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爱普生晶振以32.768KHZ称霸晶振行业
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爱普生晶振,温补晶振,TG1612SAN晶振,定位系统用压控温补振荡器

频率:13 MHz - 52 MHz

尺寸:1.6 × 1.2 × 0.65 mm

为什么越来越多的晶体企业都着手向汽车电子市场进军呢,然而汽车电子的要求也比科技数码产品高的多,特别是耐温这块,都有一定的要求值,比如:3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
咨询热线:0755-27872782

APS-1

    爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户。爱普生晶振,温补晶振,TG1612SAN晶振,定位系统用压控温补振荡器

    爱普生压控温补晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会。TH-1 890

    爱普生晶振,温补晶振,TG1612SAN晶振,定位系统用压控温补振荡器,有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内.

    有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。TH-2 890

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

13 MHz - 52 MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.8V-3.3V

联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-40 to +90

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.smdcrystal.com/ 

N: -30 to +85

 

频率稳定度

f_tol

 ±2.0 × 10-6

 +25 °C

功耗

ICC

2.0 mA Max.


待机电流

I_std

2 mA Max.

OE=GND

占空比

SYM

40 % to 60 %

在输出交叉点

输出电压

VOH

VCC-0.8V Max.

 

VOL

0.8V Max.

输出负载条件

L_ECL

10PF Max.

 DC切割电容=0.01 μF

输入电压

VIH

70% VCC Min.

OE 终端

VIL

30 % VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

10ns Max.

20 % ~ 80 % (VOH-VOL).
20 % ~ 80 % 微分输出 峰-峰值

振荡启动时间

t_str

2.0 ms Max.

在电源电压最低时,所需时间为0 秒

频率老化

f_aging

±1.5 × 10-6 / year Max.

+25 °C

XG-2102CA晶振原厂编码表:
X1M0003010002 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010003 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010004 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010006 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010007 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010008 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010009 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010010 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010011 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010012 XG-2102CA 133.330000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010013 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010014 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010015 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010016 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010017 XG-2102CA 133.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010019 XG-2102CA 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010020 XG-2102CA 312.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010021 XG-2102CA 106.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010022 XG-2102CA 250.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010023 XG-2102CA 200.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %

TH-3 890

TG1612SAN 1612

TH-4 890

    自动安装时的冲击,爱普生晶振,温补晶振,TG1612SAN晶振,定位系统用压控温补振荡器

    自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对产品特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保晶体产品未撞击机器或其他电路板等。

    每个封装类型的注意事项

    (1)陶瓷包装产品与SON产品

    在焊接陶瓷封装产品和SON产品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。

    陶瓷包装产品

    在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。

    (2)陶瓷封装产品

    在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。

    (3)柱面式产品

    产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当晶体产品的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。

    ●安装示例

     (4)DIP 产品

    已变形的引脚不能插入板孔中。请勿施加过大压力,以免引脚变形。

    (5)SOJ 产品和SOP 产品

    请勿施加过大压力,以免引脚变形。已变形的引脚焊接时会造成浮起。尤其是SOP产品需要更加小心处理。爱普生晶振,温补晶振,TG1612SAN晶振,定位系统用压控温补振荡器TH-5 890

    爱普生进口超小型有源晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量。

    爱普生温补有源晶振集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况。另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准。

    精工爱普生晶振集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等。

    EPSON超小型温补晶振尽可能的采用无害的原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物。集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用。

    根据需要,提高环境技术、材料和产品的发展信息及环境管理活动的公开性。

    爱普生晶振公司的目标是保证产品继续满足客户要求的同时对环境的影响降到最小,在生产过程中不断节约能源和资源,努力实现环境管理体系与环境行为持续改进。

    承诺保护环境,重视员工、客户和公众的健康和安全。我们从事任何活动,都要以注重安全和环保方式,并考虑到生态系统的复杂性和相关性。

    建立目标指标、监测程序,利用最好的管理手段,应用节约成本的技术,持续改进我们的环境表现。我们承诺采取积极的、预防性的战略管理来对自然环境和地方社区的影响最小化。爱普生晶振,温补晶振,TG1612SAN晶振,定位系统用压控温补振荡器

爱普生有源MHZ系列晶振规格表:

Model Frequency LxWxH Output Wave Ope Temperature Freq. Tol. I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.096000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 60.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 12.800000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 19.440000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 13.560000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 35.328000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 62.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 20.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 1.544000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 2.048000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 66.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.001400 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 15.360000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 16.384000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TH-6 890

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