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Sitime晶振,贴片晶振,SiT2025晶振

Sitime晶振,贴片晶振,SiT2025晶振频率:115.2M~137MHZ尺寸:2.9x2.8mm

可编程晶振就是可以满足任何频点的晶体振荡器,经过频率发生器的放大或缩小后实现各种不同的总线频率.Sitime可编程晶体振荡器采用全自动化半导体工艺(芯片级),无气密性问题,永不停振.并且集成了温度补偿电路,全温度范围无温漂,-40-85℃全温保证;可支持1-800MHZ任一频点,精确致小数点后5位输出.

IDT晶振,贴片晶振,XU晶振,XL晶振,普通石英晶体振荡器

IDT晶振,贴片晶振,XU晶振,XL晶振,普通石英晶体振荡器频率:0.016 - 1500 MHz/0.75 - 1350 MHz尺寸:5 x 3.2 mm, 7 x 5 mm/3.2 x 2.5 mm, 5 x 3.2 mm, 7 x 5 mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.


PLETRONICS晶振,差分晶振,LV91晶振

PLETRONICS晶振,差分晶振,LV91晶振频率:10.900MHz~670.000MHz尺寸:14*9*2.49mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动LVDS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
PLETRONICS晶振,有源晶振,LV55D晶振

PLETRONICS晶振,有源晶振,LV55D晶振频率:80.000MHz~325.000MHz尺寸:5.0*3.2*1.35mm

5032mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
PLETRONICS晶振,有源晶振,LV44F晶振

PLETRONICS晶振,有源晶振,LV44F晶振频率:13.500MHz~110.000MHz尺寸:3.2*2.5*1.0mm

3225mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.
PLETRONICS晶振,有源晶振,HC77D晶振

PLETRONICS晶振,有源晶振,HC77D晶振频率:13.000MHz~220.000MHz尺寸:7.0*5.0*1.70mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,可编程晶体振荡器

IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,可编程晶体振荡器频率:15.476-866.67MHz,975-1300MHz尺寸:7.0*5.0*1.55mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅


PLETRONICS晶振,有源晶振,HC55D晶振

PLETRONICS晶振,有源晶振,HC55D晶振频率:13.000MHz~220.000MHz尺寸:5.0*3.2*1.35mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
Vectron晶振,石英晶体振荡器,MO-9200A晶振

Vectron晶振,石英晶体振荡器,MO-9200A晶振频率:1~220MHz尺寸:3.2×2.5mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
Vectron晶振,MEMS振荡器,MO-9150A晶振

Vectron晶振,MEMS振荡器,MO-9150A晶振频率:80~220MHz尺寸:2.5×2.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
Vectron晶振,贴片晶振,MO-9100A晶振

Vectron晶振,贴片晶振,MO-9100A晶振频率:1~80MHz尺寸:2.5×2.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
Vectron晶振,有源晶振,MO-9000A晶振

Vectron晶振,有源晶振,MO-9000A晶振频率:1~110MHz尺寸:2.5×2.0mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
Vectron晶振,普通有源晶振,HT-MM900A晶振

Vectron晶振,普通有源晶振,HT-MM900A晶振频率:1~137MHz尺寸:2.5×2.0mm,3.2×2.5mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
百利通亚陶晶振,普通有源晶振,FDSAS6062晶振

百利通亚陶晶振,普通有源晶振,FDSAS6062晶振频率:62.5MHZ尺寸:5.0×3.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
百利通亚陶晶振,OSC晶振,FDSAS2062晶振

百利通亚陶晶振,OSC晶振,FDSAS2062晶振频率:62.5MHZ尺寸:5.0×3.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
瑞康晶振,温补晶振,CFPT9000晶振

瑞康晶振,温补晶振,CFPT9000晶振频率:1.2M~40MHZ尺寸:5.0x7.0mm

温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

百利通亚陶晶振,时钟振荡器,FDQ晶振

百利通亚陶晶振,时钟振荡器,FDQ晶振频率:1~156.25MHz尺寸:5.0×3.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V以应对不同IC产品需要..
百利通亚陶晶振,石英晶体振荡器,FD晶振

百利通亚陶晶振,石英晶体振荡器,FD晶振频率:1~133MHz尺寸:5.0×3.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V以应对不同IC产品需要..
百利通亚陶晶振,有源晶振,S1613晶振

百利通亚陶晶振,有源晶振,S1613晶振频率:1.544~156.25MHz尺寸:5.0×7.0mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
泰艺晶振,贴片晶振,TA晶振,TAETBCJANF-25.000000晶振

泰艺晶振,贴片晶振,TA晶振,TAETBCJANF-25.000000晶振频率:5-52MHZ尺寸:7.0*5.0*19mm

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内



泰艺晶振,贴片晶振,PY晶振,PYETGCJANF-12.000000晶振

泰艺晶振,贴片晶振,PY晶振,PYETGCJANF-12.000000晶振频率:2.048-200MHZ尺寸:2.5*2.0*0.85mm

SMD晶体3225mm尺寸,2520mm,2016mm等尺寸,在生产工艺上采用了高精密点胶技术:晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

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KVG Quartz Crystal Technology位于德国内卡比绍夫海姆(Neckarbishofsheim)市中心,坐落在一座庄严的石头建筑中,致力于实现其对电子核心技术的长期承诺。任何带有振荡器或时钟的系统都需要精确的频率基准,理想情况下,该基准不会引入相位噪声或抖动,并且对温度和振动稳定。石英晶体长期以来一直是此类源的主要频率参考,KVG是最早开发和商业化该技术的公司之一。

KVG由物理学家Kurt Klingsporn于1946年成立,kristlerverarbeitungsgesellschaft Neckarbischofsheim(内卡比绍夫斯海姆的晶体加工公司),已将其能力从晶体扩展到设计和制造使用晶体技术的振荡器,如温度补偿晶体振荡器(TCXO)、烤箱控制晶体振荡器(OCXO)以及压控晶体振荡器(VCXO)。KVG还开发了晶体滤波器,通常是切比雪夫或巴特沃斯设计的,中心频率在5到200MHz之间,带宽在1.5到75kHz之间。


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