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ILSI晶振,石英晶振,UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振

频率:7 MHz - 160.000 MHz

尺寸:8.0*3.2*8.0mm,8.0*3.2*6.0mm,8.0*3.2*4.7mm

插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

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    ILSI晶振,石英晶振,UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振 质量管理

    ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.质量方针:

    ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.致力于通过坚持其建立的质量管理体系和持续改进的承诺,不断为其内部和外部客户提供高质量的产品和服务

    ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.质量管理体系采用Plan-Do-Check-Act循环。这是ISO管理体系标准的操作原则。

    计划 - 确定目标并制定计划(分析你的组织情况,确定你的总体目标并设定你的临时目标,并制定实现目标的计划)。

    做 - 实施你的计划(做你的计划)。

    检查 - 衡量你的结果(衡量/监测你的实际成就达到你的计划目标的程度)。

    行动 - 纠正和改善你的计划,以及如何将它们付诸实践(纠正错误并从错误中吸取教训,改进计划,以便下次取得更好的结果)ILSI晶振,石英晶振,UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振TH-1 890

    插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

    引线型压电石英晶体采用全新自动生产设备,严格的对每颗晶体各项参数指标检测把关,比如电阻的测量技术:引进一批先进的检测仪器,准确度达到±1ppm(国标标准)。在测量应用上制定一套标准的测量方法保证测量的准确性、仪器的精度、测试的一致性。

    如下方面都会对测量结果带来影响引脚焊接型石英晶体元件.工厂仓库长时间大量库存常用频点,.高精度的频率和晶振本身更低的等效串联电阻.常用负载电容,49/S石英晶振,因插件型镜头成本更低和更高的批量生产能力.主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.ILSI晶振,石英晶振,UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振TH-2 890

ILSI晶振规格

单位

UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

7 MHz - 160 MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-40° C - +85° C

裸存

工作温度

T_use

0° C - +70° C

标准温度

激励功率

DL

100μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±50 × 10-6/25°C 

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

18pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TH-3 890

UM1 UM4 UM5 3.3_8mm

TH-4 890

    晶振使用注意事项,ILSI晶振,石英晶振,UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振

    使用每种产品时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用。 

    晶体产品的设计和生产满足它的规格书。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的产品.但是为了产品的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任。

    所有产品的共同点

    抗冲击

    晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。

    辐射

    暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射。

    化学制剂 / pH值环境

    请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。

    粘合剂

    请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 

    (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)ILSI晶振,石英晶振,UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振TH-5 890

    晶体振荡器术语及应用说明,ILSI晶振,石英晶振,UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振

    标称频率:晶体振荡器的中心或标称输出频率。

    封装:晶体振荡器从引脚通孔到表面贴装类型封装成各种类型。各种尺寸和功能适用于不同的应用。

    频率容差:在室温下以百万分率(ppm)表示的与标称频率的偏差。(25°±5°C)

    频率范围:振荡器类型或型号可提供的频段。

    频率稳定度:相对于在温度窗口25°C时测得的频率(即0°C至+ 70°C)的最大允许频率偏差。典型稳定度为±0.01%(±100 ppm)。

    工作温度:输出频率和其他电气,环境特性符合规格的温度范围。

    老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,最多1年的老化率为±5 ppm。

    存储温度:在不损坏或改变设备性能的情况下安全存放设备的温度范围(未施加电源电压)。

    频率与电源变化:当电源电压在指定限制内变化时,允许的最大频率变化(典型值±10%Vcc或±5%变化)。

    电源电压(Vdd max):可以安全施加到Vcc端子相对于地的最大电压。TTL的最大电源电压为5.5V,HCMOS的最大电源电压为6V。

    输入电压(VIN):可安全施加到振荡器任何输入端的最大电压。

    输出高电压(VOH):正常负载下振荡器输出端的最小电压。

    输出低电压(VOL):适当负载下振荡器输出端的最大电压。

    电源电流(Icc):流入Vcc端子的电流相对于地。典型的电源电流在无负载情况下测量

    对称或占空比:输出波形在特定电平(TTL为1.4V,HCMOS为1 / 2Vcc或ECL为1/2波形峰值电平)时的对称性。

    SYM = TH / T×100(%); 参见图1。

    上升时间(Tr):在指定电平(HCMOS,ECL为20%至80%,TTL为0.4V至2.4V)下,从低电平到高电平转换的波形上升时间。

    下降时间(Tf):在特定电平(HCMOS,ECL为80%至20%,TTL为2.4V至0.4V)下测量的从高电平到低电平转换的波形下降时间。ILSI晶振,石英晶振,UM1晶振,UM4晶振,UM5晶振TH-6 890

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