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爱普生晶振以32.768KHZ称霸晶振行业
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爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CG晶振,X1G0042110001晶振

频率:13.000 MHz - 52.000 MHz

尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

小体积贴片2520mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.5 × 2.0 × 0.8 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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APS-1

    爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CG晶振,X1G0042110001晶振

    爱普生LVDS输出晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会TH-1 890

    爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CG晶振,X1G0038510032晶振,VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能,产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率,使产品永远控制在一定的频率范围,压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用:调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等,符合RoHS/无铅。

    石英晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)。
TH-2 890

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

13 - 52MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.8V-3.3V

1.7 V ~ 3.465 V

储存温度

T_stg

-40 to +90

裸存

工作温度

T_use

G: -30 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.smdcrystal.com/ 


 

频率稳定度

f_tol

 ±2.0 × 10-6

 +25 °C

功耗

ICC

2.0 mA Max.


待机电流

I_std

0.2 mA Max.

OE=GND

占空比

SYM

40 % to 60 %

GND 极 (DC 切割)

输出电压

VOH

0.8 Vcc Min.

 

VOL

0.2 Vcc Max.

输出负载条件

L_ECL

10PF Max.

 DC切割电容=0.01 μF

输入电压

VIH

70% VCC Min.

OE 终端(启用电压)

VIL

30% VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

8ns Max.

10 % VCC ~ 90 % VCC 极,负载:15 pF

振荡启动时间

t_str

2.0 ms Max.

在90 % VCC 时,所需时间为0 秒

频率老化

f_aging

±1.5 × 10-6 / year Max.

+25 °C

TG-5006CG晶振原厂编码表:
X1G0042110001 TG-5006CG 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-9 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V +/-1ppm
X1G0042110002 TG-5006CG 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110003 TG-5006CG 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110004 TG-5006CG 16.368000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110005 TG-5006CG 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-9 to +/-15 Vc=0.2 to 1.6V +/-1ppm
X1G0042110006 TG-5006CG 16.367667 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110008 TG-5006CG 16.369000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110011 TG-5006CG 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 2.0 mA +/-1ppm
X1G0042110015 TG-5006CG 16.369000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110016 TG-5006CG 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110027 TG-5006CG 30.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110031 TG-5006CG 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0042110033 TG-5006CG 49.999800 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.80 ppm ≤ 2.0 mA +/-1ppm
X1G0042110034 TG-5006CG 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-9 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V +/-1ppm
X1G0042110037 TG-5006CG 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-1.5 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm

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TG-5006CE CG CJ

TH-4 890

    卤化合物,爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CG晶振,X1G0042110001晶振

    请勿在卤素气体环境下使用产品。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。

    静电

    过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

    在设计时

    机械振动的影响

    当晶体产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶体产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。

    PCB设计指导

    (1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。

    (2) 在设计时请参考相应的推荐封装。

    (3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。

    (4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CG晶振,X1G0042110001晶振TH-5 890

    爱普生智能手机晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量。

    爱普生晶振集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况。另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准。

    精工爱普生晶振集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等。

    EPSON移动通讯用2520振荡器尽可能的采用无害的原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物。集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用。

    根据需要,提高环境技术、材料和产品的发展信息及环境管理活动的公开性。

    爱普生进口石英晶振公司的目标是保证产品继续满足客户要求的同时对环境的影响降到最小,在生产过程中不断节约能源和资源,努力实现环境管理体系与环境行为持续改进。

    承诺保护环境,重视员工、客户和公众的健康和安全。我们从事任何活动,都要以注重安全和环保方式,并考虑到生态系统的复杂性和相关性。

    建立目标指标、监测程序,利用最好的管理手段,应用节约成本的技术,持续改进我们的环境表现。我们承诺采取积极的、预防性的战略管理来对自然环境和地方社区的影响最小化。爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CG晶振,X1G0042110001晶振

爱普生有源MHZ系列晶振规格表:

Model Frequency LxWxH Output Wave Ope Temperature Freq. Tol. I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.096000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 60.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 12.800000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 19.440000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 13.560000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 35.328000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 62.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 20.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 1.544000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 2.048000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 66.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.001400 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 15.360000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 16.384000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
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