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Statek晶振,有源晶振,LSC晶振频率：30KHZ~400KHz尺寸：10.2×4.5mm
接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,32.768K晶振,LFXO晶振频率：32.768KHZ尺寸：6.5×5.0mm
此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温，波峰焊接，回流焊接等，贴片表晶主要特点是该产品排带包装，焊接模式主要使用SMT焊接，给现代SMT工艺带来高速的工作效率，32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点.
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Statek晶振,OSC晶振,HTXO晶振频率：32.768KHz,1.5~50MHz尺寸：7.5×5.0mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,有源晶振,HGXOHT晶振频率：460KHZ~50MHZ尺寸：7.5×5.0mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,贴片晶振,HFXO晶振频率：220KHZ~100MHZ尺寸：6.5×5.0mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,5070贴片晶振,DFXO晶振频率：20~300MHZ尺寸：5.0×7.0mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOXULPHT晶振频率：32.768KHZ尺寸：3.2×2.5mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,32.768K晶振,CXOXULP晶振频率：32.768KHZ尺寸：3.2×2.5mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,贴片晶振,CXOXLPN晶振频率：20~50MHZ尺寸：3.2×2.5mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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Statek晶振,3225晶振,CXOX晶振频率：1~160MHZ尺寸：3.2×2.5mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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Statek晶振,2520晶振,CXOQ晶振频率：400KHZ~100MHZ尺寸：2.5×2.0mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,有源晶振,CXOLP晶振频率：1~8.5MHZ尺寸：3.2×1.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOL晶振频率：32.768KHZ尺寸：3.2×1.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOMKHT晶振频率：32.768KHZ尺寸：6.5×5.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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IDT晶振,贴片晶振,XUO晶振,HCSL OSC有源石英晶振频率：0.016MHz - 670MHz尺寸：5.0x3.2x 1.2mm,7.0x5.0x1.3mm
5032尺寸贴片晶振系列，在生产时就得对每项生产工艺严格把关，对每项参数做到标准检测，有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除，而晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。
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IDT晶振,贴片晶振,XUN晶振,7050mm石英晶体振荡器频率：0.016MHz - 670MHz尺寸：5.0x3.2x 1.2mm,7.0x 5.0x1.3mm
贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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IDT晶振,贴片晶振,XLH晶振,HCMOS石英振荡子,OSC有源晶振频率：0.750 - 250 MHz尺寸：3.2*2.5*1.0mm，5.0*3.2*1.2mm，7.0*5.0*1.3mm
5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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Sitime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振频率：115.2M~137MHZ尺寸：2.0x1.6mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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Sitime晶振,有源晶振,SiT8924B晶振频率：1M~110MHZ尺寸：5.0x7.0mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Sitime晶振,贴片晶振,SiT8002AA晶振频率：1M~125MHZ尺寸：2.5x2.0mm
可编程晶振就是可以满足任何频点的晶体振荡器,经过频率发生器的放大或缩小后实现各种不同的总线频率.Sitime可编程晶体振荡器采用全自动化半导体工艺（芯片级）,无气密性问题,永不停振.并且集成了温度补偿电路,全温度范围无温漂,-40℃-85℃全温保证；可支持1-800MHZ任一频点,精确致小数点后5位输出.
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Sitime晶振,贴片晶振,SiT2018晶振频率：1M~110MHZ尺寸：2.9x2.8mm
Sitime可编程晶体振荡器采用全自动化半导体工艺（芯片级）,无气密性问题,永不停振.并且集成了温度补偿电路,全温度范围无温漂,-40℃-85℃全温保证；可支持1-800MHZ任一频点,精确致小数点后5位输出.可编程晶振国际标准QFN封装：7050、5032、3225、2520晶振等.被广泛应用于钟表、数码产品、车载数码、手机、对讲机、数码相机、MID平板电脑,光电技术等通讯设备及各种频率控制设备.
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