DSX321G晶体谐振器1N226000AA0G汽车电子控制板专用晶振，石英晶体谐振器是一种生活中随处可见的电子器件，诞生于20世纪20年代初，因具有较高的品质因数及良好的频率稳定性，被广泛应用于航天、通信、军事等工业领域。顾名思义，制造石英晶体谐振器的原材料就是石英，一种非常重要的压电材料。其主要特征是其原子或分子有规律排列，反映在宏观上是外形的对称性，在电场的作用下，晶体内部产生应力而形变，从而产生机械振动，获得特定的频率。

DSX321G晶体谐振器1N226000AA0G汽车电子控制板专用晶振，3225mm体积非常小的SMD晶振器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.

常用的微波炉是有一个计时功能,就是每次我们在调它到三分钟,五分钟,十分钟的时候,系统都会随着时间去推算,其实这也就是32.768K晶体起到的效果,就用晶振行业的一句官方语言来说,所以一切关于时计产品都用32.768K插件或贴片系列,高端的电子产品就用贴片晶振,现在电子产品应用插件晶振的越来越少了,插件晶振也慢慢退出晶振市场的迹象。

日本爱普生晶振MC-306是一款32.768k晶振，四脚贴片晶振，小体积尺寸8.0x3.8mm黑色陶瓷封装带斜边的石英晶体谐振器，无源晶振，工作温度-40℃至+85℃，具有小体积轻薄型，耐热性及耐环境特性特点，被广泛用于计时(时间基准)，钟表电子，智能手机，仪器仪表，微波炉，空调，电冰箱，平板电脑等。

微波炉专用晶振MC-306编码Q14MC3062023800

日本爱普生晶振FA-238V是一款小体积尺寸3.2x2.5mm四脚贴片晶振，无源晶振，石英晶体谐振器，FA-238V频率范围12MHz至15.9999MHz之间，可以在-40℃至+85℃（+105℃）温度内稳定工作，该产品具有小体积轻薄型，耐热、耐振、耐冲击等优良的耐环境特性，适用于智能健身镜，移动通讯，智能手机，平板电脑，汽车电子，移动电话，无线蓝牙，ISM频段电台广播，MPU时钟等.

智能健身镜专用晶振Q22FA23V0048200小体积3225mm晶振

日本爱普生晶振热销型号FA-20H，是一款小体积尺寸2.5x2.0mm无源晶振，石英晶体谐振器，四脚贴片晶振，频率范围12MHz至54MHz，可以在-40℃至+85℃的温度内稳定工作，具有超小型，轻薄型，稳定性好，耐热及耐环境特性，FA-20H主要用于移动电话，智能手机，蓝牙，智能家居，平板电脑，无线-局域网，ISM频段电台广播，MPU时钟等，因此也有人称呼手机晶振、蓝牙晶振、时钟晶振这种小尺寸贴片晶振。

小天才发布了行业首款翻转式前后双摄电话手表，后置800万像素、前置500万像素摄像头，支持实时高清视频通话。家长可远程切换摄像头，前置看清孩子，后置看清周围环境，手表的安全性和内部晶振起着重要的作用。孩子佩戴的腕带手表，它能够用于看时间，定闹钟等，定位，打电话，微信聊天，接受消息等等智能功能，是儿童智能手表的一大亮点。

日本爱普生晶振FC1610AN是一款32.768K晶振，超小型尺寸1.6x1.0mm无源晶振，石英晶体谐振器，两脚贴片晶振，工作温度-40℃至+85℃，具有超小型，超薄型，耐热及耐环境特性，特别适用于电话手表，智能手机，钟表电子，平板电脑，仪器仪表，水电表，智能门锁等。

FC1610AN超小型晶振X1A000161000200适用于小天才电话手表应用

测试血糖仪应用晶振Q22FA1280004700超小型2016mm晶振

爱普生是日本有名的频率元件制造商，专业生产销售石英晶振，贴片晶振，石英晶体谐振器，晶体振荡器，晶体滤波器等。发展至今已是国际有名的晶体元件制造商，致力于为客户提供高性能，高可靠，高品质晶振产品。

爱普生晶振FA-238V是一款小体积尺寸3.2x2.5mm四脚贴片晶振，无源晶振，石英晶体谐振器，频率范围:12.000MHz至15.999MHz，工作温度范围:-40℃至+85℃（+105℃），3225mm体积非常小的SMDcrystal器件，是民用小型无线数码产品的最佳选择，具有超小型，轻薄型，耐热及耐环境特性。小体积的晶振被广泛应用到，手机蓝牙，移动电话，无线通讯集，无线-局域网，是民用无线数码产品最好的选择，符合RoHS/无铅.

无源晶振Q22FA23V0025500是民用无线数码产品最好的选择

FA-128无源晶振Q22FA1280002600专用于小型便捷式通信设备应用

爱普生晶振推出的这款FA-118T，超小型尺寸1.6x1.2x0.35mm四脚贴片石英晶振，石英晶体谐振器，无源晶振，是当今很受欢迎的小尺寸晶振，随着民用市场中可无线通信产品的发展和迅速普及，搭载近距离无线通信Bluetooth功能的产品逐渐增加，1612mm无源晶振也呈现出越来越多的需求。

X1E000251001600超小型晶体谐振器适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品

FOX晶振生产的FK135系列，编码FK135EIHM0.032768-T3，两脚贴片晶振，频率32.768kHz，小体积无源晶振尺寸3.2x1.5mm表面贴装，石英晶体谐振器，ESR（等效串联电阻）:70kΩ，负载电容：12.5pF，频率容差±20ppm，工作温度：-40℃至+85℃，符合 RoHS/RoHS II标准，无铅 (Pb)

FOX晶振FK135系列编码FK135EIHM0.032768-T3是一款小体积无源晶振

TXC晶振公司是一家领先的专业频率控制产品制造商致力于研究,设计,制造和销售。其生产的SMD kHz晶体，9HT11系列，编码9HT11-32.768KDZF-T，频率32.768k晶振，小体积晶振尺寸2.0x1.2x0.6mm陶瓷表面贴装封装，两脚贴片无源晶振，石英晶体谐振器，具有超小型，轻薄型，耐热性，耐环境特点，符合RoHS标准/无铅，应用于智能手机，笔记本电脑，钟表电子，汽车电子，医疗设备和数码相机等

TXC晶振9HT11-32.768KDZF-T超小型32.768kHz晶振深受市场的喜爱

DSC613系列器件是业界最小的MEMS时钟发生器，可替代板上最多三个晶体和振荡器，从而将时序元件板空间减少多达 80%。时钟发生器通过集成低功率和高稳定性的微机电系统 (MEMS)谐振器，无需外部晶体。该系列包括两个低功耗分数 PLL，可提供领先的频率灵活性和稳健的抖动性能。客户可以配置输出频率、控制引脚功能、封装尺寸、PPM 精度和温度范围。根据自定义电路板负载条件，最多可提供三种输出驱动强度。扩频时钟也可用于降低 EMI。DSC613是一款高度可配置的器件，出厂时已编程以满足客户的需求

Microchip晶振DSC613系列3路输出低功耗MEMS时钟振荡器DSC613RI3A-010UT

做电子行业几年了?对电子行业了解吗?知道什么样的产品比较好,什么样的设备更适合自己不,以下的更多问号在此省略.做某件事有没有不达目的誓不罢休,没有完成不休息的决心,或者又是喜欢那个人那个物品不变心的,放在人与人可以说痴情,放在你与设备,人与元器件是不开窍?当然不是,只是单纯喜爱,就想爱普生晶振公司FC1610AN吸引我一样.

每个开发和生产专家都知道,石英晶体无法进行超声波焊接和清洁.高频焊接或清洁过程会损坏石英谐振器.而且现在超声波应用相当广泛,在医疗电子,探测,汽车等领域都有应用,这样一来对石英晶振的需求势必会有所提升,在这样的背景下,彼得曼晶振公司就出产了一种可适用于超声波的低成本兆级系列耐高温石英晶体产品SMD03025/4US.

石英晶体谐振器在电子学中的重要性在于其极高的Q值、相对较小的尺寸和优异的温度稳定性。

石英晶体谐振器利用石英的压电特性直接压电效应是指机械应力作用下某些材料产生的电极化效应。逆效应是指同一材料在电场作用下产生的变形。

在石英晶体谐振器中，在两个电极之间放置一薄片石英，其相对于晶体轴以适当的方向切割。施加在这些电极上的交流电压会使石英同时振动。伴随而来的极化变化构成了通过谐振器的电位移电流。

当外加电压的频率接近石英薄片的机械共振频率之一时，振动的振幅变得很大。伴随的位移电流也会增大，因此器件的有效阻抗会减小。在石英晶体谐振器作为晶体振荡器的频率控制元件的应用中，阻抗随共振附近频率的变化而迅速变化是关键因素。

在电气方面，石英晶体可以用图1中的等效电路表示，其中串联组合r1、l1和c1表示压电效应对阻抗的贡献，c0表示电极之间的并联电容以及任何杂散保持器电容。电感l1是石英质量的函数，而电容c1与其刚度相关。电阻r1是石英和安装装置损耗的结果。等效电路的参数测量精度可达1%左右。

等效电路的电抗频率图如图2所示。晶振性能的相关公式有很多，其中第一个是fs。这是晶体串联共振的频率，由下式给出： 

其中fs以赫兹表示，l1以亨利表示，c1以法拉表示。 

典型晶体参数值

校准公差

校准公差是晶体在特定温度、基准温度（通常为25°C）下频率的最大允许偏差。

频率稳定性

晶振不稳定有多种原因。温度变化和质量的物理变化导致了我们称之为老化的长期漂移，这可能是我们最关心的问题。

通过适当选择晶振切割和（对于严格的公差要求）在晶振电路中包括与温度相关的电抗，或在小烤箱中保持恒定温度，可将温度变化的影响降至最低。at-cut晶体是当今应用最广泛的晶振，因为它们的频率-温度曲线家族很容易以低成本为所有应用（除了最苛刻的应用）提供良好的性能。

未补偿的AT切割晶体可以在-10°C到60°C的范围内规定公差为±5ppm，更宽的温度范围需要更大的公差，如图3所示，显示了AT切割频率温度曲线的典型系列这些曲线可以用三次方程表示，并且强烈依赖于石英坯料的切割角度零温度系数的点称为上下拐点通过选择切割角度，可以将一个转折点放置在需要的位置；然后固定另一个转折点，因为这两个转折点在20°~30°C范围内的某个点上是对称的。转弯点之间的坡度随着它们一起移动而变小。设计用于烘箱的晶体被切割，以便上转折点与烘箱工作温度一致。

图4显示了几个低频切割的频率-温度曲线。J-cut在10kHz以下使用，而XY-cut可以在3kHz到85kHz之间使用。可在10KHz范围内使用NT切割。dt-cut适用于100khz至800khz左右，ct-cut适用于300khz至900khz。

负载电容

晶振可以由其制造商在fr处进行校准，在fr处它们看起来是电阻的（或非常接近fr的fs），或者在与电容性负载共振时，它们当然必须是电感的。后一种情况称为负载共振，通常用符号fl表示；更具体地说，符号f30，例如，表示晶体与30pF电容性负载共振的频率。

晶体电抗曲线上需要校准的点由电路结构决定一般来说，振荡器中的非反相保持放大器需要在fr处校准，而反相放大器需要在“负载电容”cl的某个值处校准。后一种配置依赖于电感晶体以及与之共振的负载电容，提供180度的相位偏移。

该规则最常见的例外是，当小电容器（例如变容二极管）与非反相放大器电路中的晶体串联以提供一定程度的频率调整时。在这种情况下，必须用电容的平均值校准晶体的共振。

 可拉性 

晶体的可拉性是在给定的负载电容变化下测量其频率变化的一种方法。这通常表示为串联谐振频率（fr）和负载谐振频率（fL）之间的差异该偏移量可使用分数负载谐振频率偏移量（dl）以百万分之几计算，即给定值cl时，从fr到fl的实际频率变化。

  其中C1，C0和CL均以相同单位表示。图5显示了频率变化相对于负载电容变化的影响的典型曲线。

 另外，通常将晶体的可拉性表示为修整灵敏度，单位为ppm / pF负载电容变化。 通过ppm / pF给出：

其中C1，C0和CL以pF为单位，并且在图6中以图形方式显示了（C0 + CL）的各种值。

等效电路常数：图1.2显示了陶瓷谐振器的符号。端子间的阻抗和相位特性如图1.5所示。该图说明陶瓷谐振器在提供最小阻抗的频率fr（谐振频率）和提供最大阻抗的频率fa（反谐振频率）之间的频率范围内变为电感性的。它在其他频率范围内变为电容。这意味着双端子谐振器的机械振荡可以用等效电路代替，该等效电路由串联和并联谐振电路的组合构成，其中包括电感器L，电容器C和电阻器R.在谐振频率附近，等效电路可以表示如图1.4所示。

fr和f a频率由压电陶瓷材料及其物理参数决定。等效电路常数可以从以下公式确定：

考虑到fr≤f≤fa的有限频率范围，阻抗给出为Z = R e + jwL e（Le≤= 0），如图1.5所示。 陶瓷谐振器应当作为具有损耗R e（Ω）的电感器L e（H）操作。

图1.1显示了陶瓷谐振器和石英晶体谐振器之间等效电路常数的比较。 注意，电容和Q m存在很大差异，这导致实际操作时振荡条件的差异。 附录中的表格显示了每种陶瓷谐振器的等效电路常数的标准值。

除了期望的振荡模式之外，存在用于其他振荡模式的高次谐波。 存在这些其他振荡模式是因为陶瓷谐振器使用机械共振。 图1.6显示了这些特征。

基本振荡电路

通常，振荡电路可分为以下三种类型：

1.积极的反馈

2.负电阻元件

3.在陶瓷谐振器，石英晶体谐振器和LC振荡器的情况下，传输时间或相位的延迟，正反馈是首选电路。

在使用LC的正反馈振荡电路中，通常使用Colpitts和Hartley的调谐型反耦合振荡电路。 见图1.7。

在图1中。 在图7中，使用晶体管，它是最基本的放大器。

振荡频率与Colpitts电路中由L，C L1和C L2组成的电路的谐振频率大致相同，或者由Hartley电路中的L 1，L 2和C组成。 这些频率可以用下面的公式表示。

在陶瓷谐振器振荡器中，利用陶瓷谐振器代替电感器，利用谐振器在谐振和反谐振频率之间变为电感的事实。 最常用的电路是Colpitts电路。

这些振荡电路的工作原理如图2.1所示。 满足以下条件时发生振荡。

环路增益：G =α•β≥1

相位量：φT=φ1+φ2= 360°•n（n = 1,2，...）

在Colpitts电路中，使用φ1= 180°的反转，并且在反馈电路中用L和C反转φ2= 180°。 用陶瓷谐振器的操作可以认为是相同的。

应用

典型的振荡电路：陶瓷谐振器最常见的振荡器电路是Colpitts电路。电路的设计随应用和要使用的IC等而变化。尽管电路的基本配置与晶体控制振荡器的基本配置相同，但机械Q的差异是由电路常数的差异引起的。一些典型的例子如下。

设计考虑因素：使用逆变器门将数字IC配置为振荡电路变得越来越普遍。下页的图3.1显示了带CMOS反相器的基本振荡电路的配置。

INV.1用作振荡电路的反相放大器。 INV.2用作波形整形器，也用作输出的缓冲器。

反馈电阻R f在逆变器周围提供负反馈，以便在通电时振荡开始。

如果R f的值太大而输入逆变器的绝缘电阻很低，则由于环路增益的损失，振荡将停止。而且，如果R f太大，则可以将来自其他电路的噪声引入振荡电路。显然，如果R f太小，则环路增益会降低。 1MΩ的R f通常与陶瓷谐振器一起使用。

阻尼电阻Rd具有以下功能，但有时省略。它使逆变器和反馈电路之间的耦合松动;从而减小逆变器输出侧的负载。此外，反馈电路的相位稳定。它还提供了一种降低高频增益的方法，从而防止了寄生振荡的可能性。

负载电容：负载电容C L1和C L2提供180°的相位滞后。应根据应用，使用的IC和频率正确选择这些值。如果C L1和C L2的值低于必要值，则高频环路增益会增加，从而增加了寄生振荡的可能性。这特别有可能在厚度振动模式所在的4-5MHz附近。

该电路中的振荡频率（f OSC）大致由下式表示。

其中，f r：陶瓷谐振器的谐振频率。

C1：陶瓷谐振器的等效串联电容。

C0：陶瓷谐振器的等效并联电容。

C L = C L1•C L2 / C L1 + C L2

这清楚地表明振荡频率受负载电容的影响。当需要对振荡频率的严格公差时，应注意定义其值。

CMOS反相器：CMOS反相器可用作反相放大器; 4069 CMOS组的单级型最有用。由于增益过大，环形振荡或CR振荡是使用三级缓冲型逆变器（如4049组）时的典型问题。 ECS采用RCA CD4O69UBE作为CMOS标准电路，如图3.2所示。

HCMOS逆变器电路：最近，高速CMOS（HCMOS）越来越多地用于允许微处理器的高速和低功耗的电路。

HCMOS逆变器有两种类型：非缓冲74HCU系列和带缓冲器的74HC系列。 74HCU系统是陶瓷谐振器的最佳选择。见图3.3

TTL逆变器电路：由于阻抗匹配，负载电容C L1和C L2的值应大于CMOS的值。此外，反馈电阻R f应小至几KΩ。注意，需要偏置电阻R d来正确确定DC工作点。

频率相关：振荡器电路如图所示

以下页面是ECS标准测试电路。这些电路中使用的逆变器被广泛接受为工业标准，因为它们的特性代表了同一系列（CMOS / HCMOS / TTL）中微处理器中的特性。当然，应用将使用不同的IC，并且可以预期，振荡器电路特性将因IC而异。

通常，这种变化可以忽略不计，并且可以简单地通过将处理器分类为CMOS，HCMOS或TTL来选择陶瓷谐振器部件号。

鉴于标准ECS陶瓷谐振器在下页中对测试电路进行100％频率分类，因此将标准电路的振荡频率与客户指定电路的振荡频率相关联相对容易。

例如，如果使用的微处理器是摩托罗拉6805，频率为4MHz，那么正确的ECS部件号将是ZTA4.OMG（频率分类到CD4O69UBE CMOS测试电路）。电路参数应选择如下：

通过实际设置该电路以及下面图3.1所示的标准测试电路，可以确定使用带有6805处理器的ZTA4.OMG时可以预期的平均偏移。 实际数据如下所示：

根据这些数据，可以预测标准ZTA4.00MG谐振器的频率偏离原始的4.00MHz±0.5％初始容差约+ 0.06％。 这当然是一个可以忽略不计的转变，不会以任何方式影响电路性能。

 各种IC / LSI电路：

通过充分利用前面提到的特征，陶瓷谐振器与各种IC组合在一起被广泛应用。以下是一些实际应用示例。

微处理器的应用：陶瓷谐振器是各种微处理器的最佳稳定振荡元件：4位，8位和16位。由于微处理器参考时钟所需的一般频率容差为±2％ -  3％，因此标准单元满足此要求。向您的ECS或LSI制造商询问电路常数，因为它们随频率和使用的LSI电路而变化。图A显示了具有4位微处理器的应用程序，图B显示了具有8位微处理器的应用程序。

遥控器IC：遥控器越来越成为一种常见功能。振荡频率通常为400-500 KHz，455KHz是最受欢迎的。该455KHz被载波信号发生器分频，从而产生大约38KHz的载波。

VCO（压控振荡器）电路：VCO电路用于电视和音频设备，因为信号需要与广播电台发送的导频信号同步处理。最初使用振荡电路，例如LC和RC;然而，现在使用陶瓷谐振器，因为它们不需要调整并且具有优于旧型电路的稳定性。用于VCO应用的谐振器需要具有宽的可变频率

其他：除上述用途外，陶瓷谐振器广泛用于IC用于语音合成和时钟生成。对于一般的定时控制应用，振荡频率通常由用户根据IC制造商推荐的工作频率范围选择。用给定的IC选择这个频率将决定什么电路值和哪个陶瓷谐振器是合适的。选择陶瓷谐振器部件号时，请联系您当地的ECS销售代表。

如前所述，陶瓷谐振器有许多应用。一些更具特定应用的振荡器电路要求为该应用和IC开发独特的陶瓷谐振器。

振荡上升时间

振荡上升时间是指在激活IC的电源时振荡从瞬态区域发展到稳定区域的时间。使用陶瓷谐振器时，它定义为在稳定条件下达到振荡电平的90％的时间如图6.1所示。

上升时间主要是振荡电路设计的函数。通常，较小的负载电容，较高频率的陶瓷谐振器和较小尺寸的陶瓷谐振器将导致较快的上升时间。随着谐振器的电容减小，负载电容的影响变得更明显。图6.2显示了对负载电容（C L）和电源电压的上升时间的实际测量。值得注意的是，陶瓷谐振器的上升时间比石英晶体快一到二十倍。 （这一点在图6.3中用图解说明）

启动电压：启动电压是指振荡电路可以工作的最小电源电压。所有电路元件都会影响启动电压。它主要取决于IC的特性。图6.4示出了相对于负载电容的起始电压特性的实际测量的示例。

陶瓷共振器振荡特性

下面描述基本电路中振荡的一般特性。有关特定类型的IC和LSI的振荡特性，请与泰河电子联系。

在-20°C至+ 80°C的范围内，温度变化的稳定性为±0.3至0.5％，尽管根据陶瓷材料的不同而略有不同。负载电容（C L1，C L2）对振荡频率的影响相对较高，可以根据f OSC的公式计算.ffC。由于电容，变化约±0.1％

工作电压范围内的偏差为±0.1％。 f OSC。也随IC的特性而变化。

电源电压变化特性：有关给定振荡频率的实际稳定性测量示例，请参见下面的图1。

振荡水平：以下是振荡水平对温度，电源电压和负载电容（C L1，C L2）的实际测量示例。振荡水平要求在很宽的温度范围内保持稳定，并且温度特性应尽可能平坦。除非IC具有内部恒定电压电源，否则这种变化与电源电压呈线性关系。