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Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振

频率:13.5MHz-312.5MHz

尺寸:7.0*5.0*1.7mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PCLCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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    Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振 2000年7月

    台湾yangtec electronics corp。与Fujicom晶振品牌的销售合同。

    2001年1月

    “水晶震动”自动检测装置。

    2005年8月

    传输法水晶振荡器自动检查装置。

    2008年6月

    韩国将在国内销售kec和kec制的半导体。

    10月

    参展东京商务峰会。

    开始销售led灯。

    12月

    开始销售高压薄膜电容器。

    2011年12月

    高电压薄膜电容器lcr产品引进。

    2012年7月

    东芝产半导体开始销售。

    2013年1月

    软件委托开发开始。

    5月

    总公司新办公室改建迁移。

    10月

    shoprider的电动汽车开始销售。

    2014年7月

    小规模事业者可持续发展补助金。

    2015年5月

    ㈱ぱるぱる产电动卡丁车“パルパル”开始销售。

    富士com有限公司于2013年创立20期,创立20周年,Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振TH-1 890

    贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。

    1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;

    2.使组件在真空下电阻减小;

    3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一

    小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD晶振高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振TH-2 890

Fujicom晶振规格

单位

FPO-700晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

13.5MHz-312.5MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C to +85°C

裸存

工作温度

T_use

-10°C to +70°C

标准温度

激励功率

DL

1.0μW Max.

推荐:1μW  100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±20 × 10-6 
 ±100 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±50 × 10-6/25°C 

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

15PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±3 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TH-3 890

FPO-700

TH-4 890

    介绍,Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振

    正确的去耦,旁路和电源噪声降低在许多应用中非常重要,以确保振荡器的最佳性能。一种常见的策略是将电容器放置在印刷电路板(PCB)上的高速器件附近。这种电容器有两个重要功能:

    为组件提供瞬时电流

    减少通过系统的噪音传播

    将电源噪声分流至GND以下各节描述单端和差分器件的去耦,旁路,噪声抑制和电源条件建议。

    解耦

    诸如时钟晶体振荡器之类的快速开关器件对电源提出了很高的要求。高时钟速率加上快速上升时间(通常在1 ns范围内)使电源很难及时获得所需电流。结果,器件的电源电压会下降。为确保器件始终提供足够的电荷量,需要安装去耦电容器,以充当本地储存器。

    建议在振荡器的VDD引脚和接地层之间为单端和差分器件使用0.1uF陶瓷去耦电容。图1和图2显示了具有0603尺寸,0.1uF去耦电容C的4引脚振荡器的示例布局。图1和图2所示的所有迹线都需要用阻焊层覆盖。时钟的引脚1可用于支持输出使能,待机,扩展禁用或VCMO控制等功能。Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振TH-6 890

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