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爱普生晶振以32.768KHZ称霸晶振行业
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爱普生晶振,温补晶振,TG5032CFN晶振,CMOS输出宽温TCXO晶振

频率:10 MHz - 40 MHz

尺寸:5.0 × 3.2 × 1.45 mm

5032mm体积的CMOS晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
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APS-1

    爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON — YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,爱普生压控晶振, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO)。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业。爱普生晶振,温补晶振,TG5032CFN晶振,CMOS输出宽温TCXO晶振

    日本精工爱普生OSC晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】  爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资)TH-1 890

    爱普生晶振,温补晶振,TG5032CFN晶振,CMOS输出宽温TCXO晶振,具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.目前的VC-TCXO晶振采用了离子刻蚀调频技术:比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内。

    全自动石英晶振晶片清洗技术:采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。能最大限度除去晶片污染物,并防止人工污染。
TH-2 890

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

10 MHz - 40 MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

3.3V

2.375 V - 3.63 V

储存温度

T_stg

-40 to +90

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.smdcrystal.com/ 


 

频率稳定度

f_tol

 ±1.0 × 10-6

 +25 °C

功耗

ICC

6.0 mA Max.


待机电流

I_std

2 mA Max.

OE=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC极, L_CMOS ≤ 15 pF

输出电压

VOH

90 % Vcc Min.

 

VOL

10 % Vcc Max.

输出负载条件

L_ECL

15PF Max.

 DC切割电容=0.01 μF

输入电压

VIH

90% VCC Min.

OE 终端

VIL

10 % VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

8ns Max.

20 % ~ 80 % (VOH-VOL).
20 % ~ 80 % 微分输出 峰-峰值

振荡启动时间

t_str

5.0 ms Max.

在电源电压最低时,所需时间为0 秒

频率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 °C

XG-2102CA晶振原厂编码表:
X1M0003010002 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010003 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010004 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010006 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010007 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010008 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010009 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010010 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010011 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010012 XG-2102CA 133.330000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010013 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010014 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010015 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010016 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010017 XG-2102CA 133.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010019 XG-2102CA 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010020 XG-2102CA 312.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010021 XG-2102CA 106.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010022 XG-2102CA 250.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010023 XG-2102CA 200.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %

TH-3 890

TG5032CFN SFN

TH-4 890

    存储事项,爱普生晶振,温补晶振,TG5032CFN晶振,CMOS输出宽温TCXO晶振

    (1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。

    正常温度和湿度: 

    温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。

    (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

    安装时注意事项

    耐焊性

    加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品。在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。

    (1)柱面式产品和DIP产品

    型号 焊接条件

    [ 柱面式 ]    C-类型,C-2-类型,C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s 

    请勿加热封装材料超过+150°C

    [ 柱面式 ]    CA-301    [ DIP ]     SG-51 / 531, SG-8002DB DC,RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

    请勿加热封装材料超过+150°C

    (2)SMD产品回流焊接条件(实例)

    用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。

    尽可能使温度变化曲线保持平滑。爱普生晶振,温补晶振,TG5032CFN晶振,CMOS输出宽温TCXO晶振TH-5 890

    爱普生株式会社EPSON压电石英晶体通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客。

    创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品;并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动。

    爱普生株式会社EPSON高质量晶振不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染。

    在设定环保目的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。

    爱普生5x3.2温度补偿晶振通过与地区的交流及社会贡献活动,为地区的环保做贡献。

    将环保活动的信息向公司内外公开,积极努力的与地区社会及相关人员建立信赖关系,为社会的发展做出贡献。

    通过此方针的公文化,在向公司员工及从事本事业领域业务的所有相关人员彻底传达的同时,也向公司外部公开。爱普生晶振,温补晶振,TG5032CFN晶振,CMOS输出宽温TCXO晶振

爱普生有源MHZ系列晶振规格表:

Model Frequency LxWxH Output Wave Ope Temperature Freq. Tol. I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.096000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 60.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 12.800000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 19.440000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 13.560000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 35.328000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 62.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 20.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 1.544000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 2.048000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 66.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.001400 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 15.360000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 16.384000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TH-6 890

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