图片	部件号	符合RoHS	封装尺寸	输出方式	供电电压	频率
	TSM16	合规	1.6 X 1.2陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，3.3V	1.000MHz~80.000MHz
	TSL21	合规	2.0 X 1.6陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，3.3V，5.0V	32.768kHz的
	TSM21	合规	2.0 X 1.6陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，3.3V	1.000MHz~80.000MHz
	TLP22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V  （最大10uA）	32.768kHz的
	TP22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V	1.000MHz~200.000MHz
	TP22A	合规	2.5 X 2.0陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS  LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	10.000MHz~1500.000MHz
	TSL22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，2.8V  3.0V，3.3V	32.768kHz  （156kHz~1MHz可用）
	TSM22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.0V~5.0V	0.750MHz~125.000MHz
	TEL31	合规	3.2 X1.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V  （最大1.5uA）	32.768kHz的
	TEL32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~5.0V  （最大1.5uA）	32.768kHz的
	TG 32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS  LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	10.000MHz~1500.000MHz
	THS32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS	2.5V~3.3V	2.500MHz~55.000MHz
	TLP32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V  （最大10uA）	32.768kHz的
	TLSM3	合规	3.2 X 2.5陶瓷 6 PAD SMD	LVDS	2.5V~3.3V	13.500MHz~156.250MHz
	TP32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V	1.000MHz~200.000MHz
	TSM32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.0V~5.0V	1.000MHz~156.250MHz
	TSL32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~5.0V	32.768kHz  （25kHz~1MHz可用）
	TCP53	合规	5.0 X 3.2陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS  扩频 低EMI	2.5V，3.3V	1.000MHz~200.000MHz
	TSM53	合规	5.0 X 3.2陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS  TTL  CMOS / TTL	1.0V~5.0V	1.000MHz~200.000MHz
	TGM5	合规	5.0 X 3.2陶瓷 6 PAD SMD	LVDS  LVPECL	2.5V~3.3V	25.000MHz~200.000MHz
	TLSM5	合规	5.0 X 3.2陶瓷 6 PAD SMD	LVDS	2.5V~3.3V	12.000MHz~800.000MHz
	TP53A	合规	5.0 X 3.2陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS  LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	10.000MHz~1500MHz
	TPSM5	合规	5.0 X 3.2陶瓷 6 PAD SMD	LVPECL	2.5V~3.3V	0.750MHz~800.000MHz
	TSL53	合规	5.0 X 3.2陶瓷 4 PAD SMD	CMOS	1.0V~5.0V	32.768kHz  （25kHz~1MHz可用）
	TCP75	合规	7.0 X 5.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS  扩频 低EMI	2.5V，3.3V	1.000MHz~200.000MHz
	TP75A	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS  LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	10.000MHz~1500MHz
	TSL75	合规	7.0 X 5.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~5.0V	32.768kHz  （25kHz~1MHz可用）
	TSM75	合规	7.0 X 5.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，2.8V  3.0V，3.3V，5.0V	1.000MHz~200.000MHz
	TLSM	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	LVDS	2.5V~3.3V	12.000MHz~800.000MHz
	TPSM	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	LVPECL	2.5V~3.3V	12.000MHz~800.000MHz
	THCSL	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	HCSL	2.5V，3.3V	13.500MHz~200.000MHz
	TGM	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	25.000MHz~200.000MHz
	TSP	合规	14.0 X 9.8塑料 4 PIN SMD	HCMOS  TTL  CMOS / TTL	3.3V，5.0V	1.000MHz~125.000MHz
	TLS	合规	14.5 X 9.2 PCB基座 6P SMD	LVDS	2.5V~5.0V	0.750MHz~800.000MHz
	TPS	合规	14.5 X 9.2 PCB基座 6P SMD	LVPECL	2.5V，3.3V	12.000MHz~800.000MHz
	TPS-1236	合规	14.3 X 8.7 PCB基座 4P SMD	HCMOS	3.3V	24.576MHz~49.152MHz
	SXO	合规	8脚DIP / 14脚DIP  通孔	CMOS  TTL  HCMOS / TTL	1.8V~5.0V	200Hz~300.000MHz
	SXS	合规	8脚DIP / 14脚DIP  通孔	CSW	3.3V，5.0V	6.000MHz~190.000MHz
	SXL	合规	8脚DIP / 14脚DIP  通孔	LVDS	3.3V，5.0V	0.750MHz~800.000MHz
	SXP	合规	8脚DIP / 14脚DIP  通孔	PECL	3.3V，5.0V	0.750MHz~800.000MHz
	ECP	合规	14针DIP全尺寸  通孔	PECL	3.3V，5.0V	0.750MHz~800.000MHz
	EXO	合规	14针DIP全尺寸  通孔	ECL	-5.2V	10.000MHz~250.000MHz

The TranskoCrystal Oscillator crystal oscillator has been developing and producing crystals and oscillators since the company was founded in 1992, fourth years ago. In the following year, VCXO CRYSTAL voltage controlled crystal oscillator and TCXO CRYSTAL temperature compensated crystal oscillator were quickly launched. As the Transko Crystal Oscillator crystal oscillator has been recognized by the market, the volume of orders has been greatly improved, and great breakthroughs have been made. The Transko Crystal company had to move to a larger factory in aheim, California.

具有传统结构的小型化晶体芯片（左图）减小了电极的面积（以红色表示）。
用H形槽结构制造芯片提供了更大的电极面积并提高了电解效率。这种设计使小型化晶体的CI值与普通晶体的CI值一样低（右图）。

Miniaturizing crystal chips with a conventional structure (left image) reduces the area of the electrodes (indicated in red). 
Fabricating the chips with an H-groove structure provides a larger electrode area and raises electrolytic efficiency. This design enables miniaturized crystal with CI values as low as those on ordinary-sized crystals (right image).

然而，使用QMEMS技术制造的晶体的CI值保持不变，与常规晶体的水平相当，即使晶体尺寸减小。

The CI value of a crystal fabricated using QMEMS technology, however, remains constant, at a level equivalent to that of conventional crystals, even as crystal size decreases.

HFF晶体单元/ HFF晶体振荡器（高频基波）

TranskoCrystal晶振公司是一家位于加利福尼亚洲内阿纳海姆的频率元器件制造公司.主要以振荡器模块为主要生产目标.从最初的石英晶体谐振器制作到引进高端TCXO晶振及VCXO晶振的生产设备.1993年在美国的加利福尼亚州拉古纳山开设制造工厂.以下是Transko晶振石英晶体系列型号说明.

图片	型号	符合RoHS	规格封装	频率偏差	频率
	CS12	合规	1.2 X 1.0陶瓷 4 PAD SMD	±7ppm /±10ppm	36.000MHz~80.000MHz
	CS1610	合规	1.6 X 1.0陶瓷 2 PAD SMD	±20ppm	32.768kHz
	CS16	合规	1.6 X 1.25陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	24.000MHz~60.000MHz
	CS2012	合规	2.0 X 1.2陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±20ppm /±50ppm	32.768kHz
	CS21	合规	2.0 X 1.6陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	16.000MHz~60.000MHz
	CS22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	12.000MHz~80.000MHz
	CS31	合规	3.2 X 1.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm	32.768kHz
	CS32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	10.000MHz~156.250MHz
	CS32H	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±20ppm	20.000MHz~300.000MHz
	CS41	合规	4.1 X 1.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm	32.768kHz
	CS42	合规	4.0 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	12.000MHz~50.000MHz
	CS52	合规	4.9 X 1.8陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm	32.768kHz
	CS53A	合规	5.0 X 3.2陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	7.3728MHz~270.000MHz
	CS53B	合规	5.0 X 3.2陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	7.3728MHz~156.250MHz
	CS63A	合规	6.0 X 3.5陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±5ppm	7.000MHz~200.000MHz
	CS63B	合规	6.0 X 3.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	7.000MHz~200.000MHz
	CS63C	合规	6.0 X 3.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	7.000MHz~200.000MHz
	CS71	合规	7.0 X 1.5塑料 4 PAD SMD	±20ppm	32.768kHz
	CS75	合规	7.0 X 5.0陶瓷 4 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	6.000MHz~160.000MHz
	CS83	合规	8.0 X 3.7塑料 4 PAD SMD	±20ppm	32.768kHz
	CS84	合规	8.0 X 4.5陶瓷 2 PAD SMD	±10ppm /±10ppm	8.000MHz~80.000MHz
	TS-SMD	合规	12.5 X 4.6塑料 4 PAD SMD	±15ppm /±20ppm	3.579MHz~70.000MHz
	SMTF	合规	5.2 X 1.4 SMD贴片晶振	±20ppm	30.000kHz~200.000kHz
	HC49 / SMD	合规	薄型 模压SMD基座  2 PAD SMD	±10ppm /±20ppm	3.000MHz~150.000MHz
	UM / SMD	合规	薄型 模压SMD基座 2 PAD SMD	±10ppm /±20ppm	4.000MHz~40.000MHz
	HC49 / SMD4	合规	薄型 模压SMD基座 4 PAD SMD	±5ppm /±10ppm	3.500MHz~100.000MHz
	HC49 / S	合规	薄型 2针通孔	±10ppm /±10ppm	3.000MHz~150.000MHz
	HC49 / U	合规	2针通孔	±5ppm /±5ppm	1.800MHz~176.000MHz
	UM-1	合规	2针通孔 微型	±5ppm /±5ppm	4.000MHz~200.000MHz
	1 X 5	合规	1.5 X 5.1 圆柱音叉	±20ppm	32.768kHz
	2 X 6	合规	2.0 X 6.3 圆柱音叉	±20ppm	32.768kHz（STD） （30kHz~360kHz可用）
	2 X 6SMD	合规	2.0 X 6.3圆柱形 SMD	±20ppm	30kHz~360kHz
	3 X 8	合规	3.1 X 8.3 圆柱音叉	±20ppm	32.768kHz（STD） （30kHz~360kHz可用）
	3 X 9	合规	3.1 X 9.3 圆柱音叉	±15ppm /±20ppm	4.000MHz~50.000MHz

TranskoCrystal is a frequency component manufacturing company located in Anaheim, California. It mainly uses oscillator modules as the main production target. From the initial production of quartz crystal resonators to the introduction of high-end TCXO crystal and VCXOCRYSTAL oscillator production equipment. In 1993, we opened a manufacturing plant in Laguna Hills, California, USA. The following is a description of the Transko crystal quartz crystal series.

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迄今为止，声电子学是功能电子学领域的一个积极发展领域。在声电子器件中，声表面滤波器（SAW）上的器件被广泛使用。优点，如高可靠性，低重量和紧凑的尺寸，精神不振，以执行各种信号处理操作确保这些设备的广泛应用和大量需求的能力，规定的规格以高精确度的实施，首先，在今天的市场商业通信。

SAW滤波器器件中的信息载体是弹性振荡的能量集中在固体的薄的近表面层中的波。压电单晶被用作传播介质。为了将电信号转换为声学和后向，并且还反射和改变声波的传播路径，使用施加到压电基板的表面的金属结构。声波的激发和接收是在表面活性剂的输入和输出转换器的帮助下进行的，其中电极的数量可以不同（从一个到几千）。

带有一个交指换能器（WSP）的SAW器件的外观如图1所示。1.表面活性剂的反射结构（OC）更经常是金属短路或开路电极的晶格或在衬底中蚀刻的沟槽系统。声波从输入到输出转换器的可用性，从表面不规则性反射并与电场和声场相互作用的能力提供了构建各种信号处理设备的可能性。

图。1.表面活性剂装置

SAW滤波器器件的特性取决于衬底材料的特性及其拓扑结构，即 SAW传感器和反射器的类型，数量，相对位置和几何尺寸。

器件的拓扑结构不仅取决于所执行的信号处理操作，还取决于所需的技术特性。现代SAW器件的拓扑结构的不同变体的数量估计有数百个。

用于表面活性剂的装置已经在各种无线电电子系统中得到应用，特别是在通信和广播系统中的雷达中。大多数情况下，这种设备执行线性信号处理的程序，即 通过预定的线性关系创建与输入信号有关的输出响应。在系统理论中，这样的设备被称为线性滤波器。例如延迟线，带通滤波器，用于复杂信号的相关处理的滤波器。表面声波滤波器（SAW）（图2）是一种固态功能器件，并且是由压电材料1制成的基板，其表面上应用了光催化系统的导电元件系统。

其中一个这样的系统 - 辐射转换器SAW 2 - 连接到输入信号的源，另一个 - 表面活性剂3的接收转换器 - 连接到负载。下高频电压源的发射换能器的交变电场，该电场是相邻电极之间的间隙中的作用由于基板材料的压电效应导致在其表面层的机械振荡。这些振荡沿表面声波形式的垂直于电极的方向在基底的薄的近表面层中传播。

图。2.表面声波滤波器的示意图

由于逆压电效应，在接收换能器的相邻电极之间，表面活性剂的机械振动导致出现作为输出信号的电压。

为了消除从基板的端部不期望SAW反射，以及到其它类型的声波能由发射换能器的表面活性剂被激发的衰减，所有外侧面和其端部由一种特殊的声音吸收涂层4覆盖。

为了降低滤波器的插入损耗通常是使用特殊的匹配电路，其被包括在源极和发射换能器和接收换能器之间与所述负载之间（未示出图2的匹配电路）。

如有必要，带有换能器和匹配电路的基板被放置在通常用作统一芯片外壳之一的公共外壳中。表面活性剂过滤器的特性主要取决于将电信号转换成声波的频率选择过程，反之亦然，即 这取决于SAW换能器，即，数量，几何尺寸和在所述转换器的电极的相互布置的拓扑结构，在相邻的电极（间隙长度）的电极连接到一个共同的求和轮胎的序列的重叠区域的长度。应用这种或那种转换器的拓扑结构，可以实现具有最多样化特征的滤波器。

与其他类型的滤波器相比，例如电LC或RC型，SAW滤波器具有以下优点：

·         在提供特定参数的高准确度的情况下实现AFC和PFC形式的各种足够复杂的可能性;

·         制造的可制造性，使用微电子标准工艺过程的可能性;

·         由于SAW滤波器是单片固态器件，因此在操作期间参数的高稳定性和操作的可靠性;

·         与微电子设备块具有良好的兼容性;

·         体积小，重量轻。

SAW滤波器的缺点包括：

·         成本增加，因为它们通常建在单晶压电基片上;

·         插入损耗水平增加，因为它们的转换器通常具有双向辐射和接收表面活性剂，因此不到信号源提供的功率的四分之一到达负载。

图。3. SAW滤波器的可能参数范围

SAW滤波器的一组成功优势很大程度上补偿了它们的缺点，所以目前SAW滤波器在很多频率上实际上没有竞争者。在图1中，图3显示了表面活性剂过滤器的可能参数的范围。

插件石英晶振中不容忽视的漏点是，对于晶振有过相应的了解的人，理应清楚圆柱形石英晶振里边的晶片很小，焊接和封口处理不好容易漏液，或者轻轻摔一下就会使圆柱晶振里边的晶片摔碎或者焊接部位出现松动甚至脱落，这样装上产品以后就直接会出现画面不稳定，甚至会导致晶振不起振的现象。

Cstray电路中的寄生电容,通常2-5pF,Ci和公司外部电容器在振荡器电路.CL电路中必须尽可能接近16 pf达到指定的输出频率.如果指定的振荡频率高于,电容器的值应该增加到更低的频率.另一方面,如果频率低于指定,电容值需要提高输出频率降低.当CL = 16 pf,C1和公司将大约22-30pF,加上额外的寄生电容.C1和的值用于电路有限公司将会有很大的影响CL输出频率的影响.

很多客户都会经常在问温补晶振也是属于有源晶振的一种,那为什么会和石英晶体振荡器会有着天大的区别呢,一个在天上,一个在地下.温补晶振与普通的石英晶体振荡器的不同就是温补晶振的精度会比石英晶体振荡器的性能要更高,稳定性会更强.对于晶振频率来说,温补晶振可以起到一个温度补偿的作用.温补晶振也称TCXO晶振,传统的TCXO晶振提通过采用模拟器件进行温度补偿,通过改变振荡回路中的 负载电容等模拟器件让其随着温度变化来补偿晶体谐振器由于环境温度变化所生产的频率漂移.

马上就是五一劳动节了，首先感谢新老顾客对泰河电子有支持于信任，我们公司国庆放3天，从29号到1号，2号是正常上班，那在此要提醒广大的新老客户提前备好节后要用的晶振了。

简单的介绍一下雾化片，雾化片又称陶瓷雾化片，是将液体变成雾体的一个高频震荡的零件，有加湿，美容，医疗，加香等用途，雾化片属于一般喷射或雾化装置领域，是雾化器必需用到的元件，雾化片是由压电陶瓷片和金属膜组成，金属膜片焊接在压电陶瓷片的边缘上，在金属膜上的中心有微孔区，在金属膜上的四周留有一定边缘区，在压电陶瓷片的一面印银区向压电陶瓷片的厚度方向延伸，在压电陶瓷片的另一面印银区留有边，有利于金属膜同陶瓷片焊接更加牢固，可以有效避免雾化液沉积后接触到印银电极而导致短路，本实用新型雾化效果好，可以有效的提高使用寿命。

石英晶振的缺陷 水晶常见的缺陷有：双晶、包裹体、裂隙、炸裂、贝裂等。实际上理想的外型是很难见到的，尤其是人工培育的水晶，由于籽晶的切割方位及外型不同使我们看到的形状与上图大不相同， 甚至面目全非，各种结晶面不易辨认。同时制作成，晶振，石英晶振等产品。