爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002CE晶振,3225可编程有源振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 3.2x2.5x1.05 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SCN晶振,SG-310SCN 25.0000MJ3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 3.000 MHz - 80.000 MHz

电源电压: 3.3 V Typ.    （2.7 V - 3.6 V）

电流消耗: 1.5 mA Typ.    (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)

外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C  - +85 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SCF晶振,SG-310SCF 25.0000MB3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.000 MHz - 48.000 MHz

电源电压: 3.3 V Typ.    （2.7 V - 3.6 V）

电流消耗: 1.5 mA Typ.    (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)

外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C  - +85 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SCE晶振,SG-211SCE 26.0000MT3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz

电源电压: 2.5 V Typ.    （2.7 V - 3.63 V）

电流消耗: 1.2 mA Typ.    (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +90 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCB晶振,SG-210SCB 25.0000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -32 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 50 MHz - 80 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  7.0 mA Max.    (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CBN晶振,SG7050CBN 156.250000M-TJGA3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.

外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CBN晶振,SPXO有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.

外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振,普通有源晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 1.2 MHz - 75 MHz

电源电压: 1.8 V - 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.0 × 1.6 × 0.7 mm

功能：??待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +125 °C

贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

本产品具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面型音叉式石英晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..