爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002LB晶振,陶瓷可编程石英晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 5.0x3.2x1.2 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002CE晶振,3225可编程有源振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 3.2x2.5x1.05 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCB晶振,SG-210SCB 25.0000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -32 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CBN晶振,SPXO有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.

外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CAN晶振,普通有源晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 1 MHz - 75 MHz

电源电压: 1.8 V - 3.6V Typ.

外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振,普通有源晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 1.2 MHz - 75 MHz

电源电压: 1.8 V - 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.0 × 1.6 × 0.7 mm

功能：??待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +125 °C

贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

贴片石英晶振3215mm尺寸系列，晶体内部采用了真空封装技术，是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

随着科技日益高速的发展，电子元器件体积也越来越小，智能手机，平板电脑等无线通讯器材，也随着小型化，就在苹果2016年推出智能手环以来，各项智能手环通讯产品在国内陆陆续续的推出，因智能手环本身重量轻，体积小等原因，所以内部所使用的电子零件均是目前最新最小的产品。那么晶振又有那几款会使用到智能手环里面呢？

随着科技日益高速的发展，电子元器件体积也越来越小，智能手机，平板电脑等无线通讯器材，也随着小型化，就在苹果2016年推出智能手环以来，各项智能手环通讯产品在国内陆陆续续的推出，因智能手环本身重量轻，体积小等原因，所以内部所使用的电子零件均是目前最新最小的产品。那么晶振又有那几款会使用到智能手环里面呢？32.768KHZ目前SMD品种有几款产品在智能手环中发挥最大的作用呢？以下几款对比产品：爱普生晶振品牌FC-12M，精工晶体的品牌SC-20S，西铁城晶振的CM-212H，日本大真空晶体品牌DST210A等以上几款32.768K均是目前市场上最为常用的小尺寸贴片晶振，外观尺寸2.0*1.2*0.5mm体积还不足一立米大小。

二脚SMD陶瓷面贴片晶振,表面陶瓷封装,其实是属于压电石英晶振,是高可靠的环保性能,严格的频率分选,编带盘装,可应用于高速自动贴片机焊接,产品本身设计合理,成本和性能良好,产品被广泛应用于平板电脑,MP5,数码相机,USB接口最佳选择,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的铅.

贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态