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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振频率：2 MHz -60 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2 MHz -60 MHz
电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C / +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振频率：2 MHz -60 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2 MHz -60 MHz
电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C / +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振频率：2 MHz -32 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2 MHz -32 MHz
电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C / +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCH晶振,SG-210SCH 100.0000ML0晶振频率：80 MHz - 170 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCH晶振,SG-210SCH 100.0000ML0晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDH晶振,EPSON普通有源晶振,SG-210SDH 100.0000ML0频率：80 MHz - 170 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDH晶振,EPSON普通有源晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器频率：80 MHz - 170 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振频率：50 MHz - 80 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振频率：50 MHz - 80 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振频率：50 MHz - 80 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器频率：2 MHz - 60 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 车载用
频率范围: 2 MHz - 60 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C - +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振频率：2 MHz - 60 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 车载用
频率范围: 2 MHz - 60 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C - +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器频率：2 MHz - 60 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 车载用
频率范围: 2 MHz - 60 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C - +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CCN晶振,SG7050CCN 8.000000M-HJGA3晶振频率：2.5 MHz - 50 MHz尺寸：7.0 × 5.0 × 1.3 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CCN晶振,SG7050CCN 8.000000M-HJGA3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.5 MHz - 50 MHz
电源电压: 4.5 V - 5.5 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CCN晶振,SG5032CCN 18.432000M-HJGA3晶振频率：2.5 MHz - 50 MHz尺寸：5.0 × 3.2 × 1.1 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CCN晶振,SG5032CCN 18.432000M-HJGA3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.5 MHz - 50 MHz
电源电压: 4.5 V - 5.5 V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CBN晶振,SG7050CBN 156.250000M-TJGA3晶振频率：80 MHz - 170 MHz尺寸：7.0 × 5.0 × 1.3 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CBN晶振,SG7050CBN 156.250000M-TJGA3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CBN晶振,SPXO有源晶振,SG5032CBN 125.000000M-TJGA3频率：80 MHz - 170 MHz尺寸：5.0 × 3.2 × 1.1 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CBN晶振,SPXO有源晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CAN晶振,低频7050晶体振荡器,SG7050CAN 30.000000M-TJGA3频率：1.0 MHz - 75 MHz尺寸：7.0 × 5.0 × 1.3 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CAN晶振,低频7050晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CAN晶振,基频模式振荡器,SG5032CAN 12.000000M-TJGA3频率：1.0 MHz - 75 MHz尺寸：5.0 × 3.2 × 1.1 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CAN晶振,普通有源晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.8 V - 3.6V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振,普通有源晶体振荡器频率：1.2 MHz - 75 MHz尺寸：2.0 × 1.6 × 0.7 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振,普通有源晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1.2 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.8 V - 3.3 V Typ.
外部尺寸规格: 2.0 × 1.6 × 0.7 mm
功能：??待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +125 °C
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CTECH晶振,贴片滤波器,CT169HCM3晶振,SMD声表面滤波器频率：169.0 MHZ尺寸：5.0*5.0*1.3mm
高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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NAKA晶振,石英晶振,XB2060晶振,2x6mm两脚音叉表晶频率：32.768kHz尺寸：2.0x6.0mm
我公司所生产的音叉石英晶振具有电阻小，高低温稳定性能变化不大，在恶劣环境中均能保持正常工作，精度性能优越等特点，主要采用了高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
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