CC137晶振,三态控制晶振振

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Cardinal晶振,石英晶振,CC137晶振,三态控制晶振

频率：1.500-200.000MHZ

尺寸：7.0*5.0*1.8mm

VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能，产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率，使产品永远控制在一定的频率范围，压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用：调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等

符合RoHS/无铅。

咨询热线：0755-27872782

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Cardinal晶振,石英晶振,CC137晶振,KHZ千赫有源晶振， Cardinal Components公司除了在晶体，振荡器，TCXO晶振和VCXO石英基于时钟产品的商品市场上的竞争对手外，还有哪些产品？

在Cardinal Components，Inc.自1986年以来，我们一直向北美，欧洲和亚洲的电子行业供应最优质的石英晶体和振荡器。在我们的历史中，我们与许多客户保持着长期的合作关系。他们回来是因为他们知道，不管挑战如何，Cardinal都能完成工作！

通过ISO-9001：2008认证，Cardinal致力于为我们的客户提供最优质的产品，技术支持和卓越的服务。我们的工程人员可以回答您的问题，并为新产品和现有产品提供设计帮助。我们提供灵活的交付计划，例如JIT和订单备货，因此消除了供应问题。

Cardinal的定价和交付时间在晶体元件行业中最具竞争力。销售代表，分销商和专门的内部销售部门专注于提供高水平的服务以满足您的需求。红衣主教的区别不仅仅是我们的产品范围或我们的技术能力。您可以信赖的稳定可靠的性能是我们公司与众不同之处。Cardinal晶振,石英晶振,CC137晶振,KHZ千赫有源晶振 TH-1 890

有源石英晶振，无论是温补晶体也好，压控晶振也罢，产品均采用了，离子刻蚀调频技术，比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：

１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；

２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；

３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,压控温补晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.Cardinal晶振,石英晶振,CC137晶振,KHZ千赫有源晶振 TH-2 890

Cardinal晶振规格	单位	CC137晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	13.7KHz-133.00MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C - +85°C	裸存
工作温度	T_use	-10 - +60ºC	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±100 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±100 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±100 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	50pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

CC137 5032 OSC

TH-4 890

随机振动导致与振动频率对应的偏移处的相位噪声增加。我们测量了每个振荡器有无振动时的相位噪声，并计算了从15 Hz到10 kHz的积分相位抖动值。然后可以从两个值之间的均方根差异导出诱发抖动。Cardinal晶振,石英晶振,CC137晶振,KHZ千赫有源晶振

休克

第三个测试测量了操作期间响应于冲击影响的瞬态频率偏差。该测试遵循MIL-STD-883H [2]方法2002的规范，并且我们监测了加速度为500-g的1ms半正弦波冲击脉冲的瞬态频率响应。

2002年的MIL-STD-883H [2]标准被广泛用于测试石英晶体振荡器在非运行模式下的机械冲击下的耐受性。大多数商用石英晶体振荡器在100-g到1500-g的环境质量测试中都有规定，而Cardinal MMD MEMS振荡器已达到10,000 g到50,000 g机械冲击的环境要求。

冲击测试装置如图4和图5所示。与振动测试方法类似，我们将振荡器定向为在x，y和z方向施加冲击，并测量最坏情况。频率测量每100微秒持续10秒钟，提供冲击前，中，后的频率响应数据。

实验结果

正弦振动

图6给出了受正弦振动影响的基于石英，SAW和MEMS的差分振荡器的振动灵敏度结果。Cardinal MMD MEMS振荡器的性能优于其他器件10到100倍。另一种基于MEMS的振荡器MEMS 2具有不同的谐振器设计和平面外振动模式，显示的振动灵敏度类似于石英和SAW器件。

如图7中的数据所示，单端振荡器对正弦振动较不敏感，石英和MEMS性能之间的差异并不明显。然而，在这项研究中，Cardinal MMD器件仍然优于石英振荡器。Cardinal晶振,石英晶振,CC137晶振,KHZ千赫有源晶振 TH-6 890

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CC137晶振三态控制晶振

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