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有源晶振,Oscillator Crystal,石英晶体振荡器,有源晶体,有源晶振
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMHT晶振,ASTMHTA-20.000MHZ-XK-E-T3晶振

ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMHT晶振,ASTMHTA-20.000MHZ-XK-E-T3晶振频率:1-137MHZ尺寸:2.0x1.6x0.75;2.5x2.0x0.75:3.2x2.5x0.75;5.0x3.2x0.75;7.0x5.0x0.9

小尺寸的贴片石英晶振,目前生产上采用了高技术的封装模式,光刻石英晶片技术,并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。

ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMLPT晶振,ASTMLPT-33-100.000MHZ-LQ-S-T3晶振

ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMLPT晶振,ASTMLPT-33-100.000MHZ-LQ-S-T3晶振频率:1.0-110MHZ尺寸:3.5 x 3.0 x 0.25mm

我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。

ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMUPC晶振,ASTMUPCD-33-16.000MHZ-LJ-E-T晶振

ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMUPC晶振,ASTMUPCD-33-16.000MHZ-LJ-E-T晶振频率:1.0-220MHZ尺寸:2.7x2.4x0.75mm;3.2x2.5x0.75mm;5.0x3.2x0.75mm;7.0x5.0 x 0.9mm

那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢?产品的电极对于晶体来讲,主要是,改变频率,往外引出电极,改变阻抗,去掉杂波,贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别,各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变,因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。

ABRACON晶振,贴片晶振,ASDM晶振,2520石英晶振

ABRACON晶振,贴片晶振,ASDM晶振,2520石英晶振频率:1.0-150MHZ尺寸:2 . 5 x 2 . 0 x 0.8 0 m m

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

Statek晶振,插件晶振,SQXO晶振

Statek晶振,插件晶振,SQXO晶振频率:30KHZ~400KHz尺寸:10.2×4.5mm

接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.


Statek晶振,石英晶体振荡器,LSM晶振

Statek晶振,石英晶体振荡器,LSM晶振频率:30KHZ~400KHz尺寸:10.2×4.5mm

接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.


Statek晶振,有源晶振,LSC晶振

Statek晶振,有源晶振,LSC晶振频率:30KHZ~400KHz尺寸:10.2×4.5mm

接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.


Statek晶振,有源晶振,LHGAT晶振

Statek晶振,有源晶振,LHGAT晶振频率:320kHz~50MHz尺寸:5.0×7.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..



Statek晶振,32.768K晶振,LFXO晶振

Statek晶振,32.768K晶振,LFXO晶振频率:32.768KHZ尺寸:6.5×5.0mm

此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率,32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点.

Statek晶振,OSC晶振,HTXO晶振

Statek晶振,OSC晶振,HTXO晶振频率:32.768KHz,1.5~50MHz尺寸:7.5×5.0mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Statek晶振,有源晶振,HGXOHT晶振

Statek晶振,有源晶振,HGXOHT晶振频率:460KHZ~50MHZ尺寸:7.5×5.0mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Statek晶振,贴片晶振,HFXO晶振

Statek晶振,贴片晶振,HFXO晶振频率:220KHZ~100MHZ尺寸:6.5×5.0mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Statek晶振,5070贴片晶振,DFXO晶振

Statek晶振,5070贴片晶振,DFXO晶振频率:20~300MHZ尺寸:5.0×7.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.



Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOXULPHT晶振

Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOXULPHT晶振频率:32.768KHZ尺寸:3.2×2.5mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.



Statek晶振,32.768K晶振,CXOXULP晶振

Statek晶振,32.768K晶振,CXOXULP晶振频率:32.768KHZ尺寸:3.2×2.5mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.



Statek晶振,贴片晶振,CXOXLPN晶振

Statek晶振,贴片晶振,CXOXLPN晶振频率:20~50MHZ尺寸:3.2×2.5mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

Statek晶振,3225晶振,CXOX晶振

Statek晶振,3225晶振,CXOX晶振频率:1~160MHZ尺寸:3.2×2.5mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

Statek晶振,2520晶振,CXOQ晶振

Statek晶振,2520晶振,CXOQ晶振频率:400KHZ~100MHZ尺寸:2.5×2.0mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

Statek晶振,有源晶振,CXOLP晶振

Statek晶振,有源晶振,CXOLP晶振频率:1~8.5MHZ尺寸:3.2×1.5mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOL晶振

Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOL晶振频率:32.768KHZ尺寸:3.2×1.5mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOMKHT晶振

Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOMKHT晶振频率:32.768KHZ尺寸:6.5×5.0mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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