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MTRONPTI晶振,贴片晶振,HPO晶振,含铅石英晶体振荡器

频率:25-150MHZ

尺寸:7.0*5.0*1.9mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型ICTSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

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    MTRONPTI晶振,贴片晶振,HPO晶振,含铅石英晶体振荡器 MtronPTI提供广泛的精确频率控制和数据定时解决方案,包括:射频,微波和毫米波滤波器 - 晶体,陶瓷,谐振腔,集总元件,开关,数字可调谐和低噪声/恶劣环境振荡器 - 晶振,TCXO / VCXO ,烤箱和IEEE-1588锁定。2014年,MtronPTI增加了毫米波金属插入技术波导滤波器和最先进的固态功率放大器。

    MtronPTI与基础材料科学和制造的完全控制垂直整合,为高可靠性高性能互联网数据定时,公共安全和军用/航空通信与控制,仪器仪表和能源管理应用提供解决方案。基于佛罗里达州奥兰多市的设计,销售以及在北美,亚洲和欧洲的生产基地,MtronPTI是LGL集团(NYSE MKT:LGL)的子公司。

    一对一的技术关系,广泛的表征和长期应用支持使MtronPTI成为降低下一个通信系统或仪器项目风险并降低成本的首选。

    MtronPTI是纽约证券交易所MKT上市公司The LGL Group,Inc.的子公司。MTRONPTI晶振,贴片晶振,HPO晶振,含铅石英晶体振荡器TH-1 890

    小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术

    1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;

    2.使组件在真空下电阻减小;

    3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

    有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..MTRONPTI晶振,贴片晶振,HPO晶振,含铅石英晶体振荡器TH-2 890

MTRONPTI晶振规格

单位

HPO晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

25-150MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C to +125°C

裸存

工作温度

T_use

-55°C to +125°C

标准温度

激励功率

DL

1.0μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±50 × 10-6/25°C 

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

12.5PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TH-3 890

HPO 7050 OSC

TH-4 890

    超声波清洗,MTRONPTI晶振,贴片晶振,HPO晶振,含铅石英晶体振荡器

    (1)使用AT-切割晶体和表面声波(SAW)谐振器/滤波器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶体特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。

    (2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶体可能受到破坏。

    (3)请勿清洗开启式产品

    (4)对于可清洗产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。

    (5)焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。

    操作

    请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。

    使用环境(温度和湿度)

    请在规定的温度范围内使用产品。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

    晶体单元/晶体谐振器

    激励功率

    在晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。

    负极电阻

    除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。

    负载电容

    振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。MTRONPTI晶振,贴片晶振,HPO晶振,含铅石英晶体振荡器TH-6 890

联系方式/CONTACT US

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泰河传真贸易通:泰河科技

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