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爱普生晶振以32.768KHZ称霸晶振行业
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爱普生晶振,压控晶振,VG5032VDN晶振,5032mm贴片LVDS晶振

频率:85 MHz - 170 MHz

尺寸:5.0 × 3.2 × 1.3 mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

咨询热线:0755-27872782

APS-1

    爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器TCXO)。19962月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000,总投资4.055亿美元,公司占地200,现已经是世界500强企业。爱普生晶振,压控晶振,VG5032VDN晶振,5032mm贴片LVDS晶振

    日本精工爱普生LVDS晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】  爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资)TH-1 890

    爱普生晶振,压控晶振,VG5032VDN晶振,5032mm贴片LVDS晶振,crystal,石英晶振应用:数码相机,无线通讯,计算机,接口卡,电话,传呼机,遥控器,全球定位系统,MP3,MP4,MP5数码产品系列。石英振荡器,OSC应用:无线通信,智能手机,平板笔记本,计算机,全球GPS定位系统,WLAN网络产品等.VC-TCXO应用:智能手机晶体,无线基站,精密仪器,GPS卫星,汽车应用等晶体滤波器应用无线收发器,智能手机,无线网络发射,GPS全球定位等等。

    有源晶振频率越高一般价格越高。但频率越高,频差越大,从综合角度考虑,一般工程师会选用频率低但稳定的晶振,自己做倍频电路。总之石英晶振是根据需要去选择合适的频率,并不是晶振频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz的恒温晶振(OCXO),因其有很好的频率稳定性,属于高端晶振。至于范围,晶振的频率做的太高的话,就会失去意义,因为有其他更好的晶振频率产品代替。产品频率范围是:25kHz-1.3G,基本上所有应用中的晶振都可以在产品中找到。TH-2 890

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

85  - 170 MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

3.3 V ± 0.165 V


储存温度

T_stg

-55 °C to +125 °C

裸存

工作温度

T_use

 G:-40°C-+85°C

请联系我们查看更多资料http://www.smdcrystal.com/ 

H:-40°C-+105°C

 

频率稳定度

f_tol

 ±50 X 10-6 Max.

 频率老化包含(10年)

功耗

ICC

30 mA Max.


待机电流

I_std

2 mA Max.

OE=Vcc, LVPECL: 50 W, LVDS: 100 W

占空比

SYM

45 % - 55 %

LV-PECL: at Vcc-1.30 V, VC=1/2Vcc
LVDS: at outputs crossing point

输出电压

VOH

1.1 Vcc Min.

 LV-PECL: DC 特征

VOL

1.5Vcc Max.

输出负载条件

L_ECL

50 W Max.

 LV-PECL: 终止于 VCC -2.0 V

输入电压

VIH

70% VCC Min.

OE 终端

VIL

30% VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

0.5ns Max.

LV-PECL: 20% ~ 80% (VOH-VOL)

振荡启动时间

t_str

10 ms Max.

在电源电压最低时,所需时间为0 秒

频率老化

f_aging

±5 × 10-6 / year Max.

+25 °C

VG-4231CB晶振原厂编码表:
X1G0028610002 VG-4231CB 54.000000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610003 VG-4231CB 57.272727 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610004 VG-4231CB 56.750000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610005 VG-4231CB 57.000000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610007 VG-4231CB 27.000000 MHz GGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -40 to 85 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610008 VG-4231CB 16.111888 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610009 VG-4231CB 24.545454 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610010 VG-4231CB 16.128000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610011 VG-4231CB 24.570000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610013 VG-4231CB 10.000000 MHz GGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -40 to 85 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610024 VG-4231CB 79.075000 MHz GGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -40 to 85 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610042 VG-4231CB 40.965000 MHz GGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -40 to 85 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610051 VG-4231CB 25.000000 MHz GGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -40 to 85 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA

TH-3 890

VG5032EDN VDN

TH-4 890

    5032无线基站晶振使用注意事项,爱普生晶振,压控晶振,VG5032VDN晶振,5032mm贴片LVDS晶振

    使用每种产品时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用。

    晶体产品的设计和生产满足它的规格书。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的产品.但是为了产品的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任。

    所有陶瓷面压控晶振产品的共同点

    抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。

    辐射

    暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射。

    化学制剂 / pH值环境

    请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。

    粘合剂

    请勿使用可能导致压电控制型差分晶振产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)爱普生晶振,压控晶振,VG5032VDN晶振,5032mm贴片LVDS晶振TH-5 890

    爱普生株式会社EPSON进口5032晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客。

    创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品;并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动。

    爱普生LVDS输出有源晶振不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染。

    在设定环保目的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。

    爱普生VCXO振荡器通过与地区的交流及社会贡献活动,为地区的环保做贡献。

    将环保活动的信息向公司内外公开,积极努力的与地区社会及相关人员建立信赖关系,为社会的发展做出贡献。

    通过此方针的公文化,在向公司员工及从事本事业领域业务的所有相关人员彻底传达的同时,也向公司外部公开。爱普生晶振,压控晶振,VG5032VDN晶振,5032mm贴片LVDS晶振

爱普生有源MHZ系列晶振规格表:

Model Frequency LxWxH Output Wave Ope Temperature Freq. Tol. I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.096000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 60.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 12.800000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 19.440000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 13.560000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 35.328000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 62.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 20.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 1.544000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 2.048000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 66.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.001400 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 15.360000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 16.384000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
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