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ABRACON晶振,陶瓷谐振器,AWCR-MD晶振,ZTT晶振

ABRACON晶振,陶瓷谐振器,AWCR-MD晶振,ZTT晶振频率:2-6MHZ,12.51-60MHZ尺寸:9.5*5.5*4.0mm

插件三脚陶瓷晶振跟贴片的区别在于SMD是编带方式包装,焊接方面支持表面贴装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,是指晶振内部本身有自带负载电容的陶瓷谐振器, “压电陶瓷”, 与CR,LC电路不同,陶瓷振荡子利用的是机械谐振而不是像压电石英晶体一样电谐振的方式起振.这意味着它基本上不受外部电路或电源电压波动的影响.

村田晶振,CSTCE12M0G15L99-R0晶振,12M晶振,蓝牙晶振

村田晶振,CSTCE12M0G15L99-R0晶振,12M晶振,蓝牙晶振频率:9.000MHZ尺寸:3.2*1.3*0.8mm

村田晶振,CSTCE12M0G15L99-R0晶振,12M晶振,蓝牙晶振
频率:12.000MHz
尺寸:3.2×1.3×0.8mm


MURATA的频率调整和封装技术专长使得内置负载电容器的CERALOCK(R)芯片得以发展。 通过小封装可以实现高密度安装,并消除对外部负载电容器的需求。

特征
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。


村田晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振,3.2*1.3晶振,车载专用晶振

村田晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振,3.2*1.3晶振,车载专用晶振频率:9.000MHZ尺寸:3.2*1.3*0.8mm

村田晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振,3.2*1.3晶振,车载专用晶振
频率:9.000MHz
尺寸:3.2×1.3×0.8mm


MURATA的频率调整和封装技术专长使得内置负载电容器的CERALOCK(R)芯片得以发展。 通过小封装可以实现高密度安装,并消除对外部负载电容器的需求。

特征
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。


村田晶振,CSTCE8M00G55-R0晶振,村田陶瓷振荡子,通讯设备专用晶振

村田晶振,CSTCE8M00G55-R0晶振,村田陶瓷振荡子,通讯设备专用晶振频率:8.000MHZ尺寸:3.2*1.3*0.8mm

村田晶振,CSTCE8M00G55-R0晶振,村田陶瓷振荡子,通讯专用晶振
频率:8.000MHz
尺寸:3.2×1.3×0.8mm


MURATA的频率调整和封装技术专长使得内置负载电容器的CERALOCK(R)芯片得以发展。 通过小封装可以实现高密度安装,并消除对外部负载电容器的需求。

特征
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。


村田晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振,8M晶振,CSTCE晶振

村田晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振,8M晶振,CSTCE晶振频率:8.000MHZ尺寸:3.2*1.3*0.8mm

村田晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振,8M晶振,CSTCE晶振
频率:8.000MHz
尺寸:3.2×1.3×0.8mm

MURATA的频率调整和封装技术专长使得内置负载电容器的CERALOCK(R)芯片得以发展。 通过小封装可以实现高密度安装,并消除对外部负载电容器的需求。

特征
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。


村田晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振,3M晶振,村田陶瓷晶振

村田晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振,3M晶振,村田陶瓷晶振频率:3.000MHZ尺寸:7.2*3.0*1.8mm

村田晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振,3M晶振,村田陶瓷晶振
频率:3.000MHz
尺寸:7.2×3.0×1.8mm

由于封装小,无需外部负载电容器,可实现高密度安装. 

主要特征有 

1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

村田晶振,CSTCC2M50G56-R0晶振,7.2*3.4晶振,CSTCC晶振

村田晶振,CSTCC2M50G56-R0晶振,7.2*3.4晶振,CSTCC晶振频率:2.000MHZ尺寸:7.2*3.0*1.8mm

村田晶振,CSTCC2M50G56-R0晶振,7.2*3.4晶振,CSTCC晶振
频率:2.000MHz
尺寸:7.2×3.0×1.8mm

可构成无负荷容量的振荡电路,实现更高密度封装的陶瓷振荡子(CERALOCK®)。
 适用于各种AV、OA、家电、产电机器等微机用标准时钟。

由于封装小,无需外部负载电容器,可实现高密度安装.

主要特征有 

1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

村田晶振,CSTCC2M00G56-R0晶振,2M晶振,CSTCC晶振

村田晶振,CSTCC2M00G56-R0晶振,2M晶振,CSTCC晶振频率:2.000MHZ尺寸:7.2*3.0*1.8mm

村田晶振,CSTCC2M00G56-R0晶振,2M晶振,CSTCC晶振
频率:2.000MHz
尺寸:7.2×3.0×1.8mm

 适用于各种AV、OA、家电、产电机器等微机用标准时钟。

由于封装小,无需外部负载电容器,可实现高密度安装.

主要特征有 

1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

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Q-TECH品牌创立于1972年,诞生于美国高端精密电子产业核心区域,自成立之初便确立"专注高端,深耕精密,极致可靠"的发展理念,数十年始终聚焦高可靠,高精度晶体振荡器的专属研发,定制化生产与严苛检测,坚决不涉足低端量产,低附加值的通用晶振赛道,拒绝多元化粗放扩张,深耕高端精密时序细分领域,通过五十余年的技术迭代,工艺革新,材料升级与场景优化,逐步构建起同行难以复刻,难以超越的核心技术壁垒与品质优势.市面上多数商用晶振品牌以规模化量产,压缩成本,适配普通民用场景为核心发展方向,侧重基础性能输出,难以应对极端工况与高精度需求.而Q-TECH精准聚焦军工,航天,高端工业极限工况下的时序控制痛点,针对性攻克高低温漂移,电磁干扰,辐射损耗,长期老化失准,振动失效等行业核心难题.品牌依托美国加州总部核心研发中心,德国精密工艺实验室双重顶尖技术支撑,汇聚全球频率控制领域资深工程师团队,在高纯石英晶片精密加工,智能动态噪声抵消算法,高精度温度动态补偿,太空级抗辐射结构加固,军工级气密性封装,微型化集成工艺等核心技术领域,实现数十项行业突破性创新,持续引领全球高端晶振行业的技术迭代与发展方向.

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