SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振

频率：50 MHz - 80 MHz

尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动

频率范围: 50 MHz - 80 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围: -40°C - +85°C

咨询热线：0755-27872782

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爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON — YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶振（TCXO）。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振

日本精工爱普生晶振厂家接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).. TH-1 890

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振,小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

有源晶振,是只晶体振荡器本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要...

封装：与其它电子元件相似，石英晶体振荡器亦采用愈来愈小型的封装。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封装器件更昂贵。所以，小型封装的石英晶振往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折衷。我们的石英晶体振荡器有插件晶振(DIP)、贴片晶振(SMD)封装，插件晶振如长方形的DIP14封装，正方形的DIP8插件晶振封装等，贴片晶振有7.0*5.0mm贴片晶振、6.0*3.5mm贴片晶振，5.0*3.2mm贴片晶振，3.2*2.5mm贴片晶振，2.5*2.0mm贴片晶振等封装。爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振
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爱普生晶振	单位	SG-210SED晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	50 MHz - 80 MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C - +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C-+85°C	标准温度
激励功率	DL	0.5μW(1.0μW Max.)	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	B:50 × 10-6, C:100 × 10-6 M:50 × 10-6,L:100 × 10-6	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±100 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	15 pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	70ΚΩ Max.
频率老化	f_age	±3 X 10-6 / year Max.	+25°C,第一年