KC2016B-C1晶振,KC2016B27.0000C1GE00晶振

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京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B27.0000C1GE00晶振

频率：1.5-24MHz

尺寸：2.0*1.6*0.55mm

小尺寸的贴片石英晶振，目前生产上采用了高技术的封装模式，光刻石英晶片技术，并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除，而晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。

咨询热线：0755-27872782

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京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B27.0000C1GE00晶振。京瓷晶振为了人类和社会的进步与发展以独创性和高品质，不断创造新价值。为此追求事物的本质，力求提高品质以自身的技术、视角，开拓适应时代和市场需求的价值。同时在开展各项事业时，以“创造超出顾客期望值的价值”为信念，承诺“带来感动和欢喜的表现（技术、品质和适应能力）”

日本京瓷晶振株式会社保持公正、体面的工作精神,尊重人,我们的工作,我们的公司和我们的全球社区.提供的材料和知识有机会增长我们所有的员工,并通过我们的共同努力,为社会和人类的进步做出贡献.石英晶体，贴片晶振, 温补晶振对于手机、数码相机和其他数字设备关键部件的性能有重要影响.京瓷晶振设备是世界领先生产石英晶振设备的厂商之一,涵盖各个方面的生产增长的合成石英晶体使用石英晶体生产最终产品,包括石英晶振,石英晶体振荡器,以及过滤器和光学设备.京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B27.0000C1GE00晶振 TH-1 890

小尺寸的贴片石英晶振，目前生产上采用了高技术的封装模式，光刻石英晶片技术，并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除，而晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。

贴片石英晶振2520mm小尺寸系列SMD晶片目前采用了激光切割技术，按照最严格的切割机各项设备参数，严格挑选各类晶体切割，如：磨料、线切割线、槽轮等，通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了晶片的精度，提高了生产效率。

小体积2520mm贴片晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B27.0000C1GE00晶振 TH-2 890

Kyocera晶振规格	单位	KC2016B-C1晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1.5-24MHz	标准频率
储存温度	T_stg	−40-＋85℃	裸存
工作温度	T_use	−10-＋70℃	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20×10−6(at 25℃）	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±100×10−6/−40～+125℃ (Ref. to 25℃ )	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF, 10pF, 12pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

KC2016B_c1_2.0_1.6

TH-4 890

晶振存储事项，京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B27.0000C1GE00晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对石英晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

?（1）柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ]

CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD晶振产品回流焊接条件（实例）