爱普生晶振,贴片晶振,SG-9101CB晶振,5032可编程振荡器

晶体振荡器（可编程）     扩展频谱    输出:CMOS    

频率范围: 0.67 MHz - 170 MHz ( 1ppm 一步 )

电源电压: 1.62 V - 3.63V

外部尺寸规格: 5.0*3.2*1.1mm

功能：使能（OE）或待机（ST）

工作温度范围:  -40 °C - +85 °C/-40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-9101CE晶振,3225可编程OSC晶体

晶体振荡器（可编程）     扩展频谱    输出:CMOS    

频率范围: 0.67 MHz - 170 MHz ( 1ppm 一步 )

电源电压: 1.62 V - 3.63V

外部尺寸规格: 3.2*2.5*1.05mm

功能：使能（OE）或待机（ST）

工作温度范围:  -40 °C - +85 °C/-40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-9101CG晶振,可编程扩展频谱晶振

晶体振荡器（可编程）     扩展频谱    输出:CMOS    

频率范围: 0.67 MHz - 170 MHz ( 1ppm 一步 )

电源电压: 1.62 V - 3.63V

外部尺寸规格: 2.5*2.0*0.7 mm

功能：使能（OE）或待机（ST）

工作温度范围:  -40 °C - +85 °C/-40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-9001JC晶振,大体积陶瓷面CMOS振荡器

晶体振荡器     输出:CMOS    

频率范围: 10.000 MHz - 166.000 MHz

电源电压: 3.3 V -+0.3 V

外部尺寸规格: 10.5 × 5.8 × 2.7 mm

功能：使能（OE）

工作温度范围:  -20oC - +70 oC

爱普生晶振,贴片晶振,SG-9001CA晶振,无铅环保CMOS振荡器

晶体振荡器     输出:CMOS    

频率范围: 10.000 MHz - 166.000 MHz

电源电压: 3.3 V -+0.3 V

外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.4 mm

功能：使能（OE）

工作温度范围:  -20oC - +70 oC

爱普生晶振,贴片晶振,SG-9001LB晶振,扩展频谱有源晶振

晶体振荡器     输出:CMOS    

频率范围: 10.000 MHz - 135.000 MHz

电源电压: 3.3 V -+0.3 V

外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.2 mm

功能：使能（OE）

工作温度范围:  -20ºC - +70 ºC

爱普生晶振,石英晶振,SG-8002DB晶振,陶瓷面插件可编程晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 19.8*7.62*5.3 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002JA晶振,超大体积贴片型有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 14.0x9.8x4.7 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SCE晶振,SG-211SCE 26.0000MT3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz

电源电压: 2.5 V Typ.    （2.7 V - 3.63 V）

电流消耗: 1.2 mA Typ.    (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +90 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SDE晶振,SG-211SDE 54.0000MT3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz

电源电压: 2.5 V Typ.    （2.2 V - 2.7 V）

电流消耗: 1.2 mA Typ.    (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +90 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 38.4000MT3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ.    （1.6 V - 2.2 V）

电流消耗: 1.2 mA Typ.    (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +90 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCB晶振,SG-210SCB 25.0000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -32 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

那么为什么越来越多的晶体企业都着手向汽车电子市场进军呢，然而汽车电子的要求也比科技数码产品高的多，特别是耐温这块，都有一定的要求值，比如：2016mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.