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CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVS575晶振,LVPECL压控晶振

频率:315-1000MHZ

尺寸:7.5*5.08*2.5mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PCLCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

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    CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVS575晶振,LVPECL压控晶振 Crystek公司 成立于1958年,是射频微波和频率控制行业的高性能技术全球领导者。Crystek公司广泛的产品包括多种终端市场,包括无线,微波无线电,电信,工业,企业,航空航天和政府部门。Crystek公司是一家通过ISO9001:2008认证的企业,总部位于佛罗里达州迈尔斯堡
CrystekCorporation®自1958年以来一直提供频率产品,包括石英晶体,XO(时钟振荡器),TCXO(温度补偿晶体振荡器),VCO(压控振荡器)和VCXO(压控晶体振荡器)。Crystek经营两个专门用于频率控制的部门。

    rystek晶体致力于开发和制造使用石英谐振器的频率产品。Crystek Microwave为微波行业开发频率控制和支持产品。其他产品包括:PLL(锁相环)合成器,RedBox VCO,RF同轴电缆组件,射频电缆连接器,批量射频同轴电缆,RF功率检测器,滤波器,衰减器,直流模块,无源倍增器,RFPRO(袖珍参考振荡器),基于SAW的时钟振荡器和VCSO以及功率调节器。CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVS575晶振,LVPECL压控晶振TH-1 890

    贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。

    1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;

    2.使组件在真空下电阻减小;

    3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

    小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVS575晶振,LVPECL压控晶振TH-2 890

CRYSTEK晶振规格

单位

CVS575晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

315-1000MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-45°C 90°C

裸存

工作温度

T_use

0°C +70°C

标准温度

激励功率

DL

150μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±150 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
±150 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±150 × 10-6/25°C 

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

15pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TH-3 890

CVS575 7.5_5.0mm SAW VCXO LVPECL

TH-4 890

    扇出:振荡器驱动能力的度量,表示为可由单个输出驱动的输入数量。它可以用等效负载电容(CL)或由二极管,负载电阻和电容组成的TTL负载电路来表示。CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVS575晶振,LVPECL压控晶振

    抖动:振荡器输出的相位或频率的调制。

    兼容HCMOS / TTL:该振荡器采用ACMOS逻辑设计,具有TTL和HCMOS负载的驱动能力,同时保持HCMOS的最小逻辑高电平。

    三态使能:当输入保持OPEN或连接到逻辑“l”时,发生正常振荡。当输入接地(连接到逻辑“0”)时,输出处于高阻抗状态。输入有一个内部上拉电阻,允许输入保持开路。

    输出逻辑:振荡器的输出设计符合各种指定的逻辑,如TTL,HCMOS,ECL,正弦,修剪正弦(直流切割)。

    谐波失真:由于与目标信号频率相关的不需要的谐波频谱成分引起的非线性失真。每个谐波分量是电功率与所需信号输出功率的比值,用dBc表示,即-20dBc。谐波失真指标尤其在正弦输出中很重要,因为要求干净且失真较少的信号。

    相位噪声:衡量振荡器的短时频率波动。通常将其指定为距载波指定偏置频率的1 Hz带宽内的单边带(SSB)功率密度。它以dBc / Hz为单位进行测量。

    待机:临时关闭振荡器和其他分频器以节省功耗的功能。逻辑“0”将启用待机模式。待机模式下的禁用电流从几微安到几十微安(典型值为5pA)。由于振荡暂停,输出稳定之前最多有10 ms(启动时间相同)。CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVS575晶振,LVPECL压控晶振

    VCXO技术条款

    控制电压(Vc):施加到VCXO输入的外部电压。通过改变电压,频率相应地改变。
典型的Vc为0VDC至5VDC,0.5VDC至4.5VDC和0.15VDC至3.15VDC。

    偏差或频率可调性:输出频率相对于控制电压变化的最小变化。单位是以ppm为单位。标准可拉性最小为±50 ppm或最小为±100 ppm。

    最大可调性:允许最大控制电压(用于正向传输功能)的最大频率变化。以ppm为单位。

    传递函数:频率变化的方向与控制电压的变化。如果在增加控制电压时频率升高,则传输被认为是正的。如果频率在增加Vc时下降,则传递函数为负值。

    输入阻抗: VCXO网络输入端口与电压控制源之间的隔离度量。典型输入阻抗在10KHz时> 50kohms。

    线性:频率与控制电压曲线的最佳直线斜率的偏差。典型的线性度为±20%或±10%。

    调制带宽:相对于1KHz输入调制频率的最小±3dB带宽频率。

    中心频率或标称频率:用户指定的中心控制电压频率。对于Vcc = 5 VDC,中心频率的标准控制电压为2.5 VDC,对于Vcc = 3.3 VDC,标准控制电压为1.65 VDC。CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVS575晶振,LVPECL压控晶振TH-6 890

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