全党的一件大事。抓好这件大事，要党委负责，全党动手。
♦ 1986年2月14日 国家自然科学基金委员会成立。
32年前,国务院于1986年2月14日批准成立国家自然科学基金委员会，作为管理国家自然科学基金的国务院直属事业单位，自然科学基金委根据国家发展科学技术的方针、政策和规划，有效运用国家自然科学基金，支持基础研究，坚持自由探索，发挥导向作用，发现和培养科学技术人才，促进科学技.
然后国外的2月14日这天,也发生了很多大事件.最令大家关注的可能会是情人节的由来.其实,这个节日说好听点就是为了祭奠瓦伦丁.说难听点就是...后面大伙自个补充,我怕被群殴…其实这个版本也有很多,大家想了解更多一点可以去找一下相关资料.
♦ 公元270年2月14日 为纪念瓦伦丁为爱牺牲，2月14日被定为情人节
1748年前,公元270年2月14日，罗马圣教徒瓦伦丁被处死，基督教徒为了纪念瓦伦丁为纯洁的爱而牺牲自己，将临刑的这一天定为“圣瓦伦节”，此日被后人定为“情人节”
♦ 1076年2月14日 罗马皇帝亨利四世被教皇驱逐出天主教，政教冲突爆发
942年前,1076年2月14日，神圣罗马皇帝亨利四世(Heinrich IV)被罗马教皇格列高利七世。按照天主教廷规定，被处罚者如不能在一年之内获得教皇的宽恕，他的臣民都要对他的解除效忠宣誓。德意志大部分诸侯表示，如果亨利四世不能在一年之内恢复教籍，他们就不再承认他的合法性。亨利四世没有足够的兵力来制服反叛的诸侯，他不得不向格列高利七世低头。
♦ 1859年2月14日 美国合并俄勒冈州
159年前,1830年以后，成千上万的美国人从中西部迁移到西北部太平洋沿岸。在他们走过的俄勒冈小道上，至今仍可见当年篷车压出的车辙。1848年建立俄勒冈地区。1859年2月14日加入联邦，为美国第33州。
♦ 1876年2月14日 贝尔向美国专利局递交了电话发明专利申请书
142年前,1876年2月14日，贝尔申请了那个著名的他和沃森一直研究着的装置——电话的专利。同一天另一个发明家格雷(1835-1901)也向美国专利局递交了相似设备的专利申请书，只因比贝尔晚了几个小时而痛失电话发明权。贝尔获得电话的专利证书。
♦ 1879年2月14日 智利同玻利维亚、秘鲁两国爆发南美太平洋战争
139年前,1879年2月14日(己卯年正月廿四)，智利同玻利维亚、秘鲁两国爆发争夺南太平洋沿岸阿塔卡马荒漠硝石产地的战争。
♦ 1946年2月14日 世界上第一台计算机诞生
72年前,1946年2月14日，由美国军方定制的世界上第一台电子计算机“电子数字积分计算机”(ENIACElectronicNumericalAndCalculator)在美国宾夕法尼亚大学问世了。
♦ 1956年2月14日 苏共二十大上赫鲁晓夫作反斯大林的秘密报告
62年前,1956年2月14日，赫鲁晓夫上台后召开党的二十次代表大会，会议期间，赫鲁晓夫作了反斯大林的秘密报告。
♦ 1958年2月14日 约旦--伊拉克成立阿拉伯联邦
60年前,1958年2月1日，埃及和叙利亚成立阿拉伯联合共和国。约旦、伊拉克认为新成立的阿联对它们具有潜在的威胁而必须组成新联邦。1958年2月14日伊拉克国王费萨尔，约旦国王侯赛因在安曼宣布两国并为一个“阿拉伯联邦”，即“伊约联邦”。
♦ 1967年2月14日 拉美21国签署《拉丁美洲禁止核武器条约》
51年前,《拉丁美洲禁止核武器条约》亦称《特拉特洛尔科条约》。墨西哥、智利等14个拉丁美洲国家于1967年2月14日在墨西哥城的特拉特洛尔科区签订，无限期有效。
♦ 1983年2月14日 印度发生阿萨姆邦屠杀事件
35年前,1983年2月14日，正当印度阿萨姆邦全力以赴进行邦议会选举时，社区间的暴力活动席卷了这个邦，造成几千人死亡。
♦ 1989年2月14日 霍梅尼宣布判处英国作家拉什迪死刑
29年前, 英国作家萨曼·拉什迪因出版一本名为《撒旦诗篇》的小说，遭到了穆斯林世界的强烈反对。1989年2月14日，伊朗宗教领袖霍梅尼宣布判处拉什迪死刑，并悬赏数百万美元追杀他。由此引起了一场国际风波。
♦ 1992年2月14日 联合国宣布1991年世界经济出现战后首次负增长
26年前,1992年2月14日，联合国宣布1991年世界经济出现战后首次负增长
还有很多很多的事迹没有写完,如果大大小小写在一起的话,估计几本书还不够出呢.上面这些都还是一些精选的国内外大事件来的.并且还是没有说完.看完,是不是发现有很多事迹都没看过,也没有了解过.说实话我也是.因为咋天无意之间刷到一条抖音讲的是2月14日国内所发生的大事件,所以才会有想去查阅资料的冲动.情侣间只要关系好,每天都是情人节,也不会在意多这么一天.而现在的人儿除了吃饭睡觉打豆豆玩手机电脑游戏,很少人去看些新闻,了解一些历史.做为晶振销售人员一周只有一天休息,所以我会选择在家睡觉睡到自然醒,但很少能够满足.因为我们石英晶振的业务手机都会24小时开机为客户服务.不敢关机也不敢调无声,因为怕客户找不上我们会着急.如果可以的话,我也还是会想去多了解一些历史的.毕竟读书的时候历史成绩一直都不太理想…
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- [技术支持]低相位噪声低成本定时解决方案2019年01月07日 09:47
当前最先进的通信电路,例如：
•μWave频率上变频器
•点对点μWave回程
•卫星调制解调器
•高端网络
•测试和测量设备
都有一个共同点;极低的相位噪声频率参考.从历史上看,为了达到这种水平的相位噪声,振荡器制造商依靠SC-Cut晶振或第5或第7泛音AT-Cut晶体作为参考振荡器解决方案.
前者产生的OCXO体积庞大,功耗过大而且相当昂贵.后者实施起来很复杂,频率提供有限,并且抑制了系统自动校正老化和温度漂移的能力.
解决成本,尺寸,功率,频率稳定性和长期老化校正的综合挑战;Abracon开发了ABLNO系列VCXO晶振,具有出色的相位噪声特性,采用9x14mm封装.
提供50.0MHz和156.25MHz之间的十五个标准频率;这些器件为设计人员提供了全面的参考时序选择.此外,如果系统要求不能使用电压可控振荡器,ABLNO系列可提供固定时钟配置.
图(1)示出了50MHz载波处的典型相位噪声,而图(2)和(3)分别表示100MHz和156.25MHz载波处的典型相位噪声.表(1)总结了在这些载波上配置为VCXO振荡器的ABLNO系列的典型相位噪声性能,而表(2)表示绝对最差情况下的相位噪声特性.
表格1)
典型的相位噪声性能
表(2)
最差情况保证相位噪声性能
ABLNO系列采用经过特殊处理的第3版Overtone,AT-Strip石英晶体设计,采用各种处理技术进行优化,可在温度范围内提供极高的无负载“Q”和频率稳定性.这些晶体和振荡器电路的组合设计具有同类最佳的相位噪声作为主要目标;在载波的12kHz至20MHz的最佳带宽范围内产生了极低的均方根抖动.
表3)
ABLNO系列rms抖动
为了确保出色的相位噪声性能,ABLNO系列不仅满足上述设计的性能参数,而且Abracon还对100％的产品进行了相位噪声和均方根抖动兼容性的室温测试.
如前所述,Abracon已经制定了专有的Quartz-Blank处理技术,以显着降低这些器件的频率与温度误差.通常,相对于25ºC下的测量频率,ABLNO系列器件的误差小于±12ppm(最大值为±18ppm).在-40ºC至+85ºC的工作温度范围内可确保稳定性,如下图(4)所示.
此外,这些器件在10年的产品寿命期间保证比±7ppm的老化更好.为了在此期间实现频率校正能力,VCXO配置中保证了±28ppm的最小频率牵引能力,见图(5).
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- [技术支持]TCXO温度补偿振荡器如何实现功能2018年12月24日 14:16
当需要标准XO(晶体振荡器)或VCXO(压控晶体振荡器)无法达到的温度稳定性时,TCXO是必需的.
温度稳定性是振荡器频率随温度变化的量度,并且以两种方式定义.一种常见的方法是使用“加/减”规格(例如：±0.28ppm对比工作温度范围,参考25°C-温度范围通常为-40至85°C或-20至70°C).该规范告诉我们,如果我们将25°C的频率设为标称频率,则器件频率将偏离或低于该标称频率不超过0.28ppm.这与指定温度稳定性的第二种方式不同,即使用峰峰值或仅使用没有参考点的正/负值.在第二种情况下,我们不能说我们知道频率会高于或低于频率将会发生多大变化-只是我们知道总的范围是多少.通常,使用来自定义的参考点的正负值来指定设备.
TCXO晶振对工程师非常有用,因为它们可以在比电路板上具有相同功耗和占用空间的标准VCXO更好的温度稳定性的10倍到40倍之间使用.TCXO弥合了标准XO或VCXO与OCXO之间的差距,这些差距更高,需要更多功率才能运行.推动技术的目标是降低功耗,当然还要降低成本,因此TCXO为功耗和成本敏感的应用提供了良好的中端解决方案.
Figure1.TheTemperatureStabilityrangesofvariousoscillatortypes
图1是不同振荡器类型的典型温度稳定性的示意图,范围从标准VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.轴反转使得曲线在增加温度稳定性的方向上增长.TCXO稳定性范围涵盖VCXO和OCXO之间的中间位置(在某些情况下,重叠某些OCXO性能).
TCXO晶振温度稳定性水平(从5ppm到50ppb)通常是必要的,因为振荡器将独立工作,无论是在没有外部频率参考的系统中的自由运行模式,还是作为固定频率参考TCXO在开环中工作的合成器,用于驱动DDS(直接数字合成),而DDS而不是TCXO被“锁定”到外部参考.
后一种情况(TCXO是开环,频率在DDS设置)正变得越来越普遍,因为设计人员发现使用DDS解决方案可以通过使用数模转换器控制TCXO来实现更好的频率分辨率.由于转向是在DDS而不是振荡器中完成的,因此设计人员需要能够对固定基准的频率如何随温度变化做出某些假设,以便他们可以相应地规划锁相环的设计.由于灵活性,它们允许TCXO用于许多频率控制应用,但一个重要领域是小型蜂窝基站(毫微微,微型和微微),通常它们被用作定时分配芯片的固定频率源.
TCXO温度补偿晶振如何运作
在非常基本的术语中,TCXO通过采用温度补偿网络来操作,该网络感测环境温度并将晶体拉至其标称值.基本振荡器电路和输出级与VCXO中的预期相同.
图2是简化的TCXO功能框图.
图2.TCXO功能块
这个想法是补偿网络驱动牵引网络,然后调整振荡器的频率.
图3是发生了什么的概述-未补偿的晶振频率响应温度(红色)就像一个三阶多项式曲线(如果你采用振荡器非线性效果,更像是第五个),所以目标是补偿网络是为了抵消温度对晶体的影响而产生的电压是有效的关于晶体曲线温度轴的镜像.补偿电压显示为蓝色,得到的频率/温度曲线以绿色显示.
图3.温度补偿
实现这一目标的方法随着时间而改变.使用的第一种方法之一是直接补偿技术,其中使用热敏电阻,电容器和电阻器网络来直接控制振荡器的频率.温度的变化导致热敏电阻(图4中的RT1和RT2)发生变化,这会导致网络的等效串联电容发生变化-这反过来会改变晶体上的电容负载,从而导致频率的变化.振荡器.
图4.直接补偿
在随后的开发中(图5中所示的间接补偿),热敏电阻(RT1至RT3)和电阻(R1至R3)的网络用于产生与温度相关的电压.对网络的输出电压进行滤波,然后用于驱动变容二极管,该变容二极管改变晶振上的负载,再次导致频率变化.
图5间接补偿
目前的方法将补偿网络和拉网络集成到一个集成电路中(如图6所示),补偿网络的作用由一组运算放大器组成,这些运算放大器在一起产生温度上的3阶或5阶函数.与间接补偿方法一样,该电压用于驱动变容二极管,这反过来又改变了振荡器的输出频率.由于晶体特性的变化意味着没有“一刀切”的功能,因此在TCXO的温度测试期间得出了解决方案.两个电容器阵列用于将室温下的频率调节到标称值,然后在测试期间获得温度补偿功能所需的设置并存储在片上存储器中.
图6综合补偿
最后一种方法通常被称为“数字控制模拟补偿”,并且在小型TCXO设计中常见,因为可以在单个ASIC中提供大量功能.
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- [技术支持]什么是差分晶振的相位噪声2018年12月17日 14:17
诸如晶体振荡器之类的信号源在输出频率附近产生一小部分不希望的能量（相位噪声）。 随着通信和雷达等系统性能的提高，它们采用的晶体振荡器的频谱纯度越来越重要。
在频域中测量相位噪声，并且表示为在与期望信号的给定偏移处的1Hz带宽中测量的信号功率与噪声功率的比率。在所需信号的各种偏移处的响应图通常由对应于振荡器中的三个主要噪声产生机制的三个不同斜率组成，如图1所示。相对靠近载波（区域A）的噪声称为闪烁FM噪声;其大小主要取决于晶体的质量。 最佳近距离噪声结果是在4-6 MHz范围内使用5次泛音AT切割晶体或第3次泛音SC切割晶体获得的。虽然平均效果不是很好，但使用10 MHz区域中的3个泛音晶体也可以获得出色的近距离噪声性能，尤其是双旋转型（参见第41页，有关双旋转SC和IT切割晶体的讨论）。较高频率的晶体由于其较低的Q值和较宽的带宽而导致较高的近距噪声。
图1中B区的噪声称为“1 / F”噪声，是由半导体活动引起的。采用低噪声“L2”晶体振荡器的设计技术将其限制在非常低的，通常无关紧要的值。
图1的区域C称为白噪声或宽带噪声。 “L2”晶体振荡器中的特殊低噪声电路相对于标准设计提供了显着的改进（15-20 dB）。
当采用倍频从较低频率的石英晶体获得所需的输出频率时，输出信号的相位噪声增加20 log（倍增因子）。这导致整个电路板上的噪声降低大约为6 dB，用于倍频，10 dB用于频率三倍，20 dB用于十倍乘法。
如图2所示，对于不采用倍频的振荡器，本底噪声几乎与晶体频率无关。因此，对于低噪声地板应用，通常应使用满足长期稳定性要求的最高频率晶体。然而，当较高频率的应用特别需要最小的近端相位噪声时，较低频率的晶体通常可以成倍增加。这是因为近距离相位噪声比使用更高频率晶体获得的噪声性能更不成比例地好。
请注意，与固定频率非补偿晶体振荡器相比，TCXO和VCXO产品中常用的变容二极管和中等Q晶体的引入导致较差的近距离噪声性能。
相位噪声测试
相位噪声测试通过确定在指定输出频率下由振荡器传递的所需能量与在相邻频率传递的不需要的能量的比率来表征振荡器的输出频谱纯度。 该比率通常表示为在来自载波的各种偏移频率下执行的一系列功率测量。功率测量被标准化为1Hz带宽并且相对于载波功率电平表示。 这是NIST技术说明1337中描述的标准相位波动测量，称为l（f）。
图3示出了由NIST建议并由Vectron晶振用于测量l（f）的方法的框图。来自两个相同标称频率的振荡器的信号被施加到混频器输入。除非振荡器具有出色的稳定性，否则一个振荡器必须具有用于锁相的电子调谐。非常窄的频带锁相环（PLL）用于在这两个源之间保持90度的相位差。混频器操作使得当输入信号异相90度（正交）时，混频器的输出是与两个振荡器之间的相位差成比例的小波动电压。通过在频谱分析仪上检查该误差信号的频谱，可以测量这对振荡器的相位噪声性能。如果一个振荡器的噪声占主导地位，则直接测量其相位噪声。当两个测试振荡器电气相似时，有用且实用的近似是每个振荡器贡献测量噪声功率的一半。当三个或更多个振荡器可用于测试时，可以通过求解表示从振荡器对的置换测量的数据的联立方程来精确地计算每个振荡器的相位噪声。
图4显示了实际的l（f）测量系统。 使用该系统测量相位噪声的步骤如下：
1.频谱分析仪屏幕的校准。
2.Phase锁定振荡器并建立正交。
3.记录频谱分析仪读数并将读数标准化为每个振荡器的dBc / Hz SSB。
这些步骤详述如下。
第一步 - 校准
为避免混频器饱和，一个振荡器的信号电平会被10 dB衰减（衰减器“A”）永久衰减。在校准期间，此振荡器的电平额外衰减80 dB（衰减“B”），以改善频谱分析仪的动态范围。振荡器在频率上是机械偏移的，并且所得到的低频差拍信号的幅度表示-80dB的水平;它是所有后续测量的参考。使用扫频分析仪时，此电平调整到频谱分析仪屏幕的顶行。使用数字（FFT）频谱分析仪时，仪器经过校准，可读取相对于此电平的RMS VOLTS /√Hz。当完全电平恢复到混频器并且振荡器被锁相时，将相对于-80dB电平测量相位噪声。
第二步 - 锁相
通过将振荡器机械地调节到相同的频率，振荡器被锁相到正交。当混频器输出为0 Vdc时，指示两个振荡器之间所需的90度相位差。临时连接到频谱分析仪的示波器或零中心电压表是监测正交进度的便捷方式。 PLL的工作带宽必须远低于感兴趣的最低偏移频率，因为PLL部分地抑制了其带宽中的相位噪声。广泛使用的建立适当环路带宽的经验方法是通过衰减器“C”逐步衰减电压控制反馈。通过在推进衰减器“C”的同时比较感兴趣的最低偏移频率处的连续噪声测量，可以找到操作点，其中测量的相位噪声不受衰减器设置的变化的影响。此时，环路带宽不是测量的相位噪声的因子。
第三步 - 读物
读数是根据先前在步骤1中建立的-80dB校准水平进行的。如果频谱分析仪配备齐全以避免测量变化，则使用平滑或平均。 扫描频谱分析仪读数通常需要进行以下每项校正，而以RMS /√Hz显示的数字分析仪读数不需要前两次校正。有关分析仪噪声响应的校正，应参考分析仪手册。
更正
归一化为1 Hz带宽“BW”是测量带宽。 计算假设为10 log10（1 / BW）
10 log10(1/BW)
测量带宽内的噪声是平坦的
扫频分析仪对噪声信号的视频响应。下+ 3dB
+3dB
双边带到单边带显示。-6dB
-6dB
两个振荡器的贡献假设它们具有相同的噪声质量-3dB
-3dB
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- [技术支持]CFS-206晶振与CFV-206晶振的区别2018年12月10日 09:47
CFS-20632768DZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768DZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768AZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768DZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振
日本西铁城株式会社主要以生产手表为中心,在多年的生产经营后西铁城公司便开始自主研发手表重要配件——石英晶振.石英晶振分KHZ晶振以及MHZ晶振.手表上使用居多的便是KHZ系列晶振.CM315D晶振,CM315DL晶振,CM315H晶振,CM315E晶振系列.3215封装是手表,手机等小型数码产品使用频率较为广泛.而早期全是CFS-206晶振的天下.
CFS-20632768DZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768EZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768EZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000AZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638400AZFB晶振CFV-206晶振38.4kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503DZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000DZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV-206100000AZFB晶振CFV-206晶振100kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640000AZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000DZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20665536AZFB晶振CFV-206晶振65.536kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20636000AZFB晶振CFV-206晶振36kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振
CFS-206晶振频率范围30KHZ~100KHZ,周波数偏差20~30ppm,正常情况下都是以20PPM为标准.工作温度-20~+70度.负载电容常用12.5PF,
CFS-20632768EZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振 CFV-20668500DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20668503DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640003DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660003DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV-20640000DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000AZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20676800AZFB晶振CFV-206晶振76.8kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20696000AZFB晶振CFV-206晶振96kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768HZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768HZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振7pF石英晶振
CFS-206晶振跟CFV-206晶振有点不一样的就是CFS-206晶振只有单独一个频率,就是32.768K,是所有KHZ系列晶振的标准频率.它不像CFV-206晶振,在30~100KHZ内可以订制.频率偏差也比较小,以20PPM为标准.15PPM,10PPM也是可以按照客户的需求来订制.
CFV-20675000BZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677500BZFB晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000AZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638000AZFB晶振CFV-206晶振38kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503AZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 60.005KAZF晶振CFV-206晶振60.005kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV206 76.790KAZF晶振CFV-206晶振76.79kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 76.810KAZF晶振CFV-206晶振76.81kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 77.500KAZF晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS206-32.768KDZBB晶振CFS206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF-UB晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 32.000KDZSB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振11pF石英晶振
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- [常见问题]爱普生新型号FC-135R晶振详细参数2018年11月24日 15:30
爱普生新款产品FC-135R晶振的研发问世让更多消费者们更加的青睐于爱普生晶振系列产品.FC-135R晶振研发,可以从以下参数可以知道FC-135R晶振的频率偏差相对来说是比FC-135晶振较稳定的.频率偏差都是在10PPM与20PPM范围内,而FC-135晶振频率偏差则在10ppm,20ppm,甚至30ppm范围中,并且ESR的阻值比FC-135R晶振的阻值大.
FC-135R晶振参数表
项目 符号 FC-135R晶振产品规格 条件 标称频率范围 f_nom 32.768 kHz 32 kHz至77.5 kHz 请联系我们获取相应的频率。 储存温度 T_stg -55°C至+ 125°C 保存为单个项目 工作温度 T_use -40°C至+ 85°C（+ 105°C） 请联系我们+ 85°C 激励程度 D L 0.5μW（最大1.0μW） 最大1.0μW。如有疑问，请联系我们。 频率容差偏差
（标准）f_tol ±20×10 -6 + 25°C，D L =0.1μW
请咨询高精度产品。顶点温度 钛 + 25°C±5°C 二次温度系数 乙 -0.04×10 -6 /°C 2最大 负载能力 C L 7 pF，9 pF，12.5 pF 请注明 串联电阻 R 1 最大70kΩ 70kΩ至45kΩ 系列容量 C 1 3.4 fF Typ。 3.7 fF至1.6 fF 并行容量 C 0 1.0 pF Typ。 1.3 pF至0.5 pF 频率老化 f_age ±3×10 -6 /年最大 + 25°C，第一年 以下是FC-135R晶振详细参数的编码,一个编码内部有指定相对应的频率,尺寸,负载电容,频率偏差,工作温度,ESR阻值等其它参数.
FC-135R晶振详细参数对应编码表
晶振型号编码 尺寸(长宽高) 型号 频率 负载电容 频率偏差 工作温度 ESR阻值 驱动电平[最大] 周转温度 二次温度系数 年老化率@+25C[Max] 端子电镀 X1A000141000100 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 7 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000200 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 9 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000300 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 12.5 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000400 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 9 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000500 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 12.5 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141000600 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 6 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141001100 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 7 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141001500 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 6 pF +/-15.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141001600 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 6 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ X1A000141001900 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135R 32.768kHz 12 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 50 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ FC-135晶振参数表
项目 符号 FC-135晶振产品规格 条件 标称频率范围 f_nom 32.768 kHz 请联系我们获取相应的频率。 储存温度 T_stg -55°C至+ 125°C 保存为单个项目 工作温度 T_use -40°C至+ 85°C（+ 105°C） 请联系我们+ 85°C 激励程度 D L 0.5μW（最大1.0μW） 最大1.0μW。如有疑问，请联系我们。 频率容差偏差
（标准）f_tol ±20×10 -6 + 25°C，D L =0.1μW
请咨询高精度产品。顶点温度 钛 + 25°C±5°C 二次温度系数 乙 -0.04×10 -6 /°C 2最大 负载能力 C L 7 pF，9 pF，12.5 pF 请注明 串联电阻 R 1 最大50kΩ 系列容量 C 1 3.4 fF Typ。 并行容量 C 0 1.1 pF Typ。 频率老化 f_age ±3×10 -6 /年最大 + 25°C，第一年 FC-135晶振详细参数对应编码表
LxWxH/尺寸 Model/型号 编码 Frequency/频率 CL Value/负载 Freq.tol./频率 @+25°C Oper. Temper. Range/工作温度 ESR[MAX] 等效串联电阻 Drive Level[Max]驱动电平 Tumover Temperature
拐点温度
Parabolic Coefficient
频率温度系数
Freq.Aging@+25C[Max]
频率老化
Terminal Plating
端子电镀
3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000100 32.768000 kHz 7 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000200 32.768000 kHz 7 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000300 32.768000 kHz 9 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000400 32.768000 kHz 12.5 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000500 32.768000 kHz 12.5 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000600 32.768000 kHz 9 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000800 32.768000 kHz 9 pF +/-30.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350000900 32.768000 kHz 9 pF +/-8.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001000 32.768000 kHz 15 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001100 32.768000 kHz 12 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001200 32.768000 kHz 8 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001300 32.768000 kHz 10 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001700 32.768000 kHz 12.5 pF +/-30.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350001900 32.768000 kHz 12.5 pF -18.0/+22.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350004900 32.768000 kHz 6 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350005700 32.768000 kHz 10 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350006000 32.768000 kHz 6 pF +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350006100 32.768000 kHz 6.5 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 3.2 x 1.5 x 0.9 mm FC-135 Q13FC1350006300 32.768000 kHz 18 pF +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Ａｕ 爱普生FC-135R晶振与FC-135晶振的尺寸大小还是一样的,只是内部的参数有所调整,不仅是从ESR阻值上或者是从频率偏差上有所改善.现在的客户都追求完美,对石英晶振产品的质量也是一样的,只要可以稍稍提高一丁点的准确度,而且保证自身产品正常运行的情况下客户还是原意去使用新产品的.
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- [公司新闻]西铁城晶振CMX309晶振2018年11月23日 14:24
CMX309FBC9.8304MTR晶振9.8304MHz晶振CMX309FBC27.000M-UT晶振27MHz晶振CMX309FLC28.322M-UT晶振28.322MHz石英晶振 CMX309FLC12.288MT晶振12.288MHz晶振CMX309FBC10.000MTR晶振10MHz晶振CMX309FBC27.000M-UT晶振27MHz晶振CMX309FLC28.63636M-UT晶振28.63636MHz石英晶振CMX309FLC12.352MT晶振12.352MHz晶振CMX309FBC10.000MTR晶振10MHz晶振CMX309HBC32.000M-UT晶振32MHz晶振CMX309FLC28.63636M-UT晶振28.63636MHz石英晶振 CMX309FLC12.352MT晶振
CMX309晶振产品实物图
12.352MHz晶振CMX309FBC11.0592MTR晶振11.0592MHz晶振CMX309HBC32.000M-UT晶振32MHz晶振CMX309FLC29.498928M-UT晶振29.498928MHz石英晶振 CMX309FLC13.500MT晶振13.5MHz晶振CMX309FBC11.0592MTR晶振11.0592MHz晶振CMX309HBC32.768M-UT晶振32.768MHz晶振CMX309FLC29.498928M-UT晶振29.498928MHz石英晶振 CMX309FLC13.500MT晶振13.5MHz晶振CMX309FBC11.2896MTR晶振11.2896MHz晶振CMX309HBC32.768M-UT晶振32.768MHz晶振CMX309FLC30.000M-UT晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC14.31818MT晶振14.31818MHz晶振CMX309FBC11.2896MTR晶振11.2896MHz晶振CMX309HBC33.000M-UT晶振33MHz晶振CMX309FLC30.000M-UT晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC14.31818MT晶振14.31818MHz晶振CMX309FBC12.000MTR晶振12MHz晶振CMX309HBC33.000M-UT晶振33MHz晶振CMX309HWC32.000M-UT晶振32MHz石英晶振 CMX309FLC14.7456MT晶振14.7456MHz晶振CMX309FBC12.000MTR晶振12MHz晶振CMX309HBC33.3333M-UT晶振33.3333MHz晶振CMX309HWC32.000M-UT晶振32MHz石英晶振
CMX309晶振产品尺寸图
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CMX309晶振产品参数表
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- [公司新闻]西铁城CMX309晶振型号代码2018年11月23日 14:17
CMX309FLC1.544MT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC33.000MT晶振33MHz晶振CMX309FBC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309FLC9.8304M-UT晶振9.8304MHz石英晶振 CMX309FLC1.544MT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC33.000MT晶振33MHz晶振CMX309FBC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309FLC10.000M-UT晶振10MHz石英晶振 CMX309FLC1.8432MT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC33.3333MT晶振33.3333MHz晶振CMX309FBC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FLC10.000M-UT晶振10MHz石英晶振 CMX309FLC1.8432MT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC33.3333MT晶振33.3333MHz晶振CMX309FBC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FLC11.0592M-UT晶振11.0592MHz石英晶振 CMX309FLC2.000MT晶振2MHz晶振CMX309HWC33.8688MT晶振33.8688MHz晶振CMX309FBC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FLC11.0592M-UT晶振11.0592MHz石英晶振 CMX309FLC2.000MT晶振2MHz晶振CMX309HWC33.8688MT晶振33.8688MHz晶振CMX309FBC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FLC11.2896M-UT晶振11.2896MHz石英晶振 CMX309FLC2.048MT晶振2.048MHz晶振
CMX309晶振产品实物图
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CMX309晶振产品尺寸图
CMX309FBC8.000M-UT晶振8MHz晶振CMX309FLC13.500M-UT晶振13.5MHz石英晶振 CMX309FLC3.579545MT晶振3.579545MHz晶振CMX309HWC49.152MT晶振49.152MHz晶振CMX309FBC8.000M-UT晶振8MHz晶振CMX309FLC14.31818M-UT晶振14.31818MHz石英晶振 CMX309FLC3.6864MT晶振3.6864MHz晶振CMX309HWC50.000MT晶振50MHz晶振CMX309FBC8.192M-UT晶振8.192MHz晶振CMX309FLC14.31818M-UT晶振14.31818MHz石英晶振 CMX309FLC3.6864MT晶振3.6864MHz晶振CMX309HWC50.000MT晶振50MHz晶振CMX309FBC8.192M-UT晶振8.192MHz晶振CMX309FLC14.7456M-UT晶振14.7456MHz石英晶振 CMX309FLC4.000MT晶振4MHz晶振CMX309HWC53.125MT晶振53.125MHz晶振CMX309FBC9.8304M-UT晶振9.8304MHz晶振CMX309FLC14.7456M-UT晶振14.7456MHz石英晶振 CMX309FLC4.000MT晶振4MHz晶振CMX309HWC53.125MT晶振53.125MHz晶振CMX309FBC9.8304M-UT晶振9.8304MHz晶振CMX309FLC15.360M-UT晶振15.36MHz石英晶振 CMX309FLC4.096MT晶振4.096MHz晶振CMX309FBB16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC10.000M-UT晶振10MHz晶振CMX309FLC15.360M-UT晶振15.36MHz石英晶振 CMX309FLC4.096MT晶振4.096MHz晶振CMX309FBC16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC10.000M-UT晶振10MHz晶振CMX309FLC16.000M-UT晶振16MHz石英晶振 CMX309FLC4.9152MT晶振4.9152MHz晶振CMX309HWC56.000MT晶振56MHz晶振CMX309FBC11.0592M-UT晶振11.0592MHz晶振CMX309FLC16.000M-UT晶振16MHz石英晶振 CMX309FLC4.9152MT晶振4.9152MHz晶振CMX-309FAB 24.576MB晶振24.576MHz晶振CMX309FBC11.0592M-UT晶振11.0592MHz晶振CMX309FLC16.384M-UT晶振16.384MHz石英晶振 CMX309FLC5.000MT晶振5MHz晶振CMX-309FAB 22.5792MB晶振22.5792MHz晶振CMX309FBC11.2896M-UT晶振11.2896MHz晶振CMX309FLC16.384M-UT晶振16.384MHz石英晶振 CMX309FLC5.000MT晶振5MHz晶振CMX309FBC1.000MTR晶振1MHz晶振CMX309FBC11.2896M-UT晶振11.2896MHz晶振CMX309FLC17.734475M-UT晶振17.734475MHz石英晶振 CMX309FLC6.000MT晶振6MHz晶振CMX309FBC1.000MTR晶振1MHz晶振CMX309FBC12.000M-UT晶振12MHz晶振CMX309FLC17.734475M-UT晶振17.734475MHz石英晶振 CMX309FLC6.000MT晶振6MHz晶振CMX309FBC1.544MTR晶振1.544MHz晶振CMX309FBC12.000M-UT晶振12MHz晶振CMX309FLC18.000M-UT晶振18MHz石英晶振 CMX309FLC6.144MT晶振6.144MHz晶振CMX309FBC1.544MTR晶振1.544MHz晶振CMX309FBC12.288M-UT晶振12.288MHz晶振CMX309FLC18.000M-UT晶振18MHz石英晶振 CMX309FLC6.144MT晶振6.144MHz晶振CMX309FBC1.8432MTR晶振1.8432MHz晶振CMX309FBC12.288M-UT晶振12.288MHz晶振CMX309FLC18.432M-UT晶振18.432MHz石英晶振 CMX309FLC7.3728MT晶振7.3728MHz晶振CMX309FBC1.8432MTR晶振1.8432MHz晶振CMX309FBC14.31818M-UT晶振14.31818MHz晶振CMX309FLC18.432M-UT晶振18.432MHz石英晶振 CMX309FLC7.3728MT晶振7.3728MHz晶振CMX309FBC2.000MTR晶振2MHz晶振CMX309FBC14.31818M-UT晶振14.31818MHz晶振CMX309FLC19.6608M-UT晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC8.000MT晶振8MHz晶振CMX309FBC2.000MTR晶振2MHz晶振CMX309FBC14.7456M-UT晶振14.7456MHz晶振CMX309FLC19.6608M-UT晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC8.000MT晶振8MHz晶振CMX309FBC2.048MTR晶振2.048MHz晶振CMX309FBC14.7456M-UT晶振14.7456MHz晶振CMX309FLC20.000M-UT晶振20MHz石英晶振 CMX309FLC8.192MT晶振8.192MHz晶振
CMX309晶振产品参数表
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CMX309晶振产品包装表
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NX8045GB-40.000000MHZ石英晶体谐振器NX3225SA-24.000MHZ-STD-CSR-1音叉晶体NX5032SD-13.56MHZ-STD-CSY-1贴片晶振NX3225SA-27.000MHZ-STD-CSR-1时钟晶振NX3225SA-12.000MHZ-STD-CSR-1谐振器NX3225SA-16.000000MHZ-T1贴片晶振NX3225GA-14.31818M-STD-CRG-1石英晶振 NX8045GB-40.000000MHZ音叉晶体NX3225SA-24.000MHZ-STD-CSR-1时钟晶振NX5032SD-13.56MHZ-STD-CSY-1谐振器NX3225SA-32M-EXS00A-02994贴片晶振NX3225SA-12.000MHZ-STD-CSR-1石英晶振NX3225SA-16.000000MHZ-T1谐振器NX3225GA-10.000M-STD-CRG-1NDK晶振 NX5032GA-24.000000MHZ-LN-CD-1时钟晶振NX3225SA-24.000MHZ-STD-CSR-1贴片晶振NX2016AB-26MHZSB1石英晶振NX3225SA-32M-EXS00A-02994谐振器NX3225SA-12.000MHZ-STD-CSR-1NDK晶振NX3225SA-26.000000MHZ-G2石英晶振NX3225GA-10.000M-STD-CRG-1NDK石英晶振 NX5032GA-24.000000MHZ-LN-CD-1贴片晶振NX5032GA-27M-STD-CSK-4谐振器NX2016AB-26MHZSB1NDK晶振NX3225SA-32M-EXS00A-02994石英晶振NX3225GB-16M-STD-CRA-2NDK石英晶振NX3225SA-26.000000MHZ-G2NDK晶振NX3225GA-10.000M-STD-CRG-1石英晶体谐振器 NX5032GA-24.000000MHZ-LN-CD-1谐振器NX5032GA-27M-STD-CSK-4石英晶振NX2016AB-26MHZSB1NDK石英晶振NX3225SA-25.000M-STD-CSR-3NDK晶振NX3225GB-16M-STD-CRA-2石英晶体谐振器NX3225SA-26.000000MHZ-G2NDK石英晶振NX3225GA-30.000M-STD-CRG-1音叉晶体 NX5032GA-25.000000MHZ-LN-CD-1石英晶振NX5032GA-27M-STD-CSK-4NDK晶振NX3225GA-12.288M-STD-CRG-2石英晶体谐振器NX3225SA-25.000M-STD-CSR-3NDK石英晶振NX3225GB-16M-STD-CRA-2音叉晶体NX3225SA-16.000000MHZ-B3石英晶体谐振器NX3225GA-30.000M-STD-CRG-1时钟晶振 NX5032GA-25.000000MHZ-LN-CD-1NDK晶振NX5032GA-12.288M-STD-CSK-4NDK石英晶振NX3225GA-12.288M-STD-CRG-2音叉晶体NX3225SA-25.000M-STD-CSR-3石英晶体谐振器NX3225SA-13.56M-STD-CSR-3时钟晶振NX3225SA-16.000000MHZ-B3音叉晶体NX3225GA-30.000M-STD-CRG-1贴片晶振 NX5032GA-25.000000MHZ-LN-CD-1NDK石英晶振NX5032GA-12.288M-STD-CSK-4石英晶体谐振器NX3225GA-12.288M-STD-CRG-2时钟晶振NX3225SA-20.000M-STD-CSR-3音叉晶体NX3225SA-13.56M-STD-CSR-3贴片晶振NX3225SA-16.000000MHZ-B3时钟晶振NX3225GA-30.000M-STD-CRG-2谐振器 NX5032GA-27.000000MHZ-LN-CD-1石英晶体谐振器NX5032GA-12.288M-STD-CSK-4音叉晶体NX3225GA-13.56M-STD-CRG-2贴片晶振NX3225SA-20.000M-STD-CSR-3时钟晶振NX3225SA-13.56M-STD-CSR-3谐振器NX3225SA-26.000000MHZ-G3贴片晶振NX3225GA-30.000M-STD-CRG-2石英晶振 NX5032GA-27.000000MHZ-LN-CD-1音叉晶体NX5032GA-14.31818M-STD-CSK-4时钟晶振NX3225GA-13.56M-STD-CRG-2谐振器NX3225SA-20.000M-STD-CSR-3贴片晶振NX3225SA-40M-EXS00A-CS03880石英晶振NX3225SA-26.000000MHZ-G3谐振器NX3225GA-30.000M-STD-CRG-2NDK晶振 NX5032GA-27.000000MHZ-LN-CD-1时钟晶振NX5032GA-14.31818M-STD-CSK-4贴片晶振NX3225GA-13.56M-STD-CRG-2石英晶振NX3225SA-26.000M-STD-CSQ-1谐振器NX3225SA-40M-EXS00A-CS03880NDK晶振NX3225SA-26.000000MHZ-G3石英晶振NX8045GB-32.000000MHZNDK石英晶振 NX5032GA-16.000000MHZ-LN-CD-1贴片晶振NX5032GA-14.31818M-STD-CSK-4谐振器NX3225GA-14.7456M-STD-CRG-2NDK晶振NX3225SA-26.000M-STD-CSQ-1石英晶振NX3225SA-40M-EXS00A-CS03880NDK石英晶振NX3225SA-39.000000MHZ-B4NDK晶振NX5032GA-13.560000MHZ-LN-CD-1石英晶体谐振器 NX5032GA-16.000000MHZ-LN-CD-1谐振器NX5032GA-25.000M-STD-CSK-4石英晶振NX3225GA-14.7456M-STD-CRG-2NDK石英晶振NX3225SA-26.000M-STD-CSQ-1NDK晶振NX3225SA-25.000M-STD-CSR-6石英晶体谐振器NX3225SA-39.000000MHZ-B4NDK石英晶振NX5032GA-13.560000MHZ-LN-CD-1音叉晶体 NX5032GA-16.000000MHZ-LN-CD-1石英晶振NX5032GA-25.000M-STD-CSK-4NDK晶振NX3225GA-14.7456M-STD-CRG-2石英晶体谐振器NX3225SA-30.000M-STD-CSR-3NDK石英晶振NX3225SA-25.000M-STD-CSR-6音叉晶体NX3225SA-39.000000MHZ-B4石英晶体谐振器NX5032GA-13.560000MHZ-LN-CD-1时钟晶振 NX5032GA-10.000000MHZ-LN-CD-1NDK晶振NX5032GA-25.000M-STD-CSK-4NDK石英晶振NX3225GA-27.12M-STD-CRG-2音叉晶体NX3225SA-30.000M-STD-CSR-3石英晶体谐振器NX3225SA-25.000M-STD-CSR-6时钟晶振NX3215SA-32.768K-STD-MUA-8音叉晶体NX8045GB-16.000M-STD-CSJ-1贴片晶振 NX5032GA-10.000000MHZ-LN-CD-1NDK石英晶振NX5032GC-16MHZ-STD-CSK-6石英晶体谐振器NX3225GA-27.12M-STD-CRG-2时钟晶振NX3225SA-30.000M-STD-CSR-3音叉晶体NX2016SA-24.9231M-CHP-CZS-9贴片晶振NX3215SA-32.768K-STD-MUA-8时钟晶振NX5032GA-11.0592M-STD-CSK-4谐振器 NX5032GA-10.000000MHZ-LN-CD-1石英晶体谐振器NX5032GC-16MHZ-STD-CSK-6音叉晶体NX3225GA-27.12M-STD-CRG-2贴片晶振NX3225SA-32MHZ-EXS00A-CS02368时钟晶振NX2016SA-24.9231M-CHP-CZS-9谐振器NX3215SA-32.768K-STD-MUA-8贴片晶振NX5032GA-11.0592M-STD-CSK-4石英晶振 NX5032GA-12.000000MHZ-LN-CD-1音叉晶体NX5032GC-16MHZ-STD-CSK-6时钟晶振NX3225GA-25.000M-STD-CRG-1谐振器NX3225SA-32MHZ-EXS00A-CS02368贴片晶振NX2016SA-24.9231M-CHP-CZS-9石英晶振NX3215SA-32.768K-STD-MUA-9谐振器NX5032GA-11.0592M-STD-CSK-4NDK晶振 NX5032GA-12.000000MHZ-LN-CD-1时钟晶振NX5032GA-12MHZ-STD-CSK-4贴片晶振NX3225GA-25.000M-STD-CRG-1石英晶振NX3225SA-32MHZ-EXS00A-CS02368谐振器NX3225SA-12MHZ-STD-CSR-3NDK晶振NX3215SA-32.768K-STD-MUA-9石英晶振NX5032GA-30.000M-STD-CSK-4NDK石英晶振 NX5032GA-12.000000MHZ-LN-CD-1贴片晶振NX5032GA-12MHZ-STD-CSK-4谐振器NX3225GA-25.000M-STD-CRG-1NDK晶振NX3225SA-25.000M-STD-CRS-2石英晶振NX3225SA-12MHZ-STD-CSR-3NDK石英晶振NX3215SA-32.768K-STD-MUA-9NDK晶振NX5032GA-30.000M-STD-CSK-4石英晶体谐振器 NX5032GA-48.000000MHZ-LN-CD-1谐振器NX5032GA-12MHZ-STD-CSK-4石英晶振NX3225GA-25.000M-STD-CRG-2NDK石英晶振NX3225SA-25.000M-STD-CRS-2NDK晶振NX3225SA-12MHZ-STD-CSR-3石英晶体谐振器NX3215SA-32.768K-STD-MUA-14NDK石英晶振NX5032GA-30.000M-STD-CSK-4音叉晶体 NX5032GA-48.000000MHZ-LN-CD-1石英晶振NX3225SA-16.000MHZ-STD-CSR-1NDK晶振NX3225GA-25.000M-STD-CRG-2石英晶体谐振器NX3225SA-25.000M-STD-CRS-2NDK石英晶振NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3音叉晶体NX3215SA-32.768K-STD-MUA-14石英晶体谐振器NX3225SA-24.000M-STD-CSR-3时钟晶振 NX5032GA-48.000000MHZ-LN-CD-1NDK晶振NX3225SA-16.000MHZ-STD-CSR-1NDK石英晶振NX3225GA-25.000M-STD-CRG-2音叉晶体NX3225SA-27M-STD-CRS-2石英晶体谐振器NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3时钟晶振NX3215SA-32.768K-STD-MUA-14音叉晶体NX5032GA-24.000M-STD-CSK-4贴片晶振 NX5032GA-16.384000MHZ-LN-CD-1NDK石英晶振NX3225SA-16.000MHZ-STD-CSR-1石英晶体谐振器NX8045GB-14.318180MHZ时钟晶振NX3225SA-27M-STD-CRS-2音叉晶体NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3贴片晶振NX3215SA-32.768K-STD-MUS-2时钟晶振NX3225SA-22.000MHZ-STD-CSR-1谐振器 NX5032GA-16.384000MHZ-LN-CD-1石英晶体谐振器NX3225SA-32.000MHZ-STD-CSR-1音叉晶体NX8045GB-14.318180MHZ贴片晶振NX3225SA-27M-STD-CRS-2时钟晶振NX2520SA-16MHZ-STD-CSW-5谐振器NX3215SA-32.768K-STD-MUS-2贴片晶振NX3225SA-25.000MHZ-STD-CSR-1石英晶振
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- [公司新闻]CRYSTEK CRYSTAL时钟振荡器型号表2018年11月07日 09:28
美国瑞斯克晶振公司自1958年成立以来一直提供频率元器件产品,包括石英晶体谐振器,以及石英晶体振荡器,时钟振荡器等产品.瑞斯克晶振公司有两个运营专门负责频率控制元器件的部门.多年来CRYSTEK CORPORATION致力于石英晶体谐振器的开发以及频率元器件的制造与生产.
CRYSTEK CLOCK OSCILLATORS瑞斯克时钟晶体振荡器型号表.
产品图 型号 频率（MHz）封装 电压（VDC）产量 稳定性ppm（°C）相位噪声（dBc / Hz）规格 
cuso33 1.544
~
160.000
3.2 x 5.0 mmSMD
3.30 HCMOS ±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85） 
CUSO32 1.544
~
160.000
3.2 x 5.0 mmSMD
5.00 HCMOS ±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
C18 1.544
~
110.000
5.0 x 7.0 mmSMD
1.80 LVCMOS ±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
C25 1.544
~
70.000
5.0 x 7.0 mmSMD
2.50 LVCMOS ±20至±100 （-10到70） ±25至±100 （-40到85）
C32 1.544
~
100.000
5.0 x 7.0 mmSMD
5.00 HCMOS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
C33 1.544
~
156.250
5.0 x 7.0 mmSMD
3.30 HCMOS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCLD-023 77.760
~
161.000
5.0 x 7.0 mmSMD
2.50 LVDS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCLD-024 162.000
~
250.000
5.0 x 7.0 mmSMD
2.50 LVDS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCPD-023 77.760
~
161.000
5.0 x 7.0 mmSMD
2.50 LVPECL ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCPD-024 162.000
~
250.000
5.0 x 7.0 mmSMD
2.50 LVPECL ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCLD-033 77.760
~
161.000
5.0 x 7.0 mmSMD
3.30 LVDS ±25至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCLD-034 162.000
~
250.000
5.0 x 7.0 mmSMD
3.30 LVDS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCPD-033 77.760
~
161.1328
5.0 x 7.0 mmSMD
3.30 LVPECL ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCPD-034 162.000
~
250.000
5.0 x 7.0 mmSMD
3.30 LVPECL ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCS575S
- 超低相位噪声
315.000
~
1000.000
5.0 x 7.5 mmSMD
3.30 SINEWAVE ±150 （-20到70） -113 TYP @ 1 千赫 -137 TYP @ 10 千赫 -151 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -160 TYP @ 10 兆赫
新
CCHD-575
- 超低相位噪声
12.000
~
125.000
5.0 x 7.5 mmSMD
3.30 HCMOS ±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85） -168 TYP @ 地板 -165 MAX @ 地板
新
CCPD-575
- 超低相位噪声
50.000
~
156.250
5.0 x 7.5 mmSMD
3.30 LVPECL ±20 （-40到85） ±25 （-40到85） ±50 （-40到85） -162 TYP @ 地板
CCPD-920 50.000
~
150.000
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30 LVPECL ±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-40到85） -65 TYP @ 10 赫兹 -98 TYP @ 100 赫兹 -125 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫 -145 TYP @ 100 兆赫
CCPD-940 151.000
~
212.500
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30 LVPECL ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-40到85） -80 MAX @ 100 赫兹 -108 MAX @ 1 千赫 -132 MAX @ 10 千赫 -140 MAX @ 100 千赫
新
CCSS-945
- 超低相位噪声
10.000
~
125.000
9.0 x 14.0 mmSMD
5.00 SINEWAVE ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85） 在100 MHz： -85 TYP @ 10 赫兹 -120 TYP @ 100 赫兹 -145 TYP @ 1 千赫 -162 TYP @ 10 千赫 -170 TYP @ 100 千赫 -170 TYP @ 1 兆赫
CCHD-950
- 超低相位噪声
45.000
~
130.000
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30 HCMOS ±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85） -165 TYP @ 地板 -160 MAX @ 地板
新
CCHD-957
- 超低相位噪声
10.000
~
50.000
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30 HCMOS ±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85） -100 TYP @ 10 赫兹 -95 MAX @ 10 赫兹 -169 TYP @ 地板 -165 MAX @ 地板
CCO-983 50.000
~
500.000
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30
5.00
SINEWAVE ±25 （0到70） ±50 （-40到85） 在311.040 MHz： -50 TYP @ 10 赫兹 -80 TYP @ 100 赫兹 -110 TYP @ 1 千赫 -135 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫
CCO-083 10.000
~
200.000
14针浸入式
通孔
3.30
5.00
SINEWAVE ±25 （0到70） ±50 （-40到85） -80 TYP @ 100 赫兹 -112 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫
CCO-985 50.000
~
500.000
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30
5.00
SINEWAVE ±25 （0到70） ±50 （-40到85） 在311.040 MHz： -50 TYP @ 10 赫兹 -80 TYP @ 100 赫兹 -110 TYP @ 1 千赫 -135 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫
CCO-085 10.000
~
200.000
14针浸入式
通孔
3.30
5.00
SINEWAVE ±25 （0到70） ±50 （-40到85） -80 TYP @ 100 赫兹 -112 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫
CCSO-914X-245.760
- 超低相位噪声
245.760 9.0 x 14.0 mmSMD
5.00 SINEWAVE ±200 （-40到85） 在245.760 MHz： -120 TYP @ 1 千赫 -150 TYP @ 10 千赫 -160 TYP @ 100 千赫 -165 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
CCSO-914X3-1000
- 超低相位噪声
1000.000 9.0 x 14.0 mmSMD
3.30 SINEWAVE ±200 （-40到85） 在1 GHz： -112 TYP @ 1 千赫 -142 TYP @ 10 千赫 -155 TYP @ 100 千赫 -167 TYP @ 1 兆赫 -168 TYP @ 10 兆赫
CCSO-914X-1000
- 超低相位噪声
1000.000 9.0 x 14.0 mmSMD
5.00 SINEWAVE ±200 （-40到85） 在1 GHz： -110 TYP @ 1 千赫 -138 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
CCSO-914X
- 超低相位噪声
245.760
~
1000.000
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30
5.00
SINEWAVE （0到70） （-40到85） 在1 GHz： -110 TYP @ 1 千赫 -138 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
CCO-014
生命尽头
1.544
~
156.250
14针浸入式
通孔
5.00 HCMOS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCO-014
S生命尽头
1.544
~
156.250
8针浸入式
通孔
5.00 HCMOS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCO-030
生命尽头
1.544
~
156.250
14针浸入式
通孔
3.30 HCMOS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCO-030S
生命尽头
1.544
~
156.250
8针浸入式
通孔
3.30 HCMOS ±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CPLL-018
生命尽头被
C33取代
1.544
~
200.000
5.0 x 7.0 mmSMD
3.30 HCMOS ±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CS33生命尽头 1.544
~
156.250
5.0 x 7.0 mmSMD
3.30 HCMOS ±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CSO-016T
生命尽头
被C32取代
1.544
~
100.000
5.0 x 7.0 mmSMD
5.00 HCMOS ±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CSO-018T
生命尽头
被C33取代
1.544
~
125.000
5.0 x 7.0 mmSMD
3.30 HCMOS ±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CCPD-922
- 超低相位噪声
40.000
~
125.000
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30 LVPECL （-40到85） （-45至90） 在100 MHz： -85 TYP @ 10 赫兹 -115 TYP @ 100 赫兹 -145 TYP @ 1 千赫 -155 TYP @ 10 千赫 -160 TYP @ 100 千赫 -162 TYP @ 1 兆赫 -162 TYP @ 10 兆赫
CCPD-912
生命尽头
77.760
~
161.1328
9.0 x 14.0 mmSMD
3.30 LVPECL ±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
CRYSTEKMICROWAVE为微波行业开发频率控制件产品和技术支持产品.包括PLL(锁相环)合成器,RedBoxVCO,RF同轴电缆组件,RF电缆连接器,BulkRF同轴电缆,RF功率检测器,滤波器,衰减器,DC模块,无源倍增器,RFPRO(袖珍参考振荡器),基于SAW的时钟振荡器和VCSO.
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