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有源晶振,Oscillator Crystal,石英晶体振荡器,有源晶体,有源晶振
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Statek晶振,有源晶振,LSC晶振

Statek晶振,有源晶振,LSC晶振频率:30KHZ~400KHz尺寸:10.2×4.5mm

接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.


Statek晶振,有源晶振,LHGAT晶振

Statek晶振,有源晶振,LHGAT晶振频率:320kHz~50MHz尺寸:5.0×7.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..



Statek晶振,32.768K晶振,LFXO晶振

Statek晶振,32.768K晶振,LFXO晶振频率:32.768KHZ尺寸:6.5×5.0mm

此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率,32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点.

Statek晶振,OSC晶振,HTXO晶振

Statek晶振,OSC晶振,HTXO晶振频率:32.768KHz,1.5~50MHz尺寸:7.5×5.0mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Statek晶振,有源晶振,HGXOHT晶振

Statek晶振,有源晶振,HGXOHT晶振频率:460KHZ~50MHZ尺寸:7.5×5.0mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Statek晶振,贴片晶振,HFXO晶振

Statek晶振,贴片晶振,HFXO晶振频率:220KHZ~100MHZ尺寸:6.5×5.0mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。


Statek晶振,5070贴片晶振,DFXO晶振

Statek晶振,5070贴片晶振,DFXO晶振频率:20~300MHZ尺寸:5.0×7.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.



Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOXULPHT晶振

Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOXULPHT晶振频率:32.768KHZ尺寸:3.2×2.5mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.



Statek晶振,32.768K晶振,CXOXULP晶振

Statek晶振,32.768K晶振,CXOXULP晶振频率:32.768KHZ尺寸:3.2×2.5mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.



Statek晶振,贴片晶振,CXOXLPN晶振

Statek晶振,贴片晶振,CXOXLPN晶振频率:20~50MHZ尺寸:3.2×2.5mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

Statek晶振,3225晶振,CXOX晶振

Statek晶振,3225晶振,CXOX晶振频率:1~160MHZ尺寸:3.2×2.5mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

Statek晶振,2520晶振,CXOQ晶振

Statek晶振,2520晶振,CXOQ晶振频率:400KHZ~100MHZ尺寸:2.5×2.0mm

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

Statek晶振,有源晶振,CXOLP晶振

Statek晶振,有源晶振,CXOLP晶振频率:1~8.5MHZ尺寸:3.2×1.5mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOL晶振

Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOL晶振频率:32.768KHZ尺寸:3.2×1.5mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOMKHT晶振

Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOMKHT晶振频率:32.768KHZ尺寸:6.5×5.0mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
IDT晶振,贴片晶振,XUO晶振,HCSL OSC有源石英晶振

IDT晶振,贴片晶振,XUO晶振,HCSL OSC有源石英晶振频率:0.016MHz - 670MHz尺寸:5.0x3.2x 1.2mm,7.0x5.0x1.3mm

5032尺寸贴片晶振系列,在生产时就得对每项生产工艺严格把关,对每项参数做到标准检测,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。


IDT晶振,贴片晶振,XLL晶振,SMD差分晶振

IDT晶振,贴片晶振,XLL晶振,SMD差分晶振频率:0.750-1350MHz尺寸:3.2x2.5x1.0mm,5.0x3.2x1.2mm,7.0x5.0x1.3mm

那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢?产品的电极对于晶体来讲,主要是,改变频率,往外引出电极,改变阻抗,去掉杂波,贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别,各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变,因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。


IDT晶振,贴片晶振,XLP晶振,LVPECL贴片有源振荡器

IDT晶振,贴片晶振,XLP晶振,LVPECL贴片有源振荡器频率:0.750 - 1350 MHz尺寸:5.0x3.2x1.2mm,7.0x5.0x1.3mm

智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.


IDT晶振,贴片晶振,XUN晶振,7050mm石英晶体振荡器

IDT晶振,贴片晶振,XUN晶振,7050mm石英晶体振荡器频率:0.016MHz - 670MHz尺寸:5.0x3.2x 1.2mm,7.0x 5.0x1.3mm

贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.


IDT晶振,贴片晶振,XLH晶振,HCMOS石英振荡子,OSC有源晶振

IDT晶振,贴片晶振,XLH晶振,HCMOS石英振荡子,OSC有源晶振频率:0.750 - 250 MHz尺寸:3.2*2.5*1.0mm,5.0*3.2*1.2mm,7.0*5.0*1.3mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.


Sitime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振

Sitime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振频率:115.2M~137MHZ尺寸:2.0x1.6mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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在石英晶振制造行业中,晶片切割工艺是决定晶振核心性能的底层核心技术,也是区分晶振等级,适配场景,品质优劣的关键标准.很多电子工程师在设备调试,产品量产过程中遇到的时序漂移,信号不稳,高低温失效,计时偏差,设备频繁重启等疑难故障,溯源排查后绝大多数问题都源于晶振切割工艺选型不匹配.同一产地,同一材质的天然石英原石,经过不同角度,不同方式,不同工艺标准的切割打磨后,成型晶片的物理振动特性,应力结构,温变系数,老化速度会产生天壤之别,最终直接决定成品晶振的频率精度,温度稳定性,抗震抗扰性,使用寿命,深刻影响各类电子设备的时序运行与整机品质.在River大河晶振全系产品体系中,AT切割与GT切割是两大经典,应用最广泛的核心切割工艺,覆盖了从民用消费电子,智能家居,无线通信设备,到工业自动化控制,车载汽车电子,精密仪器仪表,物联网测控终端等全品类电子设备场景,是目前电子制造业最常用的两种晶体切割方案.

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