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泰艺晶振,XJ晶振,XJGPPCAANF晶振
更多 +普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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CTS晶振,402晶振,2016贴片晶振,402F2501XIAR晶振
更多 +小体积贴片2016mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 ( 2.0 × 1.6mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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ECS晶振,贴片石英晶振,CSM-9晶振
更多 +小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.
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ECS晶振,CSM-8M晶振,ECS-120-20-20BM-TR晶振,12MHZ晶振
更多 +外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 ,具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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西铁城晶振,石英晶体,CM309A晶振
更多 +工作温度:-40℃~+85℃
保存温度:-55℃~+125℃
负载电容:16pF
小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应3.500MHz以上的频率.
- [新闻中心]Abracon提供工业市场解决方案AK2BDDF1-156.2500T2024年05月20日 22:13
Abracon提供工业市场解决方案AK2BDDF1-156.2500T
针对最快数据链路的功耗优化抖动性能
ClearClock系列振荡器支持通信、云计算、存储和射频应用的下一代性能要求。这些振荡器在低功耗方面领先业界,同时保持低至80fs的典型抖动。它们还提供FPGAs和IC所需的相位噪声性能,以支持超过56Gbps的串行数据速率。ClearClock系列包括锁相环和第三泛音解决方案,封装尺寸小至2.5x2.0mm石英晶振。
基于PLL的清零时钟解决方案
AX7系列经过优化,具有出色的均方根抖动性能(典型值为119),而功耗仅为130mW。AX7具有其性能级别中最宽的工厂可配置频率范围,从50MHz到2.1GHz。
AX5系列采用更小的5 x 3.2 mm尺寸,适用于下一代网络和射频应用。该系列在低功耗方面处于行业领先地位,同时保持125fs的典型抖动,非常适合超过56Gbps的串行数据链路。
三次泛音ClearClock解决方案
新款贴片晶振AK2A、AK2、AK3A、AX3和AK5系列的最低工作电压为1.8V,功耗通常为30mW,为低噪声差分振荡器提供了业界领先的低功耗。这些器件简化的第三泛音架构避免了基于锁相环(PLL)的乘法运算,整体功耗远低于其它高性能XO替代产品。- 阅读(910)
- [常见问题]振荡器老化及其在精密定时中的重要性,SIT5001AI-2E-33N0-50.000000T2023年06月21日 14:48
- 振荡器老化及其在精密定时中的重要性,SIT5001AI-2E-33N0-50.000000T,频率稳定性是振荡器最基本的性能规格。它表示输出频率的偏差,通常以百万分之一(ppm)或十亿分之一(ppb)表示。稳定性数字越小意味着性能越好。频率变化可能由多种条件引起,例如温度变化、电源电压变化、输出负载变化和频率老化。我们重点介绍老化,即振荡器频率在一定时间内的变化。
- 阅读(693)
- [行业新闻]Vishay威世晶振XO57DRECNA14M7456适用于无线蓝牙模块应用2023年05月18日 08:58
- Vishay威世晶振XOSM-57系列是一个超微型封装时钟振荡器,小体积晶振尺寸为7.0x5.0x1.9mm微型封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,无铅环保晶振,表面贴装晶体振荡器,频率范围:1.500MHz至100.000MHz,工作温度范围:- 40 oC to + 85 oC,供电电压:5.0 V ±10 %,适用于通讯设备,便携式电脑,电信设备,无线网络,蓝牙模块,物联网等应用。Vishay威世晶振XO57DRECNA14M7456适用于无线蓝牙模块应用
- 阅读(694)
- [行业新闻]时钟振荡器XO57CTECNA12M电信设备专用晶振2023年04月28日 08:38
Vishay威世晶振XOSM-57系列是一个超微型封装时钟振荡器,小体积晶振尺寸为7.0毫米x5.0毫米x1.9毫米的表面安装,四脚贴片晶振,有源晶振,XOSM-57BRE50Me4石英晶体振荡器,无铅环保晶振,频率范围:1.500MHz-100.000MHz,具有超小型,轻薄型,低抖动,微型包装,三态使能/禁用,兼容TTL/HCMOS,磁带和卷轴,红外线回流,5V输入电压,主要用于便携式电脑和电信设备和设备。时钟振荡器XO57CTECNA12M电信设备专用晶振
- 阅读(732)
- [行业新闻]lora模块低功耗温补晶振ECS-327TXO-33-TR2023年02月16日 09:06
- lora模块低功耗温补晶振ECS-327TXO-33-TR,是一款32.768KHz晶振,低功耗CMOS贴片TCXO温度补偿晶振,紧凑型陶瓷封装3.28x2.5x1.3毫米LWH采用行业标准尺寸.与未经补偿的音叉晶体相比,在-40°C至+85°C温度范围内的5ppm稳定性提高了本地时钟精度,是LoRa的理想选择,广域网和精确RTC应用.
- 阅读(710)
- [行业新闻]ECS-250-12-33QZ-ADS-TR适合高冲击和高振动环境的理想选择2023年02月15日 08:47
- ECS晶振推出超小型加固型ECX-33QZ紧凑型SMD石英晶体,小体积尺寸采用3.2x2.5x0.8毫米(LWH)四焊盘工业标准陶瓷封装,石英晶体谐振器,这些晶体的坚固设计利用了额外的内部粘合点,使ECS-250-12-33QZ-ADS-TR适合高冲击和高振动环境的理想选择,如汽车和轮胎压力监测系统(TPMS)的应用。
- 阅读(707)
- [行业新闻]ECS-2012MV-327KE针对各种无补偿晶体振荡器提供更高的稳定性2023年02月13日 08:39
ECS最新推出ECS-2012MV-327KE,是一款具有MultiVolt功能的2.0x1.2x0.85mm陶瓷封装,32.768K晶振 HCMOS振荡器。这种小型电子元器件提供低电流消耗和相对于未补偿晶体振荡器的改进的稳定性。
这些电子元件提供32.768kHz的频率,频率稳定度为10ppm,在-40°C至+85°C的标准工业工作温度下具有0.5A的低功耗。作为MultiVolt系列晶体振荡器的一部分,ECS-2012MV-327KE设计采用1.2V至5.5V的可变电源电压或标准1.8V、2.5V、3.0V或3.3V电源供电。该器件ECS-2012MV-327KE针对各种无补偿晶体振荡器提供更高的稳定性,是智能电表、可穿戴设备、工业和物联网应用的理想之选。
- 阅读(685)
- [行业新闻]1XXD16367MAA,DSB211SDN晶振,16.367M温补晶振2022年11月22日 10:37
1XXD16367MAA,DSB211SDN晶振,16.367M温补晶振
KDS晶振 原厂型号 DSB211SDN KDS晶振 原厂代码 1XXD16367MAA Device Name 产品名称系列 TCXO(温补晶振) Nominal Frequency 标称频率 16.367MHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.0*1.6*0.9mm 1XXD16367MAA晶振产品尺寸图
1XXD16367MAA晶振产品电气表
关于 1XXD16367MAA,DSB211SDN晶振,16.367M温补晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。包装条件
胶带包装
(1)压花胶带格式及尺寸
(2)卷筒数量:最多2000个/卷
(3)胶带规格
不缺产品。
(4)卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级:IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装,无需重新储存后烘烤。
包装箱
最多10卷/包装箱。但是,在少于10卷的情况下,它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。KDS 晶振即是日本大真空株式会社(DASHINKU CORP),成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.
首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称(KDS)在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【泰河电子】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.
- 阅读(102)
- [行业新闻]KDS晶振,DSK321STD晶振,1XZA032768AD19,32.768K温补晶振2022年11月14日 09:24
KDS晶振,DSK321STD晶振,1XZA032768AD19,32.768K有源晶振
KDS晶振 原厂型号 DSK321STD KDS晶振 原厂代码 1XZA032768AD19 Device Name 产品名称系列 OSC(有源晶振) Nominal Frequency 标称频率 32.768 KHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3VV Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.5*2.0*0.9mm 1XZA032768AD19晶振产品尺寸图
关于KDS晶振,DSK321STD晶振,1XZA032768AD19,32.768K有源晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。包装条件
胶带包装
(1)压花胶带格式及尺寸
(2)卷筒数量:最多2000个/卷
(3)胶带规格
不缺产品。
(4)卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级:IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装,无需重新储存后烘烤。
包装箱
最多10卷/包装箱。但是,在少于10卷的情况下,它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。KDS 晶振即是日本大真空株式会社(DASHINKU CORP),成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.
首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称(KDS)在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【泰河电子】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.
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- [行业新闻]1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振2022年08月22日 10:39
1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振
KDS晶振 原厂型号 DSB221SDN KDS晶振 原厂代码 1XXB24000MEA Device Name 产品名称系列 TCXO(温补晶振) Nominal Frequency 标称频率 24 MHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.5*2.0*0.9mm 1XXB24000MEA晶振产品尺寸图
1XXB24000MEA晶振产品电气表
关于1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。- 阅读(128)
- [晶振编码查询]1XXB38400MCB|KDS晶振|DSB221SDN晶振|温补晶振|削峰正弦波2022年08月22日 09:36
1XXB38400MCB|KDS晶振|DSB221SDN晶振|温补晶振
KDS晶振 原厂型号 DSB221SDN KDS晶振 原厂代码 1XXB38400MCB Device Name 产品名称系列 TCXO(温补晶振) Nominal Frequency 标称频率 38.4 MHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3VV Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.5*2.0*0.9mm 1XXB38400MCB晶振产品尺寸图
1XXB38400MCB晶振产品电气表
关于1XXB38400MCB|KDS晶振|DSB221SDN晶振|温补晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。- 阅读(98)
- [行业新闻]TXC晶振9HT11-32.768KDZF-T超小型32.768kHz晶振深受市场的喜爱2022年08月19日 08:42
TXC晶振公司是一家领先的专业频率控制产品制造商致力于研究,设计,制造和销售。其生产的SMD kHz晶体,9HT11系列,编码9HT11-32.768KDZF-T,频率32.768k晶振,小体积晶振尺寸2.0x1.2x0.6mm陶瓷表面贴装封装,两脚贴片无源晶振,石英晶体谐振器,具有超小型,轻薄型,耐热性,耐环境特点,符合RoHS标准/无铅,应用于智能手机,笔记本电脑,钟表电子,汽车电子,医疗设备和数码相机等
TXC晶振9HT11-32.768KDZF-T超小型32.768kHz晶振深受市场的喜爱
- 阅读(703)
- [行业新闻]ABS05音叉晶体1610mm器件针对节能MCU进行了优化,ABS05-32.768KHZ-9-T2022年08月16日 08:45
- ABS05系列是在需要小尺寸的 RTC电路中进行时间管理的完美解决方案。我们高要求的音叉晶体系列功耗低,可在广泛的应用中保持电池寿命。与之前的ABS07相比,ABS05可节省33%的空间。ABS05器件在4.0pF的有效振荡器环路负载中具有±20ppm和±25ppm的设置容差.
特征:
频率:32.768k晶体
小型音叉晶体(1.60x1.0x0.50mm封装)
薄型 - 高度限制设计的理想选择
提供标准的±20ppm设置容差
适用于工业应用的扩展温度-40℃至+85℃
应用:
无线模块
物联网 (IoT)
蓝牙/低功耗蓝牙 (BLE)
商业和工业应用
低功耗 MCU、SoC、收发器
通讯与测量设备
ABS05音叉晶体1610mm器件针对节能MCU进行了优化,ABS05-32.768KHZ-9-T,石英晶体 - 阅读(687)
- [行业新闻]石英晶体负载电容还有频率吗?2019年11月07日 14:54
石英晶体负载电容还有频率吗?这句话听起来又矛盾又好奇,为什么负载电容里面还会有频率出现.我们所知道的不都是石英晶振产品内部有标准频率参数,负载电容值,频率偏差以及工作温度等相关参数,但又是为什么石英晶体负载电容还会有频率呢?那么以下,请跟随着我们来去了解探讨一下有关于<石英晶体负载电容还有频率吗?>的疑问!
当订购用于工作在频率f下的振荡器的晶体时,例如32.768 kHz或20 MHz,通常仅指定工作频率是不够的。尽管晶体将以接近其串联谐振频率的频率振荡,但实际的振荡频率通常与该频率稍有不同(在“并联谐振电路”中会稍高一些)1。
因此,假设您有一个晶体振荡器电路,并且想要购买晶体,以使放置在该电路中时的振荡频率为f。您需要告诉晶振厂家完成什么?您是否需要发送振荡器设计的示意图以及其设计的所有相关细节,例如选择与布局相关的电容器,电阻器,有源元件和杂散?幸运的是,答案是否定的。除了频率f之外,仅需一个数字,即负载电容CL。
2.什么是CL?
假设您的晶体振荡器以所需的频率f运行。在该频率下,晶体具有复阻抗Z,并且对于工作频率而言,这是晶体唯一重要的特性。因此,为了使振荡器在频率f下工作,您需要在频率f下具有阻抗Z的晶体。因此,最糟糕的是,您只需指定一个复数Z = R + jX。实际上,它甚至比这更简单。
尽管原则上应该在频率f处指定晶体电阻R,但通常R中的晶体间差异以及振荡器对此变化的敏感性足够低,因此无需指定R。这并不是说抗结晶性没有影响;是的。我们将在第4节中进一步讨论。
因此,剩下一个值来指定:f处的晶体电抗X。因此,可以指定一种在20 MHz时电抗为400的晶体。取而代之的是,通常通过指定电容CL并等于
在这里我们设定了ω=2πf。 在物理上,在该频率下,晶振和电容CL的串联组合的阻抗具有零相位(等效地,具有零电抗或纯电阻)。 参见图1。
其中第二步遵循公式(1),电容C的电抗为-1 /(ωC)。
图1-该串联组合在晶振具有负载电容CL的频率下具有零相阻抗
因此,确保适当的振荡频率的任务是提供在指定频率下具有所需电抗的组件(在这种情况下为晶体),这由等式(1)2用电容CL表示。例如,我们不是指定晶体在20 MHz时具有400 frequency的电抗,而是指定在20 MHz处具有20 pF的负载电容的晶体,或更通常地,我们指定在20 pF的负载电容下的晶体频率为20 MHz。
在“并联谐振电路”中,CL为正,通常在5 pF至40 pF之间。在这种情况下,晶体在晶体的串联和并联谐振频率(分别为Fs和Fp)之间的狭窄频带内工作。
注释:1订购晶体进行串联谐振操作时,不要指定CL的值,而应声明频率f指的是串联谐振频率Fs。
2这并不是说频率确定的所有方面都与此唯一数字相关。例如,晶体和振荡器的其他方面决定了是否选择了正确的振荡模式以及系统的频率稳定性(短期和长期)。
虽然真正的“串联谐振电路”没有与之相关的负载电容[或方程式(1)可能是无穷大],但大多数“串联谐振电路”实际上实际上是在串联谐振频率之外工作的,因此确实有一个有限负载电容(可以为正或负)。但是,如果此偏移很小,并且不需要指定负载电容,则可以忽略该偏移,也可以通过在指定频率f中稍有偏移来处理它。
正如我们将在第4节中看到的那样,振荡器和晶体都确定CL。但是,该晶体的作用很弱,因为在零电阻的极限内,该晶体在确定CL时根本不起作用。在这种限制情况下,将CL称为振荡器负载电容是有意义的,因为它完全由振荡器决定。但是,到了在订购晶体的时间上,可以指定在负载电容CL处具有频率f的晶体,即这是晶体频率的条件。因此,将CL称为晶体负载电容是合理的。出于争论的目的,我们简单地避免了这个问题,并使用术语负载电容。
3.在CL上定义FL
现在,对于在给定的负载电容下具有给定频率的晶体,我们用方程式(1)作为定义关系。
定义:当晶体在频率FL处的电抗X由公式(1)给出时,晶体在负载电容CL处具有频率FL,其中ω=2πFL。
回想一下,在给定模式下,晶体的电抗从负值增加,在串联谐振时从零增加到在并联谐振附近的大正值,在此它迅速减小到大负值,然后又增加到零。 (参见参考文献[1]。)通过排除并联谐振周围的区域,我们为每个电抗值提供了一个频率。这样,我们可以关联给定CL值的频率FL。因此,CL的正值对应于串联谐振和并联谐振之间的频率。 CL的大负值对应于低于串联谐振的频率,而较小的负值对应于高于并联谐振的频率。 (请参见下面的公式(3)。)
3.1。 晶体频率方程
那么,振荡频率在多大程度上取决于负载电容CL? 我们可以通过确定晶体频率FL如何取决于晶体负载电容CL来回答这个问题。 可以证明这一点非常近似
其中C 1和C 0分别是晶体的动电容和静电容。 (有关该关系的推导和讨论,请参见参考文献[1]。)为便于说明,我们将公式(3)称为晶体频率公式。
这表明晶体振荡器的工作频率与其负载电容的相关性以及对晶体本身的相关性。 特别地,当将负载电容从CL1更改为CL2时,分数频率变化可以通过以下方式很好地近似:
3.2。 修剪灵敏度
公式(3)给出了工作频率FL对负载电容CL的依赖性。 频率随CL的负变化率称为调整灵敏度TS。 使用公式(3),这大约是
由此可见,在较低的CL值下,晶体对CL的给定变化更敏感。
4.但是什么决定CL?
考虑一个简单的皮尔斯振荡器,它由一个晶体,一个放大器以及栅极和漏极电容器组成,如图2所示。
试图计算皮尔斯振荡器电路的负载电容时,必须考虑至少三个杂散电容。
1.从放大器的输入到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身,并且将电容跟踪到地。由于此电容与C G并联,因此我们可以简单地将其吸收到C G的定义中。 (CG是电容器对地的电容加上放大器此侧对地的任何附加电容。)
2.从放大器的输出到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身,并且将电容跟踪到地。由于此电容与C D并联,因此我们可以简单地将其吸收到C D的定义中。 (即CD是电容器接地电容,再加上放大器此侧的任何其他接地电容。)
3.杂散电容C s使晶体分流,如图2所示。
如上所述重新定义C G和C D,然后得出[2]振荡的条件之一是
Where
是晶体和电容C s的并联组合的阻抗,而R o是放大器的输出电阻。
可以看出,晶振电阻R是负载电容CL的函数,近似为:(假设CL不太小)
其中R 1是晶体[1]的运动阻力。
然后得出结论(提供的CL – C s不太小)
以及
根据这些结果,式(6)给出了CL的以下方程式
其中R′由等式(9)近似。请注意,CL的方程实际上比起初看起来要复杂一些,因为R'取决于CL。
可以看出,CL随R 1的增加而减小,因此通过公式(3),工作频率随晶体电阻而增加。因此,负载电容确实与晶体本身有关。但是,正如我们前面提到的,晶体电阻的变化以及对这种变化的灵敏度通常足够低,因此可以忽略不计。 (在这种情况下,晶体电阻的标称值用于计算CL。)
但是,有时抗拒效果不容忽视。调谐两个晶体,以使它们在给定的负载电容CL下具有完全相同的频率,如果它们的电阻不同,则它们可以在同一振荡器中以不同的频率振荡。这种微小的差异导致所观察到的系统频率变化增加,高于晶体频率校准误差和板对板组件变化所引起的变化。
注意,在晶体电阻为零的情况下(或与放大器的输出电阻R o相比,至少可忽略不计),公式(11)给出
因此,在这种情况下,负载电容是将晶体分流的杂散电容加上晶体每一侧的两个电容与地之间的串联电容。
5,测量CL
虽然原则上可以从电路设计中计算出CL,但是一种更简单的方法是简单地测量CL。这也更加可靠,因为它不依赖于振荡器电路模型,考虑了与布局相关的杂散(可能难以估计),并且考虑了晶体电阻的影响。这是两种测量CL的方法。
5.1方法1
该方法需要阻抗分析仪,但不需要了解晶体参数,并且与晶体模型无关。
1.获得与将要订购的晶体相似的晶体,即具有相似的频率和电阻。
2.将此晶体放置在振荡器中,并测量操作FL的频率。将晶振放入电路中时,请注意不要损坏它或做任何会引起不适当频率偏移的事情。 (如果焊接到位,请使其冷却至室温。)避免焊接的好方法是简单地使用例如铅笔的橡皮擦末端将晶体压在板的焊盘上,并观察振荡频率。只要注意晶体与电路板完全接触即可。该系统仍然可以以较高的频率振荡,而晶体不会与电路板完全接触。
3.使用阻抗分析仪,以步骤2中确定的频率FL测量晶体的电抗X。
4.使用等式(1)以及在FL处的FL(ω=2πFL)和X的测量值来计算CL。
5.2方法2
此方法取决于四参数晶体模型,并且需要了解这些参数(通过您自己的测量或晶体制造商提供的知识)。
1.获得与将要订购的晶体相似的晶体,即具有相似的频率和电阻。
2.表征该晶体。特别要测量其串联频率F s,运动电容C 1和静态电容C 0。
3.将此晶体放在振荡器中,并测量操作FL的频率(如方法1,步骤2所示)。
4.使用公式(3)和FL,F s,C 1和C 0的测量值计算CL。
建议采用至少3个晶体进行这两种方法。正确完成后,该技术通常得出的CL值约为0.1 pF。通过对多个电路板重复该过程以估计CL的电路板间差异,可以找到对最终结果的进一步信心。
注意,在上面,FL不必精确地是期望的振荡频率f。也就是说,CL的计算值不是振荡频率的强函数,因为通常仅晶体是强烈依赖于频率的。如果由于某种原因,振荡器确实具有很强的频率相关性,那么使用该程序将非常困难。
6.我真的需要为CL指定值吗?
至少有三种情况不需要CL的规范:
1.您打算以晶体的串联谐振频率进行操作。
2.您可以容忍频率中的较大误差(大约0.1%或更高)。
3.电路的负载电容足够接近标准值(请参见晶振数据表),以允许频率差。可以使用公式(4)计算该差异。
如果您的应用不满足上述三个条件之一,则应强烈考虑估算振荡器的负载电容,并在指定晶体时使用该值。
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- [行业新闻]载入史记:中国历史以来空前的一场阅兵盛宴2019年09月29日 17:44
北京时间2019年10月1日,是我们伟大的祖国——中国成立70周年纪念日。这个激动人心的时刻就要来到了,令我到现在都无法安心的工作,一心只想着给祖国庆生。中国,是以华夏文明为源泉,中华文化为基础,虽然说在中国会有很多个民族聚集在一起,但都以汉族为主体的多民族国家也称之为“中华民族”,又自称为“炎黄子孙,龙的传人”。
传说中,大约在4500多年前,生活在黄河流域原始部落的部落联盟首领。他提倡种植五谷,驯养牲畜,促使这个部落联盟逐步强大。他曾率领部落打败黄河上游的炎帝部落和南方的蚩尤部落。后来炎帝部落和黄帝部落结成联盟,在黄河流域长期生活、繁衍,构成了以后华夏族的主干成分。黄帝被尊奉为华夏族的祖先。所以中华民族被称为炎黄子孙,就是这么来的。黄帝以后,黄河流域部落联盟的杰出首领,先后有尧、舜、禹。那时候,部落联盟首领由推选产生。尧年老了,召开部落联盟会议,大家推举有才德的舜为继承人。尧死后,舜继承了尧的位置,舜年老了,也采取同样的办法把位置让给治水有功的禹。这种更替首领位置的办法,历史上叫做“禅让”。
身为中国人,我想,大家都有必要知道有关于中国成立的原因吧?以下先来了解一下在新中国成立前是一副什么模样。
从公元前21世纪夏朝建立开始,到公元前476年春秋时期结束,是中国的奴隶社会.禹的儿子启建立的夏,是中国最早的奴隶制国家。公元前16世纪,夏王桀在位时,被商汤率兵灭亡.
公元前16世纪至公元前11世纪的商朝,是奴隶社会的发展时期。商朝的农业、手工业较发达,青铜冶炼和铸造有很高水平。中国有文字可考的历史是从商朝开始的。商纣王统治时,周武王兴兵伐纣,商亡.
公元前11世纪至公元前771年的西周,是奴隶社会的强盛时期。西周统治者实行了分封制和井田制。周厉王统治时,引起“国人暴动”,厉王逃跑,政权由周、召二公执掌。公元前771年,西周被犬戎灭亡。
公元前770年至公元前476年的春秋时期,是奴隶社会逐步瓦解时期。这一时期,周王室衰微,诸侯争霸。由于铁器的使用和牛耕的出现,生产力提高,私田增多,促使以奴隶制国有土地为基础的井田制逐步瓦解,奴隶制走向崩溃。春秋时期,在文化上出现了繁荣局面.
封建社会的确立和初步发展
从公元前475年战国时期开始,到公元220年东汉灭亡,是中国封建社会的确立和初步发展时期。
战国时期,新兴地主阶级推动了各诸侯国的变法运动。其中秦国商鞅变法比较彻底,使秦国逐渐成为诸侯国中实力最强的国家。这一时期,社会经济获得很大发展,科学技术取得显著成就,思想上出现了“百家争鸣”的繁荣局面。
秦朝是中国历史上第一个统一的多民族的专制主义中央集权的封建国家。秦始皇为巩固专制主义中央集权所采取的一系列措施,对后世产生了重大影响。秦统一后,为了防御匈奴南侵,在连接原来秦、赵、燕三国北方长城的基础上,又向东、西两段延伸,筑成一道西起临洮、东到辽东的城防。这就是有名的万里长城。秦统治者的暴政导致了农民战争的爆发和秦王朝的灭亡。
西汉是中国历史上一个强盛的封建国家。汉高祖刘邦采取的“休养生息”政策,使社会经济得到了恢复和发展,汉文帝、汉景帝推崇黄老治术,采取“轻徭薄赋”、“与民休息”的政策出现了“文景之治”的局面,汉初几位统治者的稳定基础,从而使得汉武帝时国力达到了空前强盛。平定“七国之乱”后,加强了中央集权;通过“罢黜百家,独尊儒术”,在全国加强了思想统治;通过对匈奴战争和张骞出使西域,使多民族的国家得到进一步发展;丝绸之路的拓通,使中外经济文化交流有了新的发展。西汉末年,由于社会矛盾尖锐,农民战争爆发,西汉终于走向了灭亡。
东汉初期的光武帝调整了统治政策,使社会出现了“光武中兴”的局面。但东汉后期,豪强地主势力发展,社会黑暗,终于爆发了黄巾大起义。在农民起义的打击下,东汉名存实亡。
秦汉时期,国家统一,生产发展,各民族间政治经济联系加强,科学文化得到迅速发展。
封建国家的分裂和民族大融合
从220年曹丕建魏,到589年隋统一,是中国历史上封建国家的分裂和民族大融合时期。
经过黄巾起义的沉重打击,东汉政权已名存实亡。在镇压起义过程中出现了一些割据一方的军事集团。曹操在官渡打败袁绍,基本上统一北方。赤壁一战,曹操大败,退回北方。孙权、刘备的地位得到巩固。220年,曹丕称帝建魏;221年,刘备称帝建蜀;222年,孙权称王建吴,三国鼎立局面形成。三国时期,各国经济都得到了发展。
三国后期,魏国的力量日益强大。263年,魏灭了蜀。265年,司马炎夺取魏政权建立晋朝,史称西晋。280年,西晋灭吴,结束了三国鼎立的局面。西晋的统一是短期的,由于阶级矛盾和民族矛盾日益尖锐,内迁的少数民族和各地流民不断起义、反抗,终于导致了西晋的灭亡。
灭亡后,皇族司马睿在江南建立政权,史称东晋。北方各族统治者先后建立了许多国家,史称十六国。383年,统一黄河流域的前秦和东晋间的淝水之战,东晋取得了胜利,不久,前秦瓦解,形成了南北对峙的局面。在南方,东晋之后,经历了宋、齐、梁、陈四个朝代,史称南朝;在北方,经历了北魏、东魏和西魏、北齐和北周五个朝代,史称北朝。南北朝时期,江南得到了开发,北方出现了各民族的大融合。北魏孝文帝的改革,促进了民族的融合。
三国、两晋、南北朝时期,由于各民族的大融合和南北经济的发展,科学文化得到了进一步发展,在不少领域取得了世界领先的成就。
封建社会的繁荣
从581年隋朝建立,到907年唐朝灭亡,是中国封建社会的繁荣时期。
在民族大融合和南北经济发展的基础上,隋朝实现了统一。全国统一后,社会秩序安定下来,农业、手工业和商业得到发展,封建经济开始呈现了繁荣局面。官制的改革和科举制的创立,对后世产生了重大影响;大运河的开凿,对南北经济交流起了很大作用。
当隋末农民起义蓬勃发展时,李渊起兵攻占长安,并在618年称帝,建立唐朝。唐初统治者,吸取隋亡教训,调整统治政策,前期政治比较清明,出现了“贞观之治”、“开元盛世”,封建经济得到新的发展。
唐朝是一个强盛的多民族封建国家,各民族间的联系加强,同亚洲各国的经济文化交流也空前频繁。
安史之乱是唐朝由强盛转向衰落的转折点。安史之乱后,唐朝出现了藩镇割据的局面,生产遭到严重破坏。唐朝后期,土地兼并十分严重,导致了农民战争爆发,唐朝迅速瓦解。
隋唐时期,中国南北统一,疆域广阔,经济发达,中外文化交流频繁。在此基础上,各族人民共同创造了辉煌灿烂的文化.
民族融合的进一步加强和封建经济的继续发展
从907年后梁建立,到1368年元朝灭亡,是中国封建社会民族融合的进一步加强和封建经济的继续发展时期。
五代十国时期,南方相对安定,经济获得较大发展。五代十国后期,后周逐渐强大,为后来结束分裂割据局面奠定了基础。
北宋建立后,采取了一系列加强中央集权的措施,结束了五代十国的分裂局面,封建经济得到继续发展。北宋中期,出现了财政困难等危机,为了克服统治危机,王安石实行了变法。北宋末,政治腐朽,防备空虚,金兵南下,结束了北宋的统治。1127年,南宋的统治开始。南宋与金对峙,南北经济都有新的发展。
北宋时,同其并立的主要少数民族政权,有契丹族建立的辽,有取代辽的女真族建立的金,还有党项族建立的夏。各民族政权间不断进行战争,同时也加强了经济文化交流。
蒙古族的首领铁木真统一蒙古各部,建立了蒙古政权。成吉思汗及其子孙发动了大规模的战争。忽必烈建立的元朝,统一了全国。元的统一促进了多民族国家的发展。元朝实行的行省制度,有效地管辖了全国。
宋元时期,各民族经济交往频繁,手工业、商业和城市经济较前繁荣,中国同亚、欧、非各国联系加强,文化科学技术达到了高度繁荣的水平。
统一的多民族国家的巩固和封建制度的逐渐衰落(鸦片战争以前)
从1368年明朝建立,到1840年鸦片战争爆发前止,是中国封建社会统一的多民族国家的巩固和封建制度的逐渐衰落时期。
1368年,朱元璋建立了明朝。明朝前期,明政府采取了一系列措施,强化中央集权。为了加强军事防御力量,明政府营建并迁都北京。为巩固北部边防,明政府修筑了北边的长城。为了进一步加强同海外各国的联系,明政府派遣郑和出使西洋。明朝中后期,随着商品经济的发展,在江南一些地方出现了资本主义生产关系的萌芽。明朝后期,封建专制统治腐朽,社会矛盾日益尖锐,终于爆发了李自成领导的农民起义,明朝的统治被推翻。
1616年,努尔哈赤建立了女真族的政权后金。皇太极改女真为满洲,于1636年称帝,并改金为清。清初统治者为了进一步加强专制主义的中央集权,除设立内阁、六部外,还增设了军机处;为了从思想上控制人民,清政府一再兴起文字狱,压制知识分子的反清思想。
明清前期,统一的多民族国家得到巩固。郑成功收复台湾,清朝设置台湾府,击败沙俄对中国黑龙江流域的侵略,这些斗争维护了国家主权和领土完整。清政府粉碎噶尔丹的分裂活动,平定大小和卓的叛乱,加强对西藏的管辖,使多民族国家得到进一步巩固。
明清时期,出现了几部总结性的科技著作,出现了反专制主义的带有民主色彩的进步思想家。文学方面也出现了几部优秀的长篇小说。
有关于中国的近代史
中国近代史的时间为,从1840年鸦片战争到1949年中华人民共和国成立前,这也是中国半殖民地半封建社会的历史。中国近代史分为前后两个阶段,从1840年鸦片战争到1919年“五四”运动前夕,是旧民主主义革命阶段;从1919年“五四”运动到1949年中华人民共和国成立前夕,是新民主主义革命阶段。
鸦片战争前,中国是一个独立自主的封建国家。由于中国的自然经济占统治地位,在中英正当贸易中,中国处于出超地位。英国为了改变贸易入超的状况,向中国偷运鸦片。鸦片的输入给中华民族带来了深重的灾难。人民群众强烈要求禁烟。林则徐领导的禁烟运动,给英国侵略者以沉重的打击。1840年,英国发动了侵略中国的鸦片战争。战争中,广大爱国官兵和三元里人民进行了英勇战斗。但由于清政府奉行妥协方针,终于导致战争的失败。1842年,英国强迫清政府签订《中英南京条约》,中国的独立和领土完整开始遭到破坏,从封建社会开始沦为半殖民地半封建社会。战争中,一些爱国的知识分子惊醒了,一股“向西方学习”的新思潮萌发了。
1856—1860年的第二次鸦片战争,是英、法为了扩大侵略权益而发动的侵华战争。美、俄坐收渔人之利。四国强迫清政府签订的《天津条约》、《北京条约》等,使中国丧失了更多的领土和主权,外国侵略势力扩大到沿海各省和长江中下游地区。中国社会的半殖民地化程度,进一步加深了。
鸦片战争后,清朝国内阶级矛盾空前激化,农民起义风起云涌。1851年,洪秀全发动了金田起义,并建立了太平天国政权;1853年,太平天国定都天京,颁布了《天朝田亩制度》;1856年,太平天国军事上达到了全盛时期;领导集团内部矛盾激化引发的天京事变大伤了太平天国的元气;1864年,太平天国运动失败。洪秀全领导的太平天国运动,体现了新时代农民战争的特点。太平天国的一些领导人,开始向西方寻求真理,探索中国独立、富强的途径,勇敢地担负起反封建、反侵略的任务。太平天国运动是中国农民战争的高峰。
清朝后期资本主义的产生和民族危机的加深
19世纪60年代,清朝统治阶级内部出现了洋务派。从60年代到90年代。他们掀起了一场“师夷长技以自强”的洋务运动。洋务运动没使中国走上富强的道路,但在客观上刺激了中国资本主义的发展。
19世纪60、70年代,中国社会出现了资本主义的生产方式,中国民族资产阶级产生了。中国民族资产阶级对外国资本主义侵略和本国封建主义压迫,既有革命性一面,又有妥协性的一面。中国无产阶级产生于40年代,早于民族资产阶级,是中国新生产力的代表者,具有最坚决、最彻底的革命性。
19世纪后半期,随着世界资本主义向帝国主义过渡,帝国主义更加紧了对中国的侵略。1883年和1894年,先后爆发了中法战争和甲午中日战争。《中法新约》的签订,使法国进一步打开了中国西南的门户;中日《马关条约》的签订,大大加深了中国社会的半殖民地化。
《马关条约》签订后,各帝国主义列强在中国展开了资本输出的激烈竞争,还在中国强占“租借地”,划分“势力范围”,掀起瓜分中国狂潮,中国民族危机空前加深。
戊戌变法和义和团运动
甲午中日战争后,由于民族危机空前严重和中国民族资本主义的初步发展,民族资产阶级开始作为新的政治力量登上历史舞台。以康有为、梁启超为首的资产阶级维新派,为了挽救民族危亡和发展资本主义,掀起维新变法运动。以慈禧太后为代表的封建顽固守旧势力发动政变,使维新变法归于失败。这场资产阶级性质的改良运动,在社会上起到了思想启蒙的作用,有利于资产阶级思想文化的传播。
义和团运动是一场反帝爱国运动。这一运动粉碎了帝国主义列强瓜分中国的狂妄计划,沉重打击了清政府的反动统治,加速了它的灭亡。1900年夏,英、俄、日、法、德、美、意、奥八国联军侵略中国。1901年,清政府被迫同八国及比利时、荷兰、西班牙等11国签订了《辛丑条约》。标志着中国半殖民地半封建社会的形成。
辛亥革命和清朝的灭亡
1894年,孙中山创立了中国资产阶级第一个革命团体兴中会。19世纪末,辛亥革命元老中国现代教育奠基人何子渊等人开风气之先,创导新学。1905年,清廷颁布废除科举制。20世纪初,资产阶级民主革命思想得到广泛传播,出现了章炳麟、邹容、陈天华等著名民主革命思想家和宣传家。随着民主革命思想的广泛传播,资产阶级革命团体也相继建立起来。1905年中国同盟会的成立,标志着中国的资产阶级民主革命进入了一个新的阶段。革命派通过与保皇派的论战,使民主革命思想得到进一步传播,有力地推动了民主革命高潮的到来。
同盟会成立后,革命党人发动了萍浏醴、广州黄花岗等一系列起义,四川发生了保路运动。1911年10月武昌起义成功。1912年元旦,孙中山在南京就任临时大总统,宣告中华民国成立,接着颁布了《中华民国临时约法》。辛亥革命既有伟大的历史功绩,也留下了深刻的教训。
辛亥革命是中国近代历史上的一次反帝反封建的资产阶级民主革命。它推翻了清廷的统治和两千多年的君主制度,建立了资产阶级民主共和国,颁布了反映资产阶级民主主义精神的临时约法。辛亥革命,使人民获得了一些自由和民主的权利。在政治上和思想上获得一定的解放。它使民主共和国的观念深入人心。辛亥革命也打击了帝国主义在中国的殖民统治,为中国民族资本主义的发展创造了有利条件。
中华民国初期北洋军阀的统治
1912年3月,袁世凯就任中华民国临时大总统,临时政府迁往北京。临时政府正式迁京后,以袁世凯为首的北洋军阀政权建立起来。袁世凯对内镇压国民党,对外出卖国家主权,孙中山号召武力讨袁,“二次革命”发生了。由于国民党力量涣散,北洋军力量强大,“二次革命”很快失败。袁世凯镇压“二次革命”后,开始了复辟帝制的活动。孙中山再次组织武力讨袁,护国运动爆发,袁世凯被迫取消帝制,在绝望中死去。
袁世凯死后,中国出现了军阀割据的局面。徐州军阀张勋以调停“府院之争”为名,进北京拥戴溥仪复辟,但复辟丑剧只持续了短短的12天。段祺瑞再次执政后,拒绝恢复《临时约法》和召集国会。为维护共和制度,孙中山倡导了护法运动,但不久也失败了。
第一次世界大战期间,帝国主义忙于战争,暂时放松了对中国的经济侵略,中国的民族工业得到了短暂的发展。
五四运动和中国共产党的创立
第一次世界大战期间,随着中国资本主义经济的进一步发展,资产阶级强烈要求在中国实行资产阶级的民主政治,反对封建军阀的统治,新文化运动应运而生了。1915年,陈独秀在上海创办《新青年》,成为新文化运动兴起的标志。“民主”和“科学”是新文化运动提出的口号。新文化运动在社会上掀起了一股思想解放的潮流。俄国十月社会主义革命胜利后,李大钊宣传十月革命,在中国第一次举起了社会主义的大旗,从而使新文化运动有了新的发展。
巴黎和会拒绝了中国代表的正义要求,激起中国人民强烈义愤。1919年的五四运动在北京爆发。6月初,运动发展成以工人阶级为主力的全国规模的群众爱国运动,并取得了初步胜利。五四运动具有重大的历史意义,是中国新民主主义革命的开端。
五四运动后,马克思主义在中国传播开来,成为新思潮的主流。一批先进分子把马克思主义同中国工人运动初步结合起来。1920年,共产主义小组在各地相继建立,1921年,中共“一大”召开,中国共产党诞生了。1922年,中共“二大”制定了民主革命纲领,为中国革命指明了方向。
在中国共产党的领导下,从1922年1月香港海员罢工到1923年2月京汉铁路工人罢工,中国工人运动出现了第一次高潮。
国民大革命时期
1924年1月至1927年7月是第一次国内革命战争时期。第一次国内革命战争是中国人民在中国共产党领导下进行的反对帝国主义、北洋军阀的战争。
经过二七惨案,中国共产党认识到,仅仅依靠工人阶级的力量是不够的,只有团结一切可以团结的力量,才可能把中国革命引向胜利。为此,中国共产党决定同孙中山领导的国民党合作,建立革命统一战线。1924年1月,中国国民党在广州举行第一次全国代表大会。国民党“一大”的召开标志着国共两党合作的实现和革命统一战线的正式建立。接着,在中国共产党和苏联的帮助下,国民党在广州黄埔建立了陆军军官学校,为建立国民革命军奠定了基础。
国民党一大后,全国反帝反封建的国民大革命运动迅速开展起来。各地工人纷纷罢工,掀起反帝爱国运动的高潮,其中影响最大的是五卅运动和省港大罢工;广东、湖南等省的农民运动逐渐发展起来,广东革命政府还创办了培养农民运动骨干的讲习所;两次东征陈炯明后,广东革命根据地得到了巩固和统一;第一次东征后,国民政府在广州成立,并将所属军队编为国民革命军。
为了打倒帝国主义,推翻军阀统治,统一中国,国民政府开始了北伐。北伐军胜利进军,不到半年打到长江流域。北伐战争得到了工农运动的大力支援;北伐战争的胜利又推动了工农运动的高涨,上海工人武装起义取得了胜利。
1925年3月孙中山逝世后,国民党右派加紧争夺革命领导权。1927年,蒋介石发动了“四·一二”反革命政变;汪精卫发动了“七·一五”反革命政变。这期间,以陈独秀为代表的中共中央犯了右倾投降主义错误。于是国民革命失败了。
国共十年对峙
1927年8月至1937年7月是第二次国内革命战争时期。第二次国内革命战争是中国人民在中国共产党领导下反对国民党反动统治的战争。
“四·一二”反革命政变后,蒋介石在南京建立了国民政府。不久,国民政府举行“北伐”,占领北京,奉系军阀张作霖退到关外。张学良“东北易帜”,服从国民政府。这样,国民政府形式上统一了全国。但国民党新军阀间连年混战给人民带来极大灾难。在国民政府统治下,四大家族凭借国家政权,迅速聚敛巨额财富,成为中国官僚买办资产阶级的代表。
中国共产党人没有被国民党反动派的屠杀吓倒,1927年召开“八七”会议,纠正了陈独秀的右倾投降主义错误,发动了南昌起义、秋收起义和广州起义,创建红军,开辟农村根据地,进行土地革命,开辟了一条农村包围城市,武装夺取政权的道路。接着,又取得红军三次反“围剿”的胜利。与此同时,建立了中华苏维埃政权。
1931年,日本发动了侵略中国东北的“九·一八”事变。由于国民党的不抵抗政策,致使东北三省沦亡。日本扶植溥仪做傀儡皇帝,建立伪满洲国,对东北实行殖民统治。1932年,日本又发动了侵略上海的“一·二八”事变,取得了日军驻留上海的权利。
1933年秋,蒋介石发动了对革命根据地的第五次“围剿”。由于王明“左”倾冒险主义错误的影响,红军第五次反“围剿”失利,被迫长征。中国共产党在长征路上举行的遵义会议,在极其危急关头挽救了党、红军和中国革命。红军在毛泽东的指挥下,克服千难万险,取得了长征的胜利。
1935年《何梅协定》的签订和“华北五省自治”,使中华民族处在亡国灭种的生死关头。“一二·九”运动掀起了全国抗日救亡运动的新高潮。1935年12月在瓦窑堡召开的中共中央政治局扩大会议制定了抗日民族统一战线的策略方针。1936年西安事变获得了和平解决,由此揭开了国共两党由内战到和平,由分裂对峙到合作抗日的序幕。
抗日战争
1937年7月7日,日军进攻卢沟桥,中国军队奋起还击,全国抗日战争的序幕由此揭开。8月13日,日军进攻上海,国民政府被迫对日作战。9月下旬,国民党公布中国共产党提交的国共合作宣言,抗日民族统一战线正式形成,全民族的抗战开始。
抗战初期,国民政府在正面战场组织多次战役,抗击日本侵略者,但实行的是一条片面抗战的路线,丧失了大片国土。中国共产党实行的是全面抗战的路线,执行持久抗战的方针,八路军、新四军深入敌后,广泛开展游击战争,建立了许多抗日根据地,取得了很大胜利。
1938年10月,日军占领广州、武汉后,抗日战争进入相持阶段。日本帝国主义对国民党实行政治诱降,国民党内的亲日派叛国投敌;国民党内的亲英美派抗战逐渐消极,制造反共摩擦事件,对此,中国共产党给予了坚决地回击和无情地揭露。在抗日战争的艰苦岁月里,为了克服困难,争取抗战的胜利,中国共产党在政治上、经济上、思想上采取了一系列措施,终于度过了最困难时期。
1944年,解放区军民开始局部反攻。1945年4月,中国共产党召开了“七大”,8月8日,苏联对日宣战。8月9日,毛泽东发出“对日寇的最后一战”的号召,抗日战争进入大反攻。8月15日,日本政府宣布无条件投降,9月2日签订无条件投降书。经过八年艰苦奋战,中国人民取得抗日战争的伟大胜利。
人民解放战争
抗日战争胜利后,1945年8月,毛泽东亲赴重庆同国民党进行谈判,国共双方代表签订了《双十协定》。但是,国民党在谈判期间派军队向解放区发起进攻。解放区军民打退了国民党的军事进攻。国共双方代表签订了停战协定,并在重庆召开了政治协商会议。
1946年夏,国民党军队在美帝国主义援助下向解放区发动进攻,全面内战爆发。
从1946年夏到1947年6月,人民解放军粉碎了国民党军队的全面进攻和重点进攻。1947年6月底,人民解放军开始了全国性的反攻。从1948年9月到1949年1月,人民解放军先后发动了辽沈、淮海、平津三大战役,基本上消灭了国民党军队的主力,加速了人民解放战争在全国的胜利。1949年4月,人民解放军渡江作战,23日解放南京。
1949年9月,第一届中国人民政治协商会议召开。
看完本篇文章需要一定的耐心,因为这篇文章承接着中国的成立的端倪,落败以及奋然兴起对抗以及正式成立。在1949年的10月1日下午2点。中国人民政治协商会议第一届全体会议选举产生的中央人民政府委员会在勤政殿举行第一次会议。中央人民政府主席毛泽东,副主席朱德、刘少奇、宋庆龄、李济深、张澜、高岗,以及周恩来等56名中央人民政府委员会委员宣布就职。会议一致决议,宣布中华人民共和国中央人民政府成立,接受《中国人民政治协商会议共同纲领》为施政方针,向各国政府宣布中华人民共和国中央人民政府为中国唯一合法政府,愿与遵守平等、互利及互相尊重领土主权原则的任何外国政府建立外交关系。会议结束后,中央人民政府主席、副主席及各位委员集体出发,乘车出中南海东门,前往天安门城楼出席开国大典。下午3时,北京30万群众齐集天安门广场,举行隆重的开国大典。毛泽东主席在天安门城楼上向全世界庄严宣告:“中华人民共和国中央人民政府今天成立了!”向世界宣告中华人民共和国中央人民政府成立。
虽然中国成立的时候我并不在场,但这句“中华人民共和国中央政府今天成立了”时时刻刻的提醒着每一个中国人应要铭记历史,铭记西方列强对我们的做的种种恶行,不要忘记国家曾经所受到的屈辱,发奋图强,使祖国更加繁荣强大。勿忘国耻,振兴中华。“振兴中华”,就必须反对帝国主义对中国的侵略和掠夺,“扶大厦之将倾”,维护国家的独立和主权;“振兴中华”,就必须进行反清革命,推翻清王朝的统治,使中国人民从封建专制主义的压迫下解放出来;“振兴中华”,就必须向西方学习,发展资本主义经济,进行政治革命,“创立合众政府”。
2019年10月1日,新中国成立70周年大阅兵堪称空前盛宴,史上从来没有像今年一样那么大规模,那么大气场.
70年来,中国从一个饱受战争和饥荒蹂躏的国度,变成一个强大的现代化民族国家。不断增强的经济和军事实力,使得它受到国际社会的广泛关注。因此,本次中国国庆“大阅兵”,无疑是各方关注的焦点。
中国成立70周年大阅兵演练
中国成立70周年大阅兵演练
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