C32xx晶振,C39xx晶振

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CRYSTEK晶振,贴片晶振,C32xx晶振,C39xx晶振

频率：1.544 MHz - 100.000 MHz

尺寸：7.2*5.2*1.8mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

咨询热线：0755-27872782

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CRYSTEK晶振,贴片晶振,C32xx晶振,C39xx晶振， Crystek公司成立于1958年，是射频微波和频率控制行业的高性能技术全球领导者。Crystek公司广泛的产品包括多种终端市场，包括无线，微波无线电，电信，工业，企业，航空航天和政府部门。Crystek公司是一家通过ISO9001：2008认证的企业，总部位于佛罗里达州迈尔斯堡
CrystekCorporation®自1958年以来一直提供频率产品，包括石英晶体，XO（时钟振荡器），TCXO（温度补偿晶体振荡器），VCO（压控振荡器）和VCXO（压控晶体振荡器）。Crystek经营两个专门用于频率控制的部门。

rystek晶体致力于开发和制造使用石英谐振器的频率产品。Crystek Microwave为微波行业开发频率控制和支持产品。其他产品包括：PLL（锁相环）合成器，RedBox VCO，RF同轴电缆组件，射频电缆连接器，批量射频同轴电缆，RF功率检测器，滤波器，衰减器，直流模块，无源倍增器，RFPRO（袖珍参考振荡器），基于SAW的时钟振荡器和VCSO以及功率调节器。CRYSTEK晶振,贴片晶振,C32xx晶振,C39xx晶振 TH-1 890

式石英晶体贴片振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.CRYSTEK晶振,贴片晶振,C32xx晶振,C39xx晶振 TH-2 890

CRYSTEK晶振规格	单位	C32xx晶振,C39xx晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1.544-100.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-45°C ～90°C	裸存
工作温度	T_use	0°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	50μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±50 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	15pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

C32xx C39xx 7050 XO OSC HCMOS 5V

TH-4 890

大多数石英振荡器供应商都是制造谐振器的专家，但不一定是电路设计。他们通常将模拟电路外包出去，并且必须购买专门用于各种晶体的芯片，而不是针对特定的谐振器进行优化。相比之下，ILSI MMD拥有世界级的模拟设计师团队，他们设计了与ILSI MMD的MEMS振荡器一起使用的所有电路。ILSI MMD在ILSI MMD振荡器产品的性能和灵活性方面取得了显着进步，结果是ILSI MMD的MEMS振荡器比嘈杂的环境条件下的石英器件更有弹性。CRYSTEK晶振,贴片晶振,C32xx晶振,C39xx晶振

环境压力源

操作环境中的几个因素会对振荡器性能产生负面影响，降低相位噪声和抖动。反过来，本文将比较环境条件对ILSI MMD生产的振荡器和其他竞争厂商的性能的影响。

电源噪声

任何系统中的主要噪声源都来自电源。大部分噪声都通过放置在振荡器电源输入端的无源滤波器和去耦电容滤除。但是，仍然存在一些噪声，这可能会增加输出时钟的抖动，并可能对系统时序余量产生负面影响。噪声不仅在电源本身接通时放大，而且在系统运行期间电路板上的其他设备开启或关闭时也会放大。板载问题（如电源滤波不足或接地反弹）也会影响噪声和抖动。电源抑制比（PSRR）是模拟电路设计中使用的特定参数，它指示电路对电源噪声的有效程度。与以dB表示的与SNR有关的参数PSRR不同，在噪声电源条件下的振荡器性能由电源噪声灵敏度（PSNS）度量表示。PSNS根据振荡器在20 kHz至20 MHz范围内的特定频率下进行受控峰 - 峰噪声注入时表现出的感生相位抖动进行量化。

如图2所示，包含电源和波形发生器的测试装置是一种可控测试方法，用于评估振荡器的PSNS性能。波形发生器以指定的电压和频率添加系统噪声，以测量电源噪声对振荡器抖动的影响。0中的曲线显示积分相位抖动与电源开关噪声频率的函数关系，峰峰值电源噪声为50 mV，比较了各种石英晶体振荡器与LVCMOS输出的ILSI MMD MEMS振荡器的结果。如图所示，ILSI MMD的MEMS振荡器抖动在所有噪声频率中都较低。其原因是内置于ILSI MMD振荡器电路中的降噪电路可以保护振荡器免受电源引起的抖动。CRYSTEK晶振,贴片晶振,C32xx晶振,C39xx晶振 TH-6 890