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KDS晶振,贴片晶振,DSB321SDM晶振,26MHZ温补振荡器频率:9.6-52MHz尺寸:3.2*2.5*0.9mm
低频晶振可从9.6MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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KDS晶振,贴片晶振,DSB221SDM晶振,2520温补振荡器频率:9.6-52MHz尺寸:2.5*2.0*0.8mm
高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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KDS晶振,贴片晶振,DSB535SC晶振,WiMAX有源晶振频率:10-30MHz尺寸:5.0*3.2*1.35mm
石英振荡器,OSC应用:无线通信,智能手机,平板笔记本,计算机,全球GPS定位系统,WLAN网络产品等.VC-TCXO应用:智能手机晶体,无线基站,精密仪器,GPS卫星,汽车应用等晶体滤波器应用无线收发器,智能手机,无线网络发射,GPS全球定位等等.
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KDS晶振,贴片晶振,DSB321SCB晶振,GPS晶振频率:9.6-52MHz尺寸:3.2*2.5*0.9mm
石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术,使用IC与晶片设计匹配技术:是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性,必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
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KDS晶振,贴片晶振,DSB221SCB晶振,2520温补晶振频率:9.6-52MHz尺寸:2.5*2.0*0.8mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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KDS晶振,贴片晶振,DSB321SCM晶振,无线温补晶振频率:9.6-52MHz尺寸:3.2*2.5*0.9mm
1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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KDS晶振,贴片晶振,DSB221SCM晶振,大真空温补晶振频率:9.6-52MHz尺寸:2.5*2.0*0.8mm
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术.
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KDS晶振,石英晶振,DSB211SDT晶振频率:12.288MHz~52.000MHz尺寸:2.0*1.6*0.66mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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KDS晶振,石英晶振,DSB211SDM晶振频率:12.288MHz~52.000MHz尺寸:2.0*1.6*0.63mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC9(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接.
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KDS晶振,石英晶振,DSB211SDB晶振频率:12.288MHz~52.000MHz尺寸:2.0*1.6*0.63mm
具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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KDS晶振,石英晶振,DSB211SCM晶振频率:12.288MHz~52.000MHz尺寸:2.0*1.6*0.63mm
2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.
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