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爱普生晶振以32.768KHZ称霸晶振行业
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爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CJ晶振,X1G0041310004晶振

频率:13.000 MHz - 52.000 MHz

尺寸:2.0*1.6*0.73mm

具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
咨询热线:0755-27872782

APS-1

    爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON — YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶体振荡器, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO)。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业。爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CJ晶振,X1G0041310004晶振

    日本精工爱普生压控温补晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】  爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资)TH-1 890

    爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CJ晶振,X1G0041310004晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD晶振高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅。

    超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。我公司泰河电子具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CJ晶振,X1G0041310004晶振
TH-2 890

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

13 - 52MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.8V-3.3V

1.7 V ~ 3.465 V

储存温度

T_stg

-40 to +90

裸存

工作温度

T_use

G: -30 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.smdcrystal.com/ 


 

频率稳定度

f_tol

 ±2.0 × 10-6

 +25 °C

功耗

ICC

2.0 mA Max.


待机电流

I_std

0.2 mA Max.

OE=GND

占空比

SYM

40 % to 60 %

GND 极 (DC 切割)

输出电压

VOH

0.8 Vcc Min.

 

VOL

0.2 Vcc Max.

输出负载条件

L_ECL

10PF Max.

 DC切割电容=0.01 μF

输入电压

VIH

70% VCC Min.

OE 终端(启用电压)

VIL

30% VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

8ns Max.

10 % VCC ~ 90 % VCC 极,负载:15 pF

振荡启动时间

t_str

2.0 ms Max.

在90 % VCC 时,所需时间为0 秒

频率老化

f_aging

±1.5 × 10-6 / year Max.

+25 °C

TG-5006CJ晶振原厂编码表:
X1G0041310026 TG-5006CJ 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-1.5 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 2.0 mA +/-8 to +/-15 Vc=0.5 to 2.5V +/-1ppm
X1G0041310029 TG-5006CJ 19.200000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 2.0 mA +/-8 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V +/-1ppm
X1G0041310031 TG-5006CJ 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 2.0 mA +/-1ppm
X1G0041310032 TG-5006CJ 26.635300 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0041310033 TG-5006CJ 28.974000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.8 mA +/-1ppm
X1G0041310034 TG-5006CJ 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-1.5 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-8 to +/-12.5 Vc=0.3 to 1.5V +/-1ppm
X1G0041310036 TG-5006CJ 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-1.5 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-9 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V +/-1ppm
X1G0041310037 TG-5006CJ 19.200000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.8 mA +/-8 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V +/-0.7ppm
X1G0041310038 TG-5006CJ 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-1.50 ppm ≤ 2.0 mA +/-8 to +/-10.5 Vc=0.05 to 1.8V -1/+0.5ppm
X1G0041310041 TG-5006CJ 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 2.0 mA +/-1ppm
X1G0041310042 TG-5006CJ 32.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 2.0 mA +/-1ppm
X1G0041310044 TG-5006CJ 24.576000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-9 to +/-16 Vc=0.4 to 2.4V +/-1ppm
X1G0041310049 TG-5006CJ 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-2.00 ppm ≤ 1.5 mA +/-9 to +/-15 Vc=0.1 to 1.7V +/-1ppm

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TG-5006CE CG CJ

TH-4 890

    晶振使用注意事项,爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CJ晶振,X1G0041310004晶振

    使用每种产品时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用。

    晶体产品的设计和生产满足它的规格书。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的产品.但是为了产品的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任。

    所有产品的共同点

    抗冲击

    晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。

    辐射

    暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射。

    化学制剂 / pH值环境

    请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。

    粘合剂

    请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CJ晶振,X1G0041310004晶振TH-5 890

    爱普生株式会社EPSON低电压晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客。

    创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品;并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动。

    爱普生株式会社EPSON低电源TCXO晶振不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染。

    在设定环保目的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。

    爱普生2016温补石英晶体振荡器通过与地区的交流及社会贡献活动,为地区的环保做贡献。

    将环保活动的信息向公司内外公开,积极努力的与地区社会及相关人员建立信赖关系,为社会的发展做出贡献。

    通过此方针的公文化,在向公司员工及从事本事业领域业务的所有相关人员彻底传达的同时,也向公司外部公开。爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CJ晶振,X1G0041310004晶振

爱普生有源MHZ系列晶振规格表:

Model Frequency LxWxH Output Wave Ope Temperature Freq. Tol. I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.096000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 60.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 12.800000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 19.440000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 13.560000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 35.328000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 62.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 20.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 1.544000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 2.048000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 66.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.001400 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 15.360000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 16.384000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
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